【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术的实施方式涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
技术介绍
一直以来，已知一种技术，其在基片处理装置中，通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行选择性地蚀刻形成在基片上的硅氮化物膜(SiN)和硅氧化物膜(SiO2)之中的硅氮化物膜的蚀刻处理(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-232593号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，在选择性地蚀刻层叠有多层硅氮化物膜和硅氧化物膜的基片中的硅氮化物膜的情况下，随着蚀刻进行，将被蚀刻的硅氮化物膜的成分排出至基片之外的路径变长。因此，在硅氧化物膜之间形成的间隙的磷酸处理液中的硅浓度变高，存在在硅氧化物膜上析出硅氧化物的可能性。实施方式的一个方式的目的在于提供抑制硅氧化物析出的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。用于解决技术问题的技术手段实施方式的一个方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽，其通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理；和控制部，其随着所述蚀刻处理的进展，控制用于对所述磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低所述磷酸处理液的温度。
【技术特征摘要】
2017.10.20 JP 2017-2037241.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽，其通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理；和控制部，其随着所述蚀刻处理的进展，控制用于对所述磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低所述磷酸处理液的温度。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在使所述磷酸处理液的温度降低至处理结束温度后，控制所述温度调节部，来提高所述磷酸处理液的温度。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部随着所述蚀刻处理的进展，控制用于调整所述磷酸处理液中的磷酸浓度的磷酸浓度调节部，来降低所述磷酸浓度。4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：稻田尊士，河野央，大野宏树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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