【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0137413的优先权，该韩国申请的全部公开内容以引用的方式合并于本申请中。
本公开涉及可变电阻存储器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件可以分为存储器件和逻辑器件。半导体存储器件包括易失性存储器件和非易失性存储器件。当电源中断时，易失性存储器件丢失存储的数据，而非易失性存储器件即使在电源中断时也可以保留存储的数据。根据对高性能和低功率半导体存储器件日益增加的需求，已经开发了诸如铁电存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)的非易失性存储器件。这种非易失性存储器件的材料具有取决于施加到其上的电流或电压的可变电阻，并且即使在电流或电压供应中断之后也保持均匀的电阻。
技术实现思路
根据示例性实施方式，一种制造可变电阻存储器件的方法，包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向...
【技术保护点】
1.一种制造可变电阻存储器件的方法，包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第一沟槽；在所述加热层上形成可变电阻图案；在所述可变电阻图案上形成第二导电层；以及对所述开关层、所述加热层和所述第二导电层执行第二图案化工艺，以形成沿所述第一方向延伸并且位于所述可变电阻图案之间的第二沟槽。
【技术特征摘要】
2017.10.23 KR 10-2017-01374131.一种制造可变电阻存储器件的方法，包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第一沟槽；在所述加热层上形成可变电阻图案；在所述可变电阻图案上形成第二导电层；以及对所述开关层、所述加热层和所述第二导电层执行第二图案化工艺，以形成沿所述第一方向延伸并且位于所述可变电阻图案之间的第二沟槽。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述加热层包括：在所述开关层上形成包括沿所述第一方向延伸的第三沟槽的第一绝缘层；形成沿所述第三沟槽的底表面和侧表面延伸的导电膜；以及在所述导电膜上形成第二绝缘层以填充所述第三沟槽。3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述第二图案化工艺包括：去除在俯视图中位于所述可变电阻图案之间的所述第三沟槽的底表面上的所述加热层的一部分。4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在形成所述第二绝缘层之前，在所述第三沟槽中形成间隔膜以共形地覆盖所述导电膜。5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述可变电阻图案包括：蚀刻所述第三沟槽中的所述导电膜的上部以形成凹进区域；扩大每个所述凹进区域在所述第二方向上的宽度；以及在所述凹进区域中形成可变电阻材料。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可变电阻图案在所述第二方向上与所述第二沟槽间隔开。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可变电阻图案沿所述第二方向设置在所述加热层的两个端部上。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成第三绝缘层以填充所述第一沟槽；以及形成第四绝缘层以填充所述第二沟槽。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第二导电层之前，在所述可变电阻图案上形成阻挡层。10.一种制造可变电阻存储器件的方法，包括：形成沿第一方向延伸的第一导线；形成沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第二导线；以及形成设置在所述第一导线与所述第二导线之间的相交处的第一存储单元，其中，每个所述第一存储单元包括串联连接在相应的一条所述第一导线与相应的一条所述第二导线之间的第一开关元件、第一中间电极、第一加热图案和第一可变电阻图案，以及其中，所述第一加热图案包括第一底部和第一侧部，所述第一底部电连接到所述第一中间电极并沿所述第一方向延伸，并且所述第一侧部从所述第一底部的端部朝向所述第一可变电阻图案延伸。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：提供覆盖所述第一可变电阻图案的一部分的绝缘层，...
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