本发明提供一种搬送装置的示教方法，能够抑制铅垂方向的示教精度的偏差。在一个实施方式的搬送装置的示教方法中，搬送装置具有：基板保持部，其具备用于通过抽吸来吸附保持基板的抽吸孔；驱动机构，其使基板保持部移动；以及压力检测部，其检测与抽吸孔连...

本发明提供一种基板处理装置与其设置方法以及计算机存储介质。抑制输送时的基板处理装置的高度，且容易地设置输送后的基板处理装置。处理晶圆的基板处理装置具备：装置主体(2)，其对晶圆实施预定的处理；壳体(400)，其收容预定零部件，且相对于装...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜...

本发明提供一种强力地清洗基板的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、第一清洗体、第一移动机构、第二清洗体、第二移动机构以及控制部。保持部保持基板。第一清洗体通过向被保持于保持部的基板的上表面和下表面中的一个...

本发明提供一种激光加工装置和激光加工方法。提供如下激光加工装置：在激光加工装置具有多个移动单元的情况下，能够提高由各移动单元保持的基板的处理精度。一种激光加工装置，其隔开间隔地具多个移动单元，该移动单元包括：基板保持部，其保持基板；驱动...

本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的...

一种制造半导体装置的方法，包括提供在其上具有层状鳍结构的衬底。所述层状鳍结构包括基底鳍部分、设置在所述基底鳍部分上的牺牲部分和设置在所述牺牲部分上的沟道部分。在所述衬底上在所述层状鳍结构上方提供掺杂源膜，并且使掺杂材料从所述掺杂源膜扩散...

一种形成环形栅半导体器件的方法，包括：提供在其上具有层状鳍片结构的衬底，该层状鳍片结构包括沟道部和牺牲部，沟道部和牺牲部各自沿层状鳍片结构的长度延伸，其中层状鳍片结构覆盖有替换栅极材料。在层状鳍片结构上方的替换栅极材料上形成有伪栅极，其...

本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个...

本发明提供能够更可靠地进行晶片的电极与探测器的准确的对位的探测器。探测器使探头与在晶片上形成的电极接触并进行晶片的检查，具备：下部拍摄单元(20)，为了进行电极与探头的相对的对位而拍摄探头；高度检测单元(30)，与下部拍摄单元(20)分...

本公开涉及成膜装置，在向公转的基板供给成膜气体来成膜时，可靠地进行该基板的自转并且抑制用于自转的机构对装置的各部施加的负担。具备：自转轴，其以支承载置基板(W)的载置台(3)的方式自转自如地设置于与旋转台(2)共同旋转的部位；从动齿轮(...

本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体；磁场产生部，...

本发明公开了一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。该蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序...

一种涂敷处理装置和涂敷液捕集构件。提供如下技术：在使供给有高粘度的涂敷液的基板旋转而进行涂敷处理时，对涂敷处理中飞散的涂敷液进行捕集而去除，并且抑制生产率的降低。在使晶圆旋转而涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置中，在沿着杯体的周向设置的排气路...

一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子...

将基板彼此接合的接合装置具有：第一保持部，其对第一基板进行抽真空来将该第一基板吸附保持于所述第一保持部的下表面；第二保持部，其设置于该第一保持部的下方，对第二基板进行抽真空来将该第二基板吸附保持于所述第二保持部的上表面；移动部，其使第一...

将基板彼此接合的接合装置具有：第一保持部，其对第一基板进行抽真空来将该第一基板吸附保持于所述第一保持部的下表面；第二保持部，其设置于该第一保持部的下方，对第二基板进行抽真空来将该第二基板吸附保持于所述第二保持部的上表面；旋转机构，其使第...

本公开内容的实施方案描述了一种用于基于碳的膜的循环蚀刻方法。根据一个实施方案，该方法包括：提供包含基于碳的膜的基底；将基于碳的膜暴露于氧化等离子体，从而在基于碳的膜上形成氧化层；此后，将氧化层暴露于非氧化惰性气体等离子体，从而去除氧化层...

本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及原料气体供给装置。在开始晶圆(100)的处理前进行的模拟制程中，测定载气的实际流量(Ca、Cb)和气化原料的实际流量(Pra、Prb)，求出表示载气与气化原料之间的相关度的校正系数(K0)。而且，...

本实用新型提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使...