非易失性存储器装置制造方法及图纸

公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。

Nonvolatile memory device

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置要求于2018年11月8日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0136490号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
这里的本专利技术构思涉及半导体存储器，更具体地讲，涉及包括传输元件的非易失性存储器装置。
技术介绍
半导体存储器可包括非易失性存储器(诸如，相变存储器、铁电存储器、磁存储器、电阻式存储器和闪存)。具体地讲，相变存储器被配置为使用电流来改变存储器单元的电阻值。即，相变存储器中的存储器单元的写入操作可基于与设置操作或重置操作对应的编程电流。存储器单元可二维排列。然而，用于写入操作的优化的编程电流可随着存储器单元的相对位置而变化。如果与设置操作对应的相同的编程电流被施加到所有二维排列的存储器单元，或者如果与重置操作对应的相同的编程电流被施加到所有二维排列的存储器单元，则根据存储器单元的位置，写入操作可能不被执行或者在写入操作期间可能发生错误。因此，需要提高非易失性存储器装置的写入操作的可靠性。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供一种包括传输元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，包括：/n存储体，包括存储器单元阵列和传输元件，其中，存储器单元阵列包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元，并且传输元件被配置为通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列；以及/n编程电流生成器，被配置为基于参考电流生成编程电流。/n

【技术特征摘要】
20181108 KR 10-2018-01364901.一种非易失性存储器装置，包括：
存储体，包括存储器单元阵列和传输元件，其中，存储器单元阵列包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元，并且传输元件被配置为通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列；以及
编程电流生成器，被配置为基于参考电流生成编程电流。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，传输元件包括镜像源晶体管，
镜像源晶体管包括：第一端子，连接成接收编程电流；第二端子，连接成接收电源电压；以及栅极端子，连接到第一端子。


3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，存储体还包括多个写入驱动器，所述多个写入驱动器被配置为对来自传输元件的编程电流进行镜像以对存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程。


4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，存储体被划分为：
第一存储器区域，存储器单元阵列的一些相变存储器单元排列在第一存储器区域中；
第二存储器区域，存储器单元阵列的除了所述一些相变存储器单元之外的剩余相变存储器单元排列在第二存储器区域中；以及
存储体中心区域，插入在第一存储器区域与第二存储器区域之间，
其中，传输元件位于存储体中心区域中。


5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
第二存储体，包括第二存储器单元阵列和第二传输元件，第二存储器单元阵列基于第二编程电流存储数据，第二传输元件被配置为将第二编程电流传输到第二存储器单元阵列，
其中，编程电流生成器还被配置为基于参考电流生成第二编程电流。


6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，编程电流生成器包括：
参考电流生成器，被配置为生成参考电流；以及
电流调节器，被配置为基于参考电流和第一代码生成编程电流，并且基于参考电流和第二代码生成第二编程电流。


7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中，电流调节器包括：
第一电流调节晶体管，连接到参考电流生成器，并且被配置为：对参考电流进行镜像以提供第一镜像参考电流，并且基于第一代码调节第一镜像参考电流的电平以提供编程电流；以及
第二电流调节晶体管，连接到参考电流生成器，并且被配置为对参考电流进行镜像以提供第二镜像参考电流，并且基于第二代码调节第二镜像参考电流的电平以提供第二编程电流。


8.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，还包括：开关，被配置为：在存储体和第二存储体的编程操作期间，在待机模式下电连接传输元件和第二传输元件，并且在激活模式下断开传输元件和第二传输元件。


9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，编程电流生成器被配置为在待机模式下将待机电流输出到传输元件和第二传输元件中的一个，并且
其中，编程电流生成器被配置为在激活模式下将编程电流输出到传输元件，并且将第二编程电流输出到第二传输元件。


10.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，存储体和第二存储体沿第一方向排列，
其中，存储体还包括：多个第一写入驱动器，被配置为对来自传输元件的编程电流进行镜像，以对存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程，所述多个第一写入驱动器沿与第一方向交叉的第二方向排列，并且
其中，第二存储体包括：多个第二写入驱动器，被配置为对来自第二传输元件的第二编程电流进行镜像，以对第二存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程，所述多个第二写入驱动器沿第二方向排列。


11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：比拉·阿哈默德·詹久阿，维韦克·文卡塔·克耶古，朴俊泓，李埈圭，朴智薰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR