半导体装置的制造方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法及基板处理装置。本发明专利技术提供如下技术：在制造半导体装置的制造工序中，在基板上形成用于保护被保护层免受对该基板进行的处理的保护材料、并在处理后去除该保护材料时，能够防止半导体装置的品质下降。将聚合用的原料供给至用于制造半导体装置的基板W的表面，形成由具有脲键的聚合物构成的保护材料(15)，所述保护材料(15)用于保护设置在该基板上的应该保护的被保护层(14)免受对该基板W进行的处理。然后，在基板W的处理后，通过在低氧气氛中对该基板W进行加热而使前述聚合物解聚，从而去除保护材料(15)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及基板处理装置
本专利技术涉及为了制造半导体装置而在基板上形成具有脲键的聚合物后进行处理的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，例如，可在半导体晶片(以下记载为晶片)等基板上形成各种膜。在这些膜中，有如下牺牲膜：其为了保护进行蚀刻等处理之前形成于下层侧的膜而形成于该膜的上侧的、在进行该处理后被去除。该牺牲膜例如由抗蚀剂等的有机膜构成，可通过例如使用有氧的等离子体处理或在比较高的温度下的氧化燃烧来去除。另外，由于在对用作层间绝缘膜的多孔质的低介电常数膜进行蚀刻、灰化等等离子体处理以进行布线的嵌入时会损伤低介电常数膜，因此，为了抑制该损伤，正在研究向孔部嵌入与低介电常数膜不同的材料，在等离子体处理后不再需要时去除该材料(嵌入材料)。具体而言，专利文献1中记载的是，将作为聚合物的PMMA(丙烯酸类树脂)嵌入，并在对低介电常数膜进行蚀刻等处理后去除。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第9,414,445(第2栏第23行～29行、第13栏第51行～53行、权利要求3)
技术实现思路
专利技术要解决的问题虽然如上所述作为有机膜的牺牲膜可通过氧化反应来去除，但担心通过该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：将聚合用的原料供给至用于制造半导体装置的基板的表面，形成由具有脲键的聚合物构成的保护材料的工序，所述保护材料用于保护设置在该基板上的应该保护的被保护层免受对该基板进行的处理；接着，对形成有所述保护材料的所述基板进行所述处理的工序；和，接下来，在低氧气氛中对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚，从而去除所述保护材料的工序。

【技术特征摘要】
2017.10.26 JP 2017-2074281.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：将聚合用的原料供给至用于制造半导体装置的基板的表面，形成由具有脲键的聚合物构成的保护材料的工序，所述保护材料用于保护设置在该基板上的应该保护的被保护层免受对该基板进行的处理；接着，对形成有所述保护材料的所述基板进行所述处理的工序；和，接下来，在低氧气氛中对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚，从而去除所述保护材料的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述保护材料是形成于所述被保护层的上侧的牺牲膜。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述被保护层是构成半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口达也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP