基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及一种对被处理基板实施处理的基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中，对作为被处理基板的半导体晶圆(以下简记为晶圆)重复地进行蚀刻处理、成膜处理等各种处理来制造期望的器件。以往，作为进行这样的基板处理的装置，大多使用对被处理基板逐张地进行基板处理的单片式的处理装置。然而，要求提高处理装置的生产率，从而也使用在维持单片式的处理装置的平台的情况下一次对两张以上的被处理基板实施基板处理的处理装置(例如专利文献1)。在专利文献1所记载的基板处理装置中，在腔室内设置用于载置多张被处理基板的基板载置台，沿基板载置台的圆周方向交替地设置多个处理区域和使多个处理区域分离的分离区域。在进行基板处理时，使基板载置台旋转来使多张被处理基板以“处理区域、分离区域、处理区域、分离区域……”这样的顺序通过，由此对多张被处理基板实施不同的气体条件的基板处理。专利文献1：日本特开2010-80924号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在专利文献1中，为了对多张被处理基板实施不同的气体条件的基板处理，针对每个处理区域分别设置独立的排气机构。因此，导致基板处理装置的制造成本上升。因而，本专利技术的目的在于提供一种在利用多个处理部对多张被处理基板分别进行处理时能够使排气机构共同化并且高精度地实施不同的气体条件的基板处理的基板处理方法和基板处理装置。根据本专利技术的第一观点，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的条件供给到所述多个处理部的全部处理部其中，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。在上述第一观点中，也可以是，在进行所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。所述第二气体能够使用非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。另外，也可以是，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，利用作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体进行基板处理，在所述多个处理部中的其余的处理部内，不供给作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体，供给所述第二气体来作为补充气体，以使得不进行基板处理。在该情况下，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，利用调压气体对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制作为处理气体的所述第一气体和作为补充气体的所述第二气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。作为所述调压气体，使用在进行所述基板处理时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体，优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多，更优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。另外，作为所述第二气体，也可以使用被用作所述第一气体的稀释气体的气体。根据本专利技术的第二观点，提供一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，其中，在进行所述第一模式时，以阻止所述多个处理部间产生压力差的方式进行气体供给。在上述第二观点中，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，供给非活性气体以及作为处理气体的HF气体和NH3气体，在所述多个处理部中的其余的处理部内，供给非活性气体或者供给非活性气体和NH3气体，能够将非活性气体用作用于进行所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间的压力调整的补充气体。在该情况下，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，将非活性气体或者将非活性气体和NH3气体用作调压气体，对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制所述处理气体和所述非活性气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。将优选使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多，更优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的所述调压气体的流量的3倍以上。根据本专利技术的第三观点，提供一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，其中，所述控制部进行控制以使得，在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体来作为处理气体以相同的条件供给到所述多个处理部的全部处理部，并且所述控制部进行控制以使得，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。根据本专利技术的第四观点，提供一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，其中，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.15 JP 2016-0816821.一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，其中，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在进行所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二气体为非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，利用作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体进行基板处理，在所述多个处理部中的其余的处理部内，不供给作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体，供给所述第二气体作为补充气体，以使得不进行基板处理。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，利用调压气体对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在所述基板处理方法中，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制作为处理气体的所述第一气体和作为补充气体的所述第二气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，作为所述调压气体，使用在进行所述基板处理时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体，将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。8.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，作为所述第二气体，使用被用作所述第一气体的稀释气体的气体。9.一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理；在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，其中，在进行所述第一模式时，以阻止所述多个处理部间产生压力差的方式进行气体供给。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，供给非活性气体以及作为处理气体的HF气体和NH3气体，在所述多个处理部中的其余的处理部内，供给非活性气体或者供给非活性气体和NH3气体，将非活性气体用作用于进行所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间的压力调整的补充气体。11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，将非活性气体用作调压气体或者将非活性气体和NH3气体用作调压气体，对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在所述基板处理方法中，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制所述处理气体和所述非活性气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多。13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。14.一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，其中，所述控制部进行控制以使得，在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：户田聪，高桥哲朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP