气体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气体处理装置，其具备：载置部，其设置于真空气氛的处理室，用于载置基板；气体供给部，其位于载置部的上方侧且构成处理室的顶部，并形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使处理气体沿横向扩散的扩散空间的平坦的相向面，该气体供给路径形成部形成处理气体的供给路径；凹部，其围绕相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从气体分散部供给路径供给的处理气体沿横向分散到扩散空间，围绕相向面的中央部设置有多个气体分散部，各气体分散部分别以不从该相向面突出的方式设置在所述凹部内。

Gas Processing Unit

The invention provides a gas processing device, which comprises: a carrier part, which is arranged in a vacuum atmosphere processing chamber for carrying a substrate; a gas supply part, which is located on the upper side of the carrier part and forms the top of the processing chamber, and forms a plurality of gas supply ports for spraying the treated gas; and a gas supply path forming part, which is provided with a gas supply part. The upper part is opposite to the gas supply part and defines a flat phase plane used to make the diffusion space of the treatment gas along the transverse diffusion. The gas supply path forming part forms a supply path of the treatment gas; the concave part is arranged around the central part of the opposite surface; and the gas dispersion part forms a plurality of gas ejection ports along the circumference of the gas dispersion part to form a supply path from the gas dispersion part. The processing gas supplied by the diameter is transversely dispersed into the diffusion space, and a plurality of gas dispersing parts are arranged around the central part of the phase plane, and each gas dispersing part is arranged in the concave part in a manner that does not protrude from the phase plane.

【技术实现步骤摘要】
气体处理装置
本专利技术涉及一种用于在设为真空气氛的处理容器内对基板进行气体处理的气体处理装置。
技术介绍
作为对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行的气体处理，有时例如使用利用ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)进行的成膜。在该ALD中，将向晶圆的表面吸附的原料气体以及与该原料气体发生反应的反应气体交替地向设为真空气氛的处理容器内地供给多次，使反应生成物的原子层堆积在晶圆的表面来进行成膜。在供给原料气体的时间段与供给反应气体的时间段之间供给吹扫气体。关于进行该ALD的成膜装置，需要构成为在晶圆的面内以均匀性高的膜厚成膜。作为应对这样的要求的装置，例如在专利文献1中示出一种在与晶圆的载置台相向的相向面具备多个气体供给部的装置。各气体供给部分别在周向上具备用于喷出各气体的喷出口，由此使气体在载置台的上方划分出的扩散空间中沿横向扩散。将像这样扩散后的气体以喷淋状从喷出口供给到晶圆，该喷出口在形成扩散空间的底部的板具有多个开口。专利文献1：日本特开2014-70249号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题探讨进一步提高上述的晶圆的面内的膜厚均匀性，为此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体处理装置，对真空气氛的处理室内的基板供给处理气体来进行处理，所述气体处理装置的特征在于，具备：载置部，其设置于所述处理室，用于载置所述基板；气体供给部，其位于所述载置部的上方侧且构成所述处理室的顶部，并且形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个第一气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从所述气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使所述处理气体沿横向扩散的第一扩散空间的平坦的相向面，并且所述气体供给路径形成部形成所述处理气体的供给路径；凹部，其围绕所述相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从所述供给路径供给的所述处理气体沿横向分散到所...

【技术特征摘要】
2017.07.24 JP 2017-1428381.一种气体处理装置，对真空气氛的处理室内的基板供给处理气体来进行处理，所述气体处理装置的特征在于，具备：载置部，其设置于所述处理室，用于载置所述基板；气体供给部，其位于所述载置部的上方侧且构成所述处理室的顶部，并且形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个第一气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从所述气体供给部的上方与该气体供给部相向且界定用于使所述处理气体沿横向扩散的第一扩散空间的平坦的相向面，并且所述气体供给路径形成部形成所述处理气体的供给路径；凹部，其围绕所述相向面的中央部设置；以及气体分散部，沿该气体分散部的周向形成有多个气体喷出口以使从所述供给路径供给的所述处理气体沿横向分散到所述第一扩散空间，并且围绕所述相向面的中央部设置有多个所述气体分散部，各个所述气体分散部分别以不从该相向面突出的方式设置在所述凹部内。2.根据权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于，所述气体供给路径形成部具备：第二气体供给口，该第二气体供给口在所述相向面的中央部朝向下方形成有开口；以及共用流路，其设置为由所述供给路径和第二气体供给口共用且从上游侧供给所述处理气体，以向所述供给路径和所述第二气体供给口导入所述处理气体。3.根据权利要求2所述的气体处理装置，其特征在于，设置有多个所述第二气体供给口，以将所述处理气体以喷淋状向所述第一扩散空间供给，所述气体供给路径形成部针对各第二气体供给口具备共用的第二气体扩散空间，以使所述处理气体沿横向扩散来向所述第二气体供给口供给，所述共用流路用于向所述供给路径和所述第二气体扩散空间供给所述处理气体。4.根据权利要求2或3所述的气体处理装置，其特征在于，所述第一气体供给口与所述第二气体供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：神尾卓史，布重裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP