等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术的各个方面和实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
一直以来，已知有对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置，为了高精度地进行被处理体的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋入有温度调节用的加热件。加热件需要供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热件供给电力(例如参照下述专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-1688号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，在载置台的外周区域设置供电端子的情况下，由于在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，因此载置台的径向的尺寸变大。等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环，但是，当载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和设置有供电端子的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度分布容易产生不均匀。另外，为了在载置台设置供电端子，需要形成用于使供电端子从载置台的背面通过的贯通孔，形成有该贯通孔的部分成为使来自被处理体的热传导局部地变差，热的均匀性降低的不同部分。由此，被处理体的周向上的温度分布容易产生不均匀。等离子体处理装置中，当被处理体或聚焦环的温度分布产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性降低。用于解决问题的技术方案公开的等离子体处理装置在一个实施方式中，包括第一部件、片部件和第二部件。第一部件在与载置面相反的背面侧的与载置面对应的范围内形成有凹部，其中，载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体。片部件形成为片状，且设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，片部件以加热件位于凹部的内部的与载置面对应的区域且引出配线位于凹部的侧面的方式配置在凹部内。第二部件与配置了片部件的凹部嵌合。专利技术的效果根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，起到能够对被处理体的等离子体处理的面内均匀性的降低进行抑制的效果。附图说明图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的概略截面图。图2是表示第一载置台和第二载置台的要部结构的一个例子的概略截面图。图3是表示片部件的要部结构的一个例子的概略平面图。图4是表示配置有加热件的区域的一个例子的概略平面图。图5是表示片部件的截面的一个例子的概略截面图。图6是表示第二部件的要部结构的一个例子的概略立体图。附图标记说明1处理容器2第一载置台2a载置面4RF板5聚焦环7第二载置台9聚焦环加热件9a加热件9b绝缘体9d载置面10等离子体处理装置20第一部件20a绝缘体20b电极20c平面部20d凸缘部21片部件21a圆形部分21b配线部21c加热件21c1底部加热件21c2调整加热件21d引出配线22第二部件22d制冷剂流路22e面22f贯通孔24凹部24a底面24b侧面W晶片。具体实施方式以下，参照附图详细说明本申请公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。另外，本专利技术不限于本实施方式的公开内容。各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。[等离子体处理装置的结构]首先，说明实施方式的等离子体处理装置10的概略结构。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的概略截面图。等离子体处理装置10被气密地构成，具有被设为电接地电位的处理容器1。该处理容器1为圆筒状，例如由表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。处理容器1中划分有用于生成等离子体的处理空间。处理容器1内收纳有水平支承作为被处理体(work-piece：工件)的半导体晶片(以下仅称为“晶片”。)W的第一载置台2。第一载置台2为在上下方向上朝向底面的大致圆柱状，上侧的底面为用于载置晶片W的载置面2a。第一载置台2的载置面2a为与晶片W相同程度的尺寸。第一载置台2包括第一部件20、片部件21和第二部件22。第一部件20为上表面平坦的圆盘状，该上表面为用于载置晶片W的载置面2a。第一部件20具有绝缘体20a和电极20b。电极20b设置在绝缘体20a的内部，电极20b通过未图示的供电机构与直流电源12连接。从直流电源12对电极20b施加直流电压，由此第一部件20通过库仑力吸附晶片W。即，第一部件20具有吸附晶片W的静电吸盘的作用。第二部件22包含导电性的金属，例如铝等。第二部件22作为支承第一部件20的基座发挥作用，并且作为下部电极发挥作用。第二部件22由导电性部件的RF板4支承。RF板4由绝缘层的支承台23支承。支承台23设置在处理容器1的底部。另外，在第一部件20与第二部件22之间设置有片部件21。片部件21设置有加热件，经由后述的供电机构被供给电力，控制晶片W的温度。第一载置台2沿外周面在周围设置有第二载置台7。第二载置台7形成为内径比第一载置台2的外径大规定尺寸的圆筒状，与第一载置台2同轴地配置。第二载置台7的上侧的面为载置环状的聚焦环5的载置面9d。聚焦环5例如由单晶硅形成，载置在第二载置台7。第二载置台7包括基座8和聚焦环加热件9。基座8例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。基座8由RF板4支承。聚焦环加热件9由基座8支承。聚焦环加热件9形成上表面是平坦的环状的形状，该上表面为用于载置聚焦环5的载置面9d。聚焦环加热件9具有加热件9a和绝缘体9b。加热件9a设置在绝缘体9b的内部，内置于绝缘体9b中。加热件9a经由未图示的供电机构被供给电力，控制聚焦环5的温度。这样，晶片W的温度和聚焦环5的温度由不同的加热件独立地控制。RF板4与供电棒50连接。供电棒50经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，并且还经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a是等离子体发生用的电源，从该第一RF电源10a将规定频率的高频电力供给到第一载置台2的第二部件22。另外，第二RF电源10b是离子引入用(偏置用)的电源，从该第二RF电源10b将比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力供给到第一载置台2的第二部件22。在第二部件22的内部形成有制冷剂流路22d。制冷剂流路22d的一个端部与制冷剂入口配管22b连接，另一个端部与制冷剂出口配管22c连接。另外，在基座8的内部形成有制冷剂流路7d。制冷剂流路7d的一个端部与制冷剂入口配管7b连接，另一个端部与制冷剂出口配管7c连接。制冷剂流路22d位于晶片W的下方，具有吸收晶片W的热的作用。制冷剂流路7d位于聚焦环5的下方，具有吸收聚焦环5的热的作用。等离子体处理装置10使制冷剂例如冷却水等分别在制冷剂流路22d和制冷剂流路7d之中循环，由此能够单独地控制第一载置台2和第二载置台7的温度。此外，等离子体处理装置10构成为能够向晶片W、聚焦环5的背面侧供给冷热传递用气体来单独地控制温度。例如，以贯通第一载置台2等的方式，设置用于向晶片W的背面供给氦气等的冷热传递用气体(背面侧气体)的气体供给管。气体供给管与气体供给源连接。通过这些结构，将吸附保持在第一载置台2的上表面的晶片W控制为规定温度。另一方面，在第一载置台2的上方以与第一载置台2平行相对的方式设置有具有作为上部电极的作用的喷淋头16。喷淋头16和第一载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：第一部件，其在与载置面相反的背面侧的与所述载置面对应的范围内形成有凹部，其中，所述载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体；片部件，其形成为片状，设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，所述片部件以所述加热件位于所述凹部的内部的与载置面对应的区域且所述引出配线位于所述凹部的侧面的方式配置在所述凹部内；和第二部件，其与配置了所述片部件的所述凹部嵌合。

【技术特征摘要】
2017.08.09 JP 2017-1547461.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：第一部件，其在与载置面相反的背面侧的与所述载置面对应的范围内形成有凹部，其中，所述载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体；片部件，其形成为片状，设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，所述片部件以所述加热件位于所述凹部的内部的与载置面对应的区域且所述引出配线位于所述凹部的侧面的方式配置在所述凹部内；和第二部件，其与配置了所述片部件的所述凹部嵌合。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二部件在与所述凹部的侧面相对的面形成有连通到与所述凹部相反的背...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泉克之，高桥雅典，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP