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清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置制造方法及图纸
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下载清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置的技术资料
文档序号:19191611
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本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序:将...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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