半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置
本专利技术涉及在用于制造半导体装置的基板形成掩模而进行离子注入的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，向作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)进行离子注入。该离子注入在形成有由例如抗蚀膜构成的掩模的状态下进行，在离子注入后掩模被去除。在专利文献1中记载有用于进行离子注入的掩模和该掩模的去除方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-51094号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如在专利技术的实施方式所说明那样，通过上述的离子注入，作为有机膜的抗蚀膜的表面成为硬度比较高的碳化层。由于半导体装置的配线的微细化，存在抗蚀膜以具有凹凸的方式形成的情况，在该情况下，除了抗蚀膜的上表面之外，还在侧面形成上述的碳化层。也就是说，具有在晶圆中形成碳化层的量变多的倾向。为了在去除抗蚀膜之际也去除该碳化层，想到进行供给等离子体化后的氧气的处理(灰化)、供给高温的清洗液、极性较高的化学溶液的处理、供给臭氧气体的处理等，但均存在对没有被抗蚀膜覆盖的进行了离子注入的区域造成损伤的担心。另外，具有通过进行这些处理而碳化层破裂、使微粒产生的担本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，在该制造方法中，对基板进行处理来制造半导体装置，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括如下工序：向所述基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜的工序；以层叠于所述第1掩模用的膜上的方式形成第2掩模用的无机膜的工序；在所述第1掩模用的膜和所述第2掩模用的无机膜形成图案、对所述基板的表面进行离子注入的工序；在所述离子注入后去除所述第2掩模用的无机膜的工序；在所述离子注入后对基板进行加热而使所述聚合物解聚来去除所述第1掩模用的膜的工序。

【技术特征摘要】
2017.03.10 JP 2017-0464671.一种半导体装置的制造方法，在该制造方法中，对基板进行处理来制造半导体装置，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括如下工序：向所述基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜的工序；以层叠于所述第1掩模用的膜上的方式形成第2掩模用的无机膜的工序；在所述第1掩模用的膜和所述第2掩模用的无机膜形成图案、对所述基板的表面进行离子注入的工序；在所述离子注入后去除所述第2掩模用的无机膜的工序；在所述离子注入后对基板进行加热而使所述聚合物解聚来去除所述第1掩模用的膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第1掩模用的膜和所述第2掩模用的无机膜形成图案的工序包括如下工序：在第2掩模用的膜上层叠抗蚀膜，接下来，在该抗蚀膜形成图案，接着将该抗蚀膜的图案复制于第1掩模用的膜和第2掩模用的无机膜，该半导体装置的制造方法包括在进行所述离子注入之前去除所述抗蚀膜的工序。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述基板加热成300℃～450℃来进行去除所述第1膜的工序。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第2掩模用的无机膜是含有硅的膜。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第1掩模用的膜的工序是如下工序：将异氰酸脂的液体和胺的液体向所述基板供给，并且，在加热后的该基板的表面使所述异氰酸脂和胺进行聚合反应。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述异氰酸脂的液体和胺的液体向所述基板供给的工序包括如下工序：从贮存有异氰酸脂的液体的第1供给源向第1流路供给异氰酸脂的液体的工序；从贮存有胺的液体的第2供给源向第2流路供给该胺的液体的工序；向所述第1流路的下游侧和所述第2流路的下游侧汇合而形成的汇合路径供给所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口达也，新纳礼二，桥本浩幸，野泽秀二，藤川诚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP