处理装置以及具有扩散路径的构件制造方法及图纸

一种处理装置以及具有扩散路径的构件，其目的在于在处理室中消除气体排出的偏差。提供一种处理装置，具有：反应容器，其用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理；以及具有扩散路径的构件，其在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与排气口连通，在所述具有扩散路径的构件与所述反应容器之间形成有开口部，该开口部将该扩散路径与所述处理室的空间连通，该开口部越靠近所述排气口则开口面积越小。

Processing device and components with diffusion path

A processing device and a component with a diffusion path are designed to eliminate the deviation of gas discharge in a processing chamber. Provided is a processing device having: a reaction vessel for inflowing gas flow and performing prescribed treatment through a treatment chamber; and a component having a diffusion path, which is connected with an exhaust port where the diffusion path is formed on the side or bottom wall of the reaction vessel, and an opening is formed between the component having a diffusion path and the reaction vessel. The opening connects the diffusion path with the space of the processing chamber, and the closer the opening is to the exhaust port, the smaller the opening area is.

【技术实现步骤摘要】
处理装置以及具有扩散路径的构件
本专利技术涉及一种处理装置以及具有扩散路径的构件。
技术介绍
在半导体制造工艺中，包括以下工序：将被处理基板例如半导体晶元(以下简称为“晶元”)的表面上形成的抗蚀膜用作掩膜，在对晶元上的规定的膜选择性地进行了蚀刻之后通过灰化(ashing)来去除抗蚀膜。作为进行灰化处理的装置，提出了一种具有等离子体生成室和处理室的等离子体处理装置，该等离子体生成室用于从气体生成等离子体，该处理室隔着隔板构件来与等离子体生成室连通，主要使用等离子体的自由基(radical)进行灰化(例如，参照专利文献1)。隔板构件具有多个贯通孔，由石英等构成，如以下那样发挥功能：通过将隔板构件的电位例如调整为接地电平，将在等离子体生成室中生成的等离子体的离子吸引并捕获，使自由基从多个贯通孔通过到处理室。处理室内的气体从设置于处理室的排气口被排出到外部。此时，当与排气口的位置相应地处理室内的气体的排出产生了偏差(日语：偏り)时，灰化率等晶元的处理的特性受到气体排出的偏差的影响，对晶元进行的灰化处理等期望的处理的均匀性变差。因此，为了抑制发生气体排出的偏差，提出了一种设置环状的整流板的方法(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2009-16453号公报专利文献2：日本特开2017-28099号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，即使在气体的排出空间设置了整流板，由于在气体的排出口的附近气体的吸气强，用整流板的话难以消除处理室内的气体的排出的偏差。针对上述问题，在一个方面，本专利技术的目的在于消除处理室中的气体的排出的偏差。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种处理装置，具有：反应容器，其用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理；以及具有扩散路径的构件，其在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与排气口连通，在所述具有扩散路径的构件与所述反应容器之间形成有开口部，该开口部将该扩散路径与所述处理室的空间连通，该开口部越靠近所述排气口则开口面积越小。另外，根据其它方式，提供一种具有扩散路径的构件，其安装于用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理的反应容器，该具有扩散路径的构件在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与排气口连通，在所述具有扩散路径的构件与所述反应容器之间形成有开口部，该开口部将该扩散路径与所述处理室的空间连通，该开口部沿周向倾斜地形成，该开口部越靠近所述排气口则开口越小。专利技术的效果根据一个方面，能够消除处理室中的气体的排出的偏差。附图说明图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的一例的图。图2是表示一个实施方式所涉及的隔板构件的一例的图。图3是表示比较例1所涉及的等离子体处理装置的结构的一例的图。图4是表示比较例2所涉及的等离子体处理装置的结构的一例的图。图5是表示一个实施方式所涉及的处理室的压力分布的仿真结果的一例的图。图6是表示一个实施方式所涉及的处理室的压力分布的仿真结果的一例的图。图7是表示一个实施方式所涉及的处理室的压力分布的仿真结果的一例的图。图8是表示气体的流动与克努森数的关系的图。附图标记说明10：等离子体处理装置；102：处理室；104：等离子体生成室；105：加热器；106：载置台；107：盖体；110：反应容器；116：回流防止壁部；118：高频电源；119：线圈；120：气体供给部；121、122：气体配管；123：气体扩散路径；126：排气口；128：排气装置；130：闸阀；134：衬垫；135：扩散路径；136：开口部；140：隔板构件；144：贯通孔。具体实施方式下面，参照附图来说明用于实施本专利技术的方式。此外，在本说明书和附图中，关于实质相同的结构，通过标注相同的标记，来省略重复的说明。[等离子体处理装置的结构例]首先，参照图1来说明本专利技术的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置10的结构的一例。图1表示本专利技术的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置10的结构的一例。等离子体处理装置10进行使晶元W上形成的被蚀刻对象膜上的光致抗蚀膜灰化来将其去除的灰化处理等等离子体处理。等离子体处理装置10是用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理的处理装置的一例。等离子体处理装置10具有用于进行晶元W的处理的处理室102以及与处理室102连通并用于使气体激发来生成等离子体的等离子体生成室104。等离子体生成室104隔着隔板构件140设置在处理室102的上方，通过感应耦合等离子体(ICP：InductivelyCoupledPlasma)方式从气体生成等离子体。等离子体生成室104和处理室102具有例如由铝等金属形成的大致圆筒状的反应容器110。反应容器110的上部被由石英、陶瓷等绝缘构件材料形成的大致圆盘状的盖体107封闭为气密。气体流路122设置于反应容器110。气体从气体供给部120经由气体配管121和气体流路122流动到在盖体107的外周端部沿周向形成为环状的气体扩散路径123，并从气体流入口113被导入到等离子体生成室104的内部空间。气体供给部120具备用于对气体进行开闭的开闭阀、用于控制气体的流量的质量流量控制器等。在本实施方式中，例如，列举从气体供给部120供给氢(H2)气与氩(Ar)气的混合气体的例子来进行说明，但是气体的种类不限于此。在反应容器110的上部缠绕有作为天线构件的线圈119。线圈119与高频电源118连接。高频电源118输出频率为300kHz～60MHz的电力来供给到线圈119。由此，在等离子体生成室104内形成感应磁场，被导入到等离子体生成室104内的气体被激发从而生成等离子体。在处理室102内设置有用于载置晶元W的载置台106。载置台106由设置于处理室102的底部的支承构件108支承。载置台106例如由被进行过阳极氧化(alumite)处理的铝形成。在载置台106内埋设有用于对晶元W进行加热的加热器105，加热器105通过从加热器电源138被供电来将晶元W加热到规定的温度(例如300℃)。此时的温度也可以是晶元W上的被蚀刻对象膜不受到大的损伤的程度的温度、例如250℃～400℃左右的范围。在处理室102的内侧设置有用于对处理室102的内壁进行保护的衬垫134。衬垫134例如由铝形成。在衬垫134的内部形成有环状的扩散路径135。环状的扩散路径135设置于比载置台106靠下侧的位置，与沿横向延伸的排气口126连通。排气口126贯通衬垫134及处理室102的侧壁，并与包括真空泵的排气装置128连接。由此，能够将处理室102和等离子体生成室104内减压至规定的真空度。但是，排气口126不限于在反应容器110的侧壁的形成有扩散路径135的部分形成为横向的结构，也可以在反应容器110的底壁的形成有扩散路径135的部分、也就是说在扩散路径135的正下方形成为向下。另外，排气口126不限于横向地径直贯通的形状，也可以在侧壁处与扩散路径135连通后向下方弯曲并贯通底壁。此外，衬垫134是在反应容器110的侧壁或者底壁的形成有扩散路径135的部分与排气口连通的、具有环状的前述扩散路径135的构件的一例。在衬垫134与反应容器110之间形成有开口部136，该开口部136将扩散路径135与处理室1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理装置，具有：反应容器，其用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理；以及具有扩散路径的构件，其在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与排气口连通，在所述具有扩散路径的构件与所述反应容器之间形成有开口部，该开口部将该扩散路径与所述处理室的空间连通，该开口部越靠近所述排气口则开口面积越小。

【技术特征摘要】
2017.10.19 JP 2017-2024571.一种处理装置，具有：反应容器，其用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理；以及具有扩散路径的构件，其在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与排气口连通，在所述具有扩散路径的构件与所述反应容器之间形成有开口部，该开口部将该扩散路径与所述处理室的空间连通，该开口部越靠近所述排气口则开口面积越小。2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述具有扩散路径的构件为环状。3.根据权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述开口部整周地开口，沿周向倾斜地形成。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置是对被处理体实施基于等离子体的处理的装置。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的处理装置，其特征在于，所述反应容器具有：等离子体生成室，其用于从气体生成等离子体；隔板构件，其形成有多个贯通孔，设置于所述等离子体生成室与所述处理室之间；以及处理室，其用于对载置于载置台的被处理体实施基于等离子体的处理，所述具有扩散路径的构件设置于比所述载置台靠下侧的位置，使从所述等离子体生成室流入且从所述排气口排出的气体通过。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置在根据式(1)计算出的克努森数Kn小于0.1的条件下使...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP