被处理体的处理装置和处理装置的检查方法制造方法及图纸

本发明专利技术检测制冷剂的泄漏。本发明专利技术一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管和与第二配管连接的检测装置。

【技术实现步骤摘要】
被处理体的处理装置和处理装置的检查方法
本专利技术的实施方式涉及被处理体的处理装置和处理装置的检查方法。
技术介绍
在半导体器件这样的电子器件的制造过程中，会对被处理体进行蚀刻、成膜等处理。在进行这样的处理时，有时需要以高响应性对被处理体的温度进行控制。作为以高响应性对被处理体的温度进行控制的技术，可利用直膨式冷却系统。在直膨式冷却系统中，使制冷剂在形成于载置台中的流路内气化，利用其气化热将支承在载置台上的被处理体冷却。例如，专利文献1和专利文献2记载了设置有直膨式冷却系统的等离子体处理装置。这些等离子体处理装置包括腔室主体和载置台。载置台设置在腔室主体的内部。该载置台具有形成有流路的基座部。该流路经配管与压缩机和冷凝器连接。压缩机和冷凝器对从流路回收的制冷剂进行压缩和冷却而使之液化，再将液化的制冷剂供给到流路中。供给到流路中的制冷剂在流路内气化，在至少一部分成为气相的状态下返回压缩机和冷凝器。在专利文献1和2记载的等离子体处理装置中，通过使制冷剂如上所述地在流路内循环来冷却设置在载置台上的被处理体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-186856号公报专利文献2：日本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其设置在所述腔室内，能够支承载置于该载置台上的所述被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，所述第一端部被插入所述空间并与所述第一流路连接，所述第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于所述第一端部与规定所述空间之边界的壁面之间的间隙，将该所述间隙密封，所述载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，所述第二流路的该一端与所述间隙连接，所述第一密封部件在所述第二流路的所述第一流路一侧与所述壁面接触，所述处理装置还包括：与所述第二流路的所述另...

【技术特征摘要】
2017.07.19 JP 2017-1400091.一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其设置在所述腔室内，能够支承载置于该载置台上的所述被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，所述第一端部被插入所述空间并与所述第一流路连接，所述第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于所述第一端部与规定所述空间之边界的壁面之间的间隙，将该所述间隙密封，所述载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，所述第二流路的该一端与所述间隙连接，所述第一密封部件在所述第二流路的所述第一流路一侧与所述壁面接触，所述处理装置还包括：与所述第二流路的所述另一端连接的第二配管；和检测装置，其与所述第二配管连接，对所述第二配管中流动的所述制冷剂的量进行检测。2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：在所述间隙还设置有将该间隙密封的第二密封部件，所述第二流路的所述一端在所述第一密封部件与所述第二密封部件之间与所述间隙连接。3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：所述壁面具有阴螺纹部，相对于所述第一密封部件所接触的所述壁面内的部分，所述阴螺纹部形成在所述第一流路一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川聪，松浦淳，三森章祥，山口伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP