包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件及半导体处理设备制造技术

本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。

【技术实现步骤摘要】
包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件及半导体处理设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0100457的优先权，其全部公开内容通过引用方式并入本文。
本专利技术构思一般来说涉及半导体处理设备，更具体地说，涉及离子注入半导体制造处理设备。
技术介绍
为了制造半导体器件，可以将离子注入到晶圆中以改变晶圆内的半导体区域的物理性质。离子注入工艺可以包括产生离子束并将其加速以撞击到晶圆上。在执行离子注入工艺的同时，可以将晶圆固定至诸如静电卡盘的晶圆卡盘。在离子注入工艺中使用的常规晶圆卡盘可能难以均匀地加热具有增大的直径的晶圆。
技术实现思路
根据本专利技术构思的实施例可以提供包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件。根据这些实施例，一种晶圆支撑组件可以包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其中所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。在一些实施例中，一种晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘可以包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述第二表面具有小于所述第一表面的宽度的宽度。边缘遮挡结构可以具有与所述边缘区域重叠的遮挡主体。在一些实施例中，一种半导体处理设备可以包括处理室和设置在所述处理室内的晶圆支撑组件。所述晶圆支撑组件可以包括：支撑主体；卡盘支撑件，其连接到所述支撑主体，所述卡盘支撑件具有旋转轴；以及晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘。所述第二表面可以与所述第一表面相对，并且所述第二表面可以耦接到所述卡盘支撑件。边缘遮挡结构可以包括覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分的遮挡主体。附图说明当结合附图来理解时，根据以下的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他的方面、特征和优点，在附图中：图1示出了根据示例实施例的离子注入设备的示图；图2A、图2B和图2C是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的纵向截面图；图3A是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的晶圆卡盘的平面图；图3B是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的平面图；图4是图2B的部分A的放大图；图5A是图4的部分B的放大图；图5B是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的修改示例的放大图；图6A是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的另一修改示例的放大图；图6B是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的另一修改示例的放大图；图7是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的修改示例的纵向截面图；以及图8A和图8B是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的其他修改示例的平面图。具体实施方式在下文中参照附图来充分地描述本专利技术主题的实施例，在附图中，显示了本专利技术主题的实施例。然而，本专利技术主题可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为受限于本文阐述的实施例。相反地，提供这些实施例是为了使本公开内容将是透彻和完整的，并且将本专利技术主题的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿全文，相似的数字指代相似的元件。将参照图1来描述根据本专利技术构思的示例实施例的离子注入设备。图1是根据示例实施例的包括晶圆支撑组件的离子注入设备(下文中有时一并称为“离子注入设备”)的示图。参照图1，根据示例实施例的离子注入设备1可以包括：晶圆传送设备10；处理室50，其设置在晶圆传送设备10的一侧；晶圆支撑组件100，其设置在处理室50内；离子源单元60，其产生离子；以及离子束线70，其加速由离子源单元60产生的离子以产生离子束75，并将离子束75发射到晶圆支撑组件100。晶圆传送设备10可以传送晶圆，以在处理室50内注入离子，或者可以从处理室50移除注入了离子的晶圆。例如，晶圆传送设备10可以包括：片盒台15；待用传送单元20，其设置在片盒台15的一侧；负载锁定室25，其设置在待用传送单元20的一侧；以及中间传送室30，其设置在负载锁定室25的一侧，如图1中所示(但是可以在根据本专利技术构思的实施例中使用其他布置)。待用传送单元20可以包括第一机器臂22，所述第一机器臂22可以将片盒台15内的晶圆W传送到负载锁定室25中，或者可以将负载锁定室25内的晶圆W传送到片盒台15中。中间传送室30可以与处理室50紧密接触，或者可以与处理室50连接。中间传送室30可以包括第二机器臂32，所述第二机器臂32可以将负载锁定室25内的晶圆传送到处理室50中，或者可以将处理室50内的注入了离子的晶圆W传送到负载锁定室25。在示例实施例中，晶圆传送设备10可以包括设置在中间传送室30的一侧的预加热台40。为了执行离子注入工艺，处理室50内的晶圆W可以被预加热台40预加热，被装载到处理室50中，并被放置在处理室50内的晶圆支撑组件100上。预加热台40可以减少在晶圆支撑组件100中加热晶圆W所需的时间，从而降低离子注入工艺时间。结果，生产率可增加。图2A、图2B和图2C是示出了晶圆支撑组件100的纵向截面图。参照图2A、图2B和图2C，晶圆支撑组件100可以包括：晶圆卡盘110，其包括彼此相对的第一表面110a和第二表面110b；以及耦接到晶圆卡盘110的边缘遮挡结构150。晶圆支撑组件100可以包括卡盘支撑件180和支撑主体185，所述卡盘支撑件180连接到晶圆卡盘110的第二表面110b的一部分以支撑晶圆卡盘110，所述支撑主体185布置在卡盘支撑件180下方并连接到卡盘支撑件180。卡盘支撑件180可以具有连接到支撑主体185的旋转轴180x。为了执行离子注入工艺，由中间传送室30内的第二机器臂32从中间传送室30传送到处理室50中的晶圆W可以放置在升降销140上，升降销140通过穿过晶圆卡盘110的升降销孔140H移动到晶圆卡盘110的上部。如图2A中所示，放置在升降销140上的晶圆W可以放置在晶圆卡盘110的第一表面110a上，其中升降销140陷入升降销孔140H中，如图2B中所示。晶圆卡盘110可以是包括加热构件130(例如加热线圈等)和气体通道120的静电卡盘。晶圆W可以固定到晶圆卡盘110的第一表面110a。晶圆卡盘110可以具有从第一表面110a向第二表面110b变窄的宽度。例如，晶圆卡盘110可以具有倾斜的侧表面，使得晶圆卡盘110的宽度可以从第一表面110a向第二表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆支撑组件，包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对；以及边缘遮挡结构，其覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，所述边缘遮挡结构具有遮挡主体，所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。

【技术特征摘要】
2017.08.08 KR 10-2017-01004571.一种晶圆支撑组件，包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对；以及边缘遮挡结构，其覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，所述边缘遮挡结构具有遮挡主体，所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。2.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述遮挡主体包括下部区域和设置在所述下部区域上的上部区域，并且所述上部区域具有小于所述下部区域的宽度的宽度。3.根据权利要求2所述的晶圆支撑组件，其中，所述下部区域具有面向所述晶圆卡盘的所述中央区域的下部内表面，并且所述上部区域包括包含上部内表面的所述倾斜侧表面，所述上部内表面具有不同于所述下部内表面的斜率的斜率。4.根据权利要求3所述的晶圆支撑组件，其中，所述下部内表面垂直于所述下部区域的下表面，并且所述上部内表面与所述上部区域的最上表面形成钝角，以形成所述倾斜侧表面。5.根据权利要求4所述的晶圆支撑组件，其中，所述钝角大于或等于135°并且小于180°。6.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述边缘遮挡结构还包括连接器，所述连接器连接到所述遮挡主体并耦接到所述晶圆卡盘的所述第二表面。7.根据权利要求6所述的晶圆支撑组件，其中，所述遮挡主体被分成多个遮挡主体，并且所述连接器包括连接到所述遮挡主体的连接支撑部分和耦接到所述晶圆卡盘的所述第二表面的驱动马达，所述驱动马达被构造为移动所述连接支撑部分朝向/远离所述中央区域，所述遮挡主体能够与所述连接支撑部分一起移动。8.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述晶圆卡盘具有从所述第一表面向所述第二表面变窄的宽度。9.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述晶圆卡盘是在其中包括加热构件和气体通道的静电卡盘。10.一种晶圆支撑组件，包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述第二表面具有小于所述第一表面的宽度的宽度；以及边缘遮挡结构，其具有与所述边缘区域重叠的遮挡主体。...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋炫彻，金泰坤，崔庆寅，崔善洪，崔韩梅，韩尚勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR