缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备技术

本发明专利技术涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，方法包括获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数；根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数，所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。

Methods and related equipment to mitigate the influence of the potential path in the memristor cross array

【技术实现步骤摘要】
缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备
本专利技术涉及计算机与电子信息
，具体涉及缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备。
技术介绍
忆阻器交叉阵列是一个由两层垂直交叉的金属导线和忆阻器矩阵组成的电阻网络。在忆阻器交叉阵列的制造工艺中，由于金属导线本身自带电阻分流电路中的电压产生IR-drop(电压降)，产生的电势差会导致非预期的电流分支，即Sneak-path(潜通路)。随着交叉阵列规模的增大和计算过程中的不断积累，使得潜通路造成的误差不断增加。潜通路电流的分流串行，使得神经网络算法精度降低，导致系统的可靠性下降。因此尽可能的避免或者减少误差至关重要。相关技术中，缓解潜通路的方法主要通过添加选择设备在一定程度上抑制潜通路电流，如添加晶体管或者二极管在交叉阵列电路节点上，利用其单向导通性阻塞潜通路，如1T1R(1个晶体管和1个忆阻器)，1S1R(1个选择器1个忆阻器)，1D1R(1个二极管一个忆阻器)，但这种方式，会增大工艺上的制造难度，降低电路集成度。专利技术内容有鉴于此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法，其特征在于，包括：/n获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数；/n根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数，所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。/n

【技术特征摘要】
1.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法，其特征在于，包括：
获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数；
根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数，所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
根据预先设置的分布规律对各所述放大系数进行验证；
若所述放大系数不符合所述分布规律，则对所述放大系数进行调整，以符合所述分布规律。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数，包括：
获取所述交叉阵列中各分支通路的预设输出电流值；
获取所述交叉阵列中各分支通路的实际输出电流值；
根据所述预设输出电流值和实际输出电流值计算得到各分支通路的所述放大系数。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分布规律包括：
所述交叉阵列中各分支通路距离所述交叉阵列输入端越近所述放大系数越小。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分布规律的获取方法包括：
基于预设的仿真工具搭建交叉阵列电路结构；
对所述交叉阵列电路结构设置不同的输入参数；
获取各所述输入参数下所述交叉阵列电路结构的输出结果；
对所述输...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱柯妮，朱玉洁，赵雪，夏立雪，
申请(专利权)人：首都师范大学，
类型：发明
国别省市：北京;11