等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微波等离子体处理装置，其包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在上述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，上述多个供气孔分别具有空腔部，上述空腔部从上述供气孔的细孔扩展而成，且在上述等离子体处理空间开口，上述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。由此，能够优化供气孔的形状，防止在供气孔中因微波的表面波而发生异常放电。

Plasma processing unit

The invention provides a microwave plasma processing device, which comprises: a microwave waveguide disposed at the top of a processing vessel, which is used to insert a microwave waveguide for generating plasma from a gas into the inner component of the processing vessel; and a plurality of supplies formed at the top of the processing vessel to introduce gas into the plasma processing space. The above-mentioned air supply holes have cavity parts, which are expanded from the fine holes of the above-mentioned air supply holes and are opened in the above-mentioned plasma treatment space. The diameter of the plasma treatment space side of the above-mentioned air supply holes is more than 3 mm, and the wavelength of the microwave surface wave in the plasma is less than 1/8. Thus, the shape of the supply hole can be optimized to prevent abnormal discharge due to microwave surface wave in the supply hole.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
在等离子体处理装置的顶部设置多个供气孔，将从气体供给源供给的气体从多个供气孔以喷淋状地供给到等离子体处理装置的内部(例如参照专利文献1～3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-228054号公报专利文献2：日本特开2016-119325号公报专利文献3：日本特开2007-221116号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在微波等离子体处理装置中，在被供给微波的腔室的顶部的表面(内壁面)传播微波的表面波。因此，在微波等离子体处理装置中，例如与CCP(CapacitivelyCoupledPlasma：容性耦合等离子体)等的平行平板型的等离子体处理装置相比，顶部的表面的电场强度因在顶部的表面传播的微波的表面波而变得更高。由于该微波的电场强度高，因此在顶部的表面开口的供气孔容易发生放电。因此，具有在供气孔发生电弧放电(异常放电)，形成供气孔的部件熔融，将供气孔堵塞的情况。对此，考虑通过在供气孔中埋入多孔的电介质，一边使气体通过多孔部分，一边防止由于向供气孔侵入的微波的表面波而引起的异常放电的发生。然而，在该情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在所述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，所述多个供气孔分别具有空腔部，所述空腔部从所述供气孔的细孔扩展而成，且在所述等离子体处理空间开口，所述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。

【技术特征摘要】
2017.05.16 JP 2017-097653;2017.08.28 JP 2017-163611.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在所述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，所述多个供气孔分别具有空腔部，所述空腔部从所述供气孔的细孔扩展而成，且在所述等离子体处理空间开口，所述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述空腔部为圆筒形。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述空腔部的从等离子体处理空间侧的开口部至底部的深度为5mm以上。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述处理容器的顶部由绝缘性材料覆盖，所述空腔部的至少底部没有被绝缘性材料覆盖。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述空腔部的侧部由绝缘性材料覆盖，其中，从所述等离子体处理空间侧的开口部向底部去覆盖厚度变薄。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田太郎，小松智仁，中入淳，永吉径，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP