基板处理装置、基板处理方法以及存储介质制造方法及图纸

提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。在将作为基板的晶圆(W)载置于热板(23)来进行加热处理时，利用检测模块(11)来检测晶圆(W)的变形，所述热板(23)具备沿周向设定的多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。而且，基于该检测结果，利用检测模块(11)来调整晶圆(W)的周向上的朝向，之后将该晶圆(W)搬送到加热模块(12)来进行规定的加热处理。因而，即使晶圆(W)发生相对于与该晶圆(W)的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制晶圆(W)中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，容易使加热控制区域的温度控制反映到晶圆温度中，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。

Baseboard processing device, baseboard processing method and storage medium

A technique is provided to improve the uniformity of in-plane heating treatment of a substrate. When a wafer (W) as a substrate is placed on a hot plate (23) for heating treatment, a detection module (11) is used to detect the deformation of the wafer (W). The hot plate (23) has a plurality of heating control areas set along the circumference, and each heating control area is controlled independently. Furthermore, based on the test results, the orientation of the wafer (W) is adjusted by the detection module (11), and then the wafer (W) is transferred to the heating module (12) for the specified heating treatment. Thus, even if the height of the wafer (W) is different from that of the plane orthogonal to the central axis of the wafer (W), the region with large deformation in the wafer (W) can be suppressed and placed at the boundary of multiple heating control regions. Therefore, it is easy to reflect the temperature control in the heating control area to the wafer temperature, which can improve the uniformity of the heating treatment in the wafer surface.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
本专利技术涉及一种将基板载置于载置部来进行加热处理的技术。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在基板、例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)形成涂布膜之后，将晶圆载于设置有加热器的载置台来进行加热处理。为了提高晶圆面内的加热处理的均匀性，期望载置于载置台的晶圆与载置台表面之间的距离一致。另外，由于存储单元的多层化，产生了加热处理前的晶圆变形为特异的形状的例子。所谓特异的形状并不是指晶圆变形为同心圆状的凸型、凹型，而是指与晶圆的中心轴正交的面的高度在周向上不同的形状，例如鞍型形状。在今后，层叠化会进一步发展，预测晶圆的变形量(翘曲量)会比目前大。因此，在进行加热处理时，晶圆与载置台表面之间的距离不一样，具有晶圆温度的面内均匀性变差的担忧。进行加热处理的加热模块构成为，将晶圆的被加热区域分割为多个被加热区域，针对各分割区域分别设置加热器，对各加热器独立地进行发热控制。作为调整加热器的控制系统的参数的方法，已知如专利文献1所记载那样的方法，在该方法中，进行控制以使在多个测量点测量载置台(热板)的温度时所得的各测量温度与各目标温度一致。然而，在晶圆与载置台表面之间的距离在周向上不同的情况下，例如若载置台表面与晶圆之间的距离大的部位载置于多个分割区域间的边界，则即使控制加热器也难以使加热器的热传递到晶圆，因此难以将加热器的热反映到晶圆温度中。因而，为了进行面内均匀性良好的加热处理，需要进一步的改善。专利文献1：日本专利第4391518号
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。用于解决问题的方案因此，本专利技术的基板处理装置将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。另外，本专利技术的基板处理方法的特征在于，包括以下工序：检测基板的变形，该基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同；使用沿载置部的周向设定的多个加热控制区域，基于通过所述检测基板的变形的工序得到的检测结果，来调整相对于所述多个加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，各加热控制区域用于对载置于载置部的基板进行加热，且各加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及在调整了所述基板的周向上的相对朝向的状态下对基板进行加热处理。并且，本专利技术的存储介质存储有在将基板载置于载置部来进行加热处理的基板处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，所述计算机程序中编入有步骤组，以实施本专利技术的基板处理方法。专利技术的效果本专利技术在将基板载置于具备多个加热控制区域的载置部来进行加热处理时，基于关于基板的变形的检测结果来调整相对于多个加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，其中，沿载置部的周向设定有多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。因而，即使基板发生相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制基板中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，能够将加热控制区域的温度控制容易地反映到基板温度中，能够改善基板面内的加热处理的均匀性。附图说明图1是表示基板的变形的一例的立体图。图2是表示基板处理装置的第一实施方式的结构图。图3是表示设置于基板处理装置的加热模块的纵剖截面图。图4是表示设置于加热模块的热板的俯视图。图5是表示设置于基板处理装置的检测模块的纵剖截面图。图6是表示设置于基板处理装置的控制部的结构图。图7是表示第一实施方式的基板处理方法的流程图。图8是表示基板的在周向上的位置与距离(变形量)之间的关系的特性图。图9是用于说明本专利技术的作用的概要俯视图。图10是表示晶圆的翘曲量(变形量)、晶圆温度以及校正温度之间的关系的特性图。图11是表示基板处理装置的第二实施方式的热板的俯视图。图12是表示基板处理装置的第二实施方式的热板的概要俯视图。图13是表示第二实施方式的基板处理方法的流程图。图14是表示应用了基板处理装置的涂布显影装置的概要立体图。图15是表示涂布显影装置的俯视图。具体实施方式(第一实施方式)参照图1～图10来说明本专利技术的基板处理装置的第一实施方式。如图1所示，本专利技术的作为基板处理的对象的晶圆W变形为相对于与晶圆W的中心轴正交的面的高度在周向上不同的形状。图1的(a)示出无变形(无翘曲)的晶圆W，例如将该晶圆W的表面设为与晶圆W的中心轴C正交的水平面A。图1的(b)为变形的一例，例如示出变形为相对于水平面A的高度低的区域与相对于水平面A的高度高的区域沿周向交替地排列的形状、比如说鞍型形状的状态。由于存储单元的多层次化，晶圆W在加热处理之前变形为鞍型形状的例子有增加的趋势。如图2所示，本专利技术的基板处理装置1具备：加热模块11，其将晶圆W载置于载置部来进行加热处理；检测模块12；搬送机构13，其在检测模块12与加热模块11之间搬送晶圆W；以及控制部14。该例的检测模块12兼作后述的调整部以及用于检测晶圆W的周向上的变形的检测部。另外，在该例中，检测部相当于获取与基板的变形有关的信息的变形信息获取部的一个方式。搬送机构13例如构成为保持晶圆W的背面侧的保持构件131升降自如、进退自如、在水平方向上移动自如。图3为表示加热模块11的一例的纵剖侧视图。加热模块11具备壳体21，图中22为设置于壳体21的晶圆W的搬送口。图中23为表面被加热的水平的热板，并且兼作晶圆W的载置部。图中24为设置于热板23的表面的多个支承销，晶圆W被载置在支承销24上，以从热板23的表面稍微浮起的状态被加热。图中25为用于载置加热后的晶圆W并对该晶圆W进行冷却的冷却板，通过移动机构26在图3所示的热板23的外侧的待机位置与热板23上的位置之间水平地移动，来实现搬送机构13与热板23之间的交接。具体地说，搬送机构13相对于图3所示的待机位置处的冷却板25进行升降，在该搬送机构13与冷却板25之间进行晶圆W的交接。另外，当冷却板25移动到热板23的上方侧时，通过相配合地进行设置于热板23的未图示的升降销的升降和冷却板25的移动，来在冷却板25与热板23之间进行晶圆W的交接。参照图4的俯视图来进一步详细地说明热板23。在俯视观察时，在热板23且互不相同的区域中埋设有各加热器31～35。在图4中，作为一例，示出在五个区域设置各加热器31～35的结构，设置各加热器31～35的区域相当于加热控制区域H1～H5。换言之，以将热板23的表面分割为五个加热控制区域H1～H5的方式进行了设定，且针对每个加热控制区域H1～H5设置加热器31～35，各加热控制区域H1～H5被相独立进行温度控制。此外，为了便于图示，将加热器31～35以与加热控制区域H1～H5相同的大小示出。在该例中，将沿热板23的周向的四个区域分配为各加热控制区域H1～H4，并且将热板23的中央区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.27 JP 2016-1263001.一种基板处理装置，将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备变形信息获取部，所述变形信息获取部获取所述与基板的变形有关的信息。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述变形信息获取部为用于检测所述基板的变形的检测部。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载置部兼作热板，被沿周向配置的多个加热器进行加热。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部为在将基板载置于载置部之前基于所述与基板的变形有关的信息来调整该基板的朝向的机构。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部为基于所述与基板的变形有关的信息来调整多个所述加热控制区域的在周向上的排列的机构。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整部包括：多个加热机构，所述多个加热机构沿载置部的周向配置；以及开关部，其从所述多个加热机构中选择与各加热控制区域对应的加热机构的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：三坂晋一朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP