The technology generally involves methods for manufacturing CEM conversion devices, providing a CEM layer containing doped metal compounds that are essentially metal-free, in which ions of the same metal element exist in different oxidized states. This method can provide a native CEM layer that can be converted at a working voltage less than 2.0V.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CEM转换装置本公开内容涉及包含关联电子材料(CEM，correlatedelectronmaterial)层的转换装置并且涉及用于制造该装置的方法。在多种多样的电子装置类型(例如计算机、数码相机、蜂窝电话、平板电脑装置、个人数字助手等)中发现了电子转换装置，其中它们可充当存储器和/或逻辑装置。对设计者而言在考虑特别的电子转换装置是否适合于这样的功能时感兴趣的因素可包括物理尺寸、储存密度、工作电压、阻抗范围、和/或功率消耗。其他感兴趣的因素可包括制造成本、制造容易性、可扩展性和/或可靠性。看起来存在朝向表现出更低功率和/或更高速度的存储器和/或逻辑装置的持续提高的驱动力。包含CEM的转换装置处于这种驱动力的最前线，不仅因为它们可表现出低的功率和/或高的速度，而且还因为它们通常是可靠的并且制造容易且便宜。本技术提供用于制造基于含硅的CEM的转换装置的方法。CEM转换装置例如可在存储器和/或逻辑装置中作为关联电子随机存取存储器(CERAM)得到应用，其可与大范围的电子电路类型(例如存储器控制器、存储器阵列、滤波电路、数据转换器、光学仪器、锁相环电路、微波和微米波收发器等...
【技术保护点】
1.CEM转换装置，包含传导基材、传导覆盖层和插入在它们之间的关联电子材料(CEM)层，其中该CEM层包含具有基本上不含金属的掺杂的金属化合物的关联电子材料(CEM)层，其中相同金属元素的离子以不同的氧化态存在。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.09 US 15/260,5151.CEM转换装置，包含传导基材、传导覆盖层和插入在它们之间的关联电子材料(CEM)层，其中该CEM层包含具有基本上不含金属的掺杂的金属化合物的关联电子材料(CEM)层，其中相同金属元素的离子以不同的氧化态存在。2.根据权利要求1的CEM转换装置，其中该金属化合物包含相同金属元素的两种不同离子并且不同的氧化态为+2和+3。3.根据权利要求1的CEM转换装置，其中该金属化合物包含相同金属元素的三种不同离子并且不同的氧化态为+1、+2和+3。4.根据权利要求1的CEM转换装置，其中该金属化合物包含以1:5和5:1之间比率的相同金属元素的两种不同离子。5.根据权利要求1的CEM转换装置，其中该金属化合物包含含有处于氧化态+2和+3的镍离子的镍氧化物。6.根据权利要求5的CEM转换装置，其中该镍氧化物含有处于氧化态+1的镍离子。7.根据任一项前述权利要求的CEM转换装置，其中该CEM层掺杂有提供回馈金属配体的掺杂剂。8.根据任一项前述权利要求的CEM转换装置，其中该CEM层是原生的。9.根据任一项前述权利要求的CEM转换装置，其中该装置的转换电压小于或等于2.0V。10.根据任一项前述权利要求的CEM转换装置，其中该金属化合物是d-区或f-区元素的化合物...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·G·瑞德，L·施弗仁，C·P·D·阿劳乔，J·赛林斯卡，
申请(专利权)人：阿姆有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB
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