等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供使向腔室主体照射的离子的能量降低的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部产生使基频的高频的电压波形的正电压成分减少的输出波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术的实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件等的电子器件的制造中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般包括腔室主体、载置台和高频电源。腔室主体提供其内部空间作为腔室。腔室主体被接地。载置台设置在腔室内，保持被载置在其上的被加工物。载置台包括下部电极。高频电源与下部电极连接。在该等离子体处理装置中，在腔室内生成处理气体的等离子体，来自高频电源的偏置用的高频被供给到下部电极。在该等离子体处理装置中，离子由于基于偏置用的高频的下部电极的电位与等离子体的电位的电位差而被加速，加速了的离子被照射到被加工物。在等离子体处理装置中，腔室主体与等离子体之间也产生电位差。在腔室主体与等离子体之间的电位差大的情况下，向腔室主体照射的离子的能量变高，从腔室主体放出颗粒。从腔室主体放出的颗粒污染载置在载置台上的被加工物。为了防止这样的颗粒的产生，在专利文献1中，提案了利用调整腔室的接地电容的调整机构的技术。专利文献1所记载的调整机构以调整与腔室面对的阳极和阴极的面积比率、即A/C比的方式构成。A/C比越大，即，阳极的面积相对于阴极的面积越大，腔室主体与等离子体之间的电位差变小，向腔室主体照射的离子的能量变低。向腔室主体照射的离子的能量低时，能够抑制颗粒的产生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-228694号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题作为对被加工物的等离子体处理的一种的蚀刻，进一步要求在被加工物形成纵横比高的形状。为了在被加工物形成纵横比高的形状，需要提高对被加工物照射的离子的能量。降低偏置用的高频的频率，是提高向被加工物照射的离子的能量的对策之一。但是，当偏置用的高频的频率变低时，等离子体的电位变高。等离子体的电位变高时，等离子体与腔室主体的电位差变大，向腔室主体照射的离子的能量变高。根据该背景，需要降低向腔室主体照射的离子的能量。用于解决技术问题的技术方案在一个方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部构成为产生使基频的高频的正电压成分减少的输出波。在一个方式的等离子体处理装置中，将使正电压成分减少了的输出波供给到下部电极，因此等离子体的电位变低。所以，等离子体与腔室主体之间的电位差变低。结果是，向腔室主体照射的离子的能量变低。故而，能够抑制来自腔室主体的颗粒的产生。另外，通过降低输出波的频率(基频)，能够降低向腔室主体照射的离子的能量，并且能够提高向被加工物照射的离子的能量。在一个实施方式中，高频电源部能够包括多个高频电源和合成器。多个高频电源构成为分别产生多个高频，该多个高频具有基频的n倍或者2n倍的彼此不同的频率，其中，n为1以上的整数。合成器以合成多个高频来生成输出波的方式构成。根据该实施方式，能够抑制来自多个高频电源的高频的电力损失，并且能够生成输出波。在一个实施方式中，高频电源部包括：产生基频的高频的高频电源；和以除去来自高频电源的高频的正电压成分的方式构成的半波整流器。根据该实施方式，能够将正电压成分大致完全除去。在一个实施方式中，等离子体处理装置是电容耦合型的等离子体处理装置。该实施方式的等离子体处理装置还包括上部电极和第1高频电源。上部电极设置在下部电极的上方。第1高频电源与上部电极连接，产生等离子体生成用的高频。在上部电极为被供给等离子体生成用的高频的电极的等离子体处理装置中，阳极电极的面积小，A/C比小。所以，在该实施方式的等离子体处理装置中，能够更有利地利用上述输出波。在一个实施方式中，基频为1.4MHz以下。在一个实施方式中，等离子体处理装置还包括：与下部电极连接的第2高频电源。第2高频电源产生比基频高的频率的偏置用的高频。基于该实施方式的等离子体处理装置，根据处理将上述的输出波或者来自第2高频电源的偏置用的高频有选择地供给到下部电极。专利技术效果如以上所说明，能够降低向腔室主体照射的离子的能量。附图说明图1是表示一个实施方式的等离子体处理装置的概略图。图2是表示一个实施方式的高频电源部的图。图3是例示图2所示的高频电源部能够生成的输出波的图。图4是表示另一实施方式的高频电源部的图。图5是例示由图4所示的高频电源部生成的输出波的图。图6的(a)是表示模拟#1中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图6的(b)是表示模拟#1中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图7的(a)是表示模拟#2中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图7的(b)是表示模拟#2中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图8的(a)是表示模拟#3中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图8的(b)是表示模拟#3中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图9的(a)是表示模拟#4中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图9的(b)是表示模拟#4中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图10是表示模拟#5和模拟#6中求出的离子的入射角的图。图11的(a)是表示模拟#7中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图11的(b)是表示模拟#7中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图12的(a)是表示模拟#8中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图12的(b)是表示模拟#8中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图13是表示模拟#9～#14的结果的表。图14是表示基于模拟#15～#30的结果计算出的Eh/Ef的图表。图15的(a)是表示模拟#31中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图15的(b)是表示模拟#31中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图16的(a)是表示模拟#32中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图16的(b)是表示模拟#32中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图17是表示又一实施方式的高频电源部的图。图18是例示图17所示的高频电源部能够生成的第2输出波的图。图19是表示又一实施方式的高频电源部的图。图20是例示由图19所示的高频电源部生成的第2输出波的图。图21的(a)是表示模拟#33中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图21的(b)是表示模拟#33中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。图22的(a)是表示模拟#34中计算出的向被加工物照射的离子的能量分布的图，图22的(b)是表示模拟#34中计算出的向腔室主体12照射的离子的能量分布的图。具体实施方式以下，参照附图详细说明各种实施方式。此外，在各附图中对相同或者相应的部分标注相同的附图标记。图1是概略地表示一个实施方式的等离子体处理装置的图。图1中概略地表示了一个实施方式的等离子体处理装置的纵截面的构造。图1所示的等离子体处理装置10是电容耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置10例如能够用于等离子体蚀刻。等离子体处理装置10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。腔室主体12提供其内部空间作为腔室12c。腔室主体12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：提供腔室的腔室主体，该腔室主体与接地电位连接；具有下部电极的、设置在所述腔室内的载置台；和与所述下部电极电连接的高频电源部，该高频电源部生成用于向所述下部电极供给的偏置用的输出波，所述高频电源部以产生使基频的高频的正电压成分减少了的所述输出波的方式构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-090810;2016.07.04 JP 2016-132681.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：提供腔室的腔室主体，该腔室主体与接地电位连接；具有下部电极的、设置在所述腔室内的载置台；和与所述下部电极电连接的高频电源部，该高频电源部生成用于向所述下部电极供给的偏置用的输出波，所述高频电源部以产生使基频的高频的正电压成分减少了的所述输出波的方式构成。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述高频电源部包括：分别产生多个高频的多个高频电源，所述多个高频具有所述基频的n倍或者2n倍的彼此不同的频率，其中，n为1以上的整数；和合成所述多个高频来生成所述输出波的合成器。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述高频电...

【专利技术属性】
技术研发人员：永关一也，大下辰郎，永海幸一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP