基板处理装置、基板处理方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
公开的实施方式涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
技术介绍
以往，已知在基板处理装置中，在更换蚀刻液时，为了提高蚀刻液中的硅浓度而将仿真基板组浸在基板处理槽中(参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2015-56631号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述基板处理装置中，搬送仿真基板组并将仿真基板组浸在蚀刻液中，之后取出仿真基板组并对该仿真基板组进行搬送。因此，直到蚀刻液中的硅浓度提高为止的时间变长。即，蚀刻处理时间变长。实施方式的一个方式的目的在于提供一种缩短蚀刻处理时间的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。用于解决问题的方案实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。专利技术的效果根据实施方式的一个方式，能够缩短蚀刻处理时间。附图说明图1是基板处理装置的概要俯视图。图2是表示第一实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的概要框图。图3是说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具备：基板处理槽，其用于利用蚀刻液进行蚀刻处理；混合部，其将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合；以及供给线路，其用于向所述基板处理槽供给通过所述混合部进行混合所得的混合液。

【技术特征摘要】
2017.10.20 JP 2017-203800;2018.09.27 JP 2018-181791.一种基板处理装置，具备：基板处理槽，其用于利用蚀刻液进行蚀刻处理；混合部，其将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合；以及供给线路，其用于向所述基板处理槽供给通过所述混合部进行混合所得的混合液。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板处理槽中，通过第一循环线路使所述蚀刻液循环，所述混合部为贮存所述混合液且通过第二循环线路使所述混合液循环的罐，所述基板处理槽与所述混合部通过供给线路进行连接。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部将在常温下溶解所述含有含硅化合物的液体的溶剂与所述含有含硅化合物的液体混合。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部将纯水与所述含有含硅化合物的液体混合。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部将所述混合液的温度调节成与所述蚀刻液的温度不同的温度。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备硅供给部，该硅供给部向所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，稻田尊士，河野央，藤津成吾，佐藤秀明，小西辉明，盐川俊行，小仓康司，吉田博司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP