清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。

【技术实现步骤摘要】
清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置
本专利技术涉及一种清洗副产物去除方法和利用该方法的反应室内清洁方法以及室温成膜装置。
技术介绍
以往以来，已知一种室温成膜装置的清洗方法，将附着在室温成膜装置的装置内部的附着物去除，该室温成膜装置对收纳于反应室内的被处理体供给处理气体来在被处理体形成薄膜(例如参照专利文献1)。在所述专利文献1所记载的清洗方法中具有如下的工序来进行室温成膜装置的清洗：向反应室供给包含氟化氢的清洁气体来去除附着于装置内部的附着物的清洗工序；以及利用等离子体来去除由于清洗工序附着于装置内部的氟硅化物的去除工序。根据所述专利文献1所记载的清洗方法，通过使用等离子体能够高效地清洗室温成膜装置。专利文献1：日本特开2014-68045号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1中记载的使用等离子体去除氟硅化物的方法中，去除不充分的情况较多。氟硅化物尤其是氟硅酸铵成为微粒产生源，对高品质的成膜带来不利影响的情况较多。因此，本专利技术的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法和利用该方法的反应室内清洁方法以及室温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗副产物去除方法，去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵，所述去除方法具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在该规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。

【技术特征摘要】
2017.03.28 JP 2017-0637711.一种清洗副产物去除方法，去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵，所述去除方法具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在该规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。2.根据权利要求1所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，所述规定温度为300℃以上的温度。3.根据权利要求1或2所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，所述规定时间为5分钟～10分钟的范围内的规定时间。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，所述规定压力为大气压的一半以上的压力。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，在对所述反应室内排气的工序中，所述反应室内的压力被设定为小于1330Pa。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，所述氮气在被设置于所述反应室外的气化器加热后被供给到所述反应室内。7.一种反应室内清洁方法，为不具有加热单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田匠，东条行雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP