可重配置电路体系架构制造技术

一种重配置方法和可重配置电路体系架构包括可配置易失性存储电路和非易失性存储器电路元件；其中非易失性存储器电路元件存储用于重配置的多个位状态，该多个位状态从非易失性存储器电路元件中读取并写入到可配置的易失性存储电路中以进行重配置。非易失性存储器电路元件和可配置的易失性存储电路被设置在共同的管芯上。

Reconfigurable circuit architecture

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可重配置电路体系架构
本技术涉及可重配置电路体系架构。这样的体系架构包括三维配置高速缓存，用于在诸如现场可编程门阵列(FPGA)和粗粒度可重配置阵列(CGRA)之类的硬件中同时部署多个配置。此外，该技术涉及结合了相关电子材料的可重配置电路体系架构及其操作和编程方法。
技术介绍
可重配置电路体系架构或可编程片上系统基于可编程逻辑构建。由于客户对计算系统的定义、设计和部署方面的灵活性的需求，这种体系架构变得越来越普遍，并且其结构可以由最终用户在编译时或在运行时通过完全或部分重配置的方式来修改。但是，当前一代的可重配置体系架构：FPGA和CGRA遭受与存储配置所需的大面积以及配置存储器的高功耗相关的问题。
技术实现思路
本技术试图通过部分改善FPGA和CGRA的功能密度和功率分布来解决这些问题。因此，在本技术的第一方面，提供了一种可重配置的电路体系架构，其包括可配置的易失性存储电路和非易失性存储器电路元件；其中非易失性存储器电路元件存储用于重配置的多个位状态，该多个位状态从非易失性存储器电路元件中读取并写入到可配置的易失性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可重配置电路体系架构，包括可配置的易失性存储电路和非易失性存储器NVM电路元件；其中非易失性存储器电路元件存储用于重配置的多个位状态，所述多个位状态从非易失性存储器电路元件中读取并写入到可配置的易失性存储电路中以进行重配置，其中NVM电路元件和可配置的易失性存储电路被设置在共同的管芯上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171006 GB 1716400.51.一种可重配置电路体系架构，包括可配置的易失性存储电路和非易失性存储器NVM电路元件；其中非易失性存储器电路元件存储用于重配置的多个位状态，所述多个位状态从非易失性存储器电路元件中读取并写入到可配置的易失性存储电路中以进行重配置，其中NVM电路元件和可配置的易失性存储电路被设置在共同的管芯上。


2.如权利要求1所述的可重配置电路体系架构，其中可配置的易失性存储电路用FPGA逻辑、可编程逻辑阵列PLA或粗粒度可重配置阵列CGRA来实现。


3.如权利要求1或2所述的可重配置电路体系架构，其中NVM电路元件被设置在与形成易失性存储电路的层垂直共同定位在管芯堆叠上的层中。


4.如权利要求3所述的可重配置电路体系架构，其中NVM电路元件被设置在形成易失性存储电路的层上方的金属层的堆叠中。


5.如权利要求4所述的可重配置电路体系架构，其中所述堆叠被布置为使得其与布置在所述堆叠下方的存取晶体管的覆盖区匹配。


6.如前述权利要求中的任一项所述的可重配置电路体系架构，其中NVM电路元件包括相关电子开关元件的阵列。


7.如前述权利要求中的任一项所述的可重配置电路体系架构，其中所述电路包括具有多个状态的多个NVM电路元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·爱欧勒，E·奥泽，X·伊图尔贝，S·达斯，
申请(专利权)人：阿姆有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB