【技术实现步骤摘要】
质谱仪
本专利技术涉及一种质谱仪。
技术介绍
离子阱质谱仪最初是模拟电子技术方式的,例如四极杆离子阱质谱仪。驱动离子阱的电压信号是模拟信号方式的,是交流变化的电压信号。这种质谱仪的测量范围和测量精度也是很高的。上个世纪七十年代,随着数字电子技术的逐渐兴起,数字离子阱质谱仪逐渐兴起。由于半导体技术的制约,数字离子阱质谱仪一直处在实验研究的阶段,并没有形成一个稳定的市场。目前数字离子阱普遍采用的是2000V的高电压开关驱动方式,这种方法的EMC和EMI干扰很强,经常引起自身电子电路和周围其它电子仪器的故障,而且这种高压电子开关经常损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:为解决以上问题提供一种运行可靠的、使用寿命长的、功能更强大的质谱仪。本专利技术采用的技术方案是这样的:一种质谱仪,包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱,所述控制器与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器连接,功率放大器接变压器初级的A引脚,功率MOSFET的一端连接到变压器的初级的B引脚,功率MOSFET另一端连接到直流电源地,功率MOSFET的控制端连接到控制器,离子状态控制装置与控制器相连接,离子状态控制装置与离子选择装置相连接,离子选择装置与离子阱相连接,离子状态控制装置与离子阱相连接。进一步地,所述控制器为DSP或MCU或FPGA。进一步地,所述变压器可由互感线圈替换。综上所述,由于采用上述技术方案,本专利技术的有益效果是:本专利技术采用脉冲方波数字方式的离子阱驱动电压,由于脉冲方波的占空比是 ...
【技术保护点】
1.一种质谱仪,包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱,其特征在于:所述控制器与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器连接,功率放大器接变压器初级的A引脚,功率MOSFET的一端连接到变压器的初级的B引脚,功率MOSFET另一端连接到直流电源地,功率MOSFET的控制端连接到控制器,离子状态控制装置与控制器相连接,离子状态控制装置与离子选择装置相连接,离子选择装置与离子阱相连接,离子状态控制装置与离子阱相连接。
【技术特征摘要】
1.一种质谱仪,包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱,其特征在于:所述控制器与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器连接,功率放大器接变压器初级的A引脚,功率MOSFET的一端连接到变压器的初级的B引脚,功率MOSFET另一端连接到直流电...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙延锋,姜杰,顾大伟,
申请(专利权)人:天源华威集团有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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