存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法技术

本申请的各种实施例涉及具有独立可调阈值电压的双极选择器，以及包括双极选择器的存储器单元和包括存储器单元的存储器阵列。在一些实施例中，双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器。第一单极选择器和第二单极选择器以相反的取向并联电耦合并且，例如，可以是二极管或一些其他合适的单极选择器。通过将第一单极选择器和第二单极选择器以相反的取向平行放置，第一单极选择器独立地限定双极选择器的第一阈值电压并且第二单极选择器独立地限定双极选择器的第二阈值电压。结果，可以通过调整第一单极选择器和第二单极选择器的参数来独立地调谐第一阈值电压和第二阈值电压。本申请的实施例提供了存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法。

Memory unit, integrated chip and method of forming semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及存储器单元、集成芯片和形成半导体器件的方法。
技术介绍
许多现代电子器件包括电子存储器。具有单选择器单电阻(1S1R)存储器单元的交叉点存储器架构由于其高密度而越来越受到关注以用于下一代电子存储器。下一代电子存储器的示例包括电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、和导电桥接随机存取存储器(CBRAM)。
技术实现思路
根据本申请的实施例，提供了一种存储器单元，包括：具有可变电阻的数据存储元件；以及与所述数据存储元件串联电耦合的双极选择器，其中所述双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器以相反的取向并联电耦合。根据本申请的实施例，提供了一种集成芯片，包括：包括多个行和多个列中的多个存储器单元的阵列，其中所述存储器单元包括单独的双极选择器和单独的数据存储元件，并且其中所述双极选择器每个包括以相反的取向并联电耦合的第一选择器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器单元，包括：/n具有可变电阻的数据存储元件；以及/n与所述数据存储元件串联电耦合的双极选择器，其中所述双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器以相反的取向并联电耦合。/n

【技术特征摘要】
20181023 US 62/749,210;20190514 US 16/411,7061.一种存储器单元，包括：
具有可变电阻的数据存储元件；以及
与所述数据存储元件串联电耦合的双极选择器，其中所述双极选择器包括第一单极选择器和第二单极选择器，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器以相反的取向并联电耦合。


2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器的阴极电耦合到所述第二单极选择器的阳极。


3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一单极选择器和第二单极选择器是二极管。


4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述双极选择器具有第一极性处的第一阈值电压和第二极性处的第二阈值电压，并且其中所述第一单极选择器和所述第二单极选择器分别限定所述第一阈值电压和所述第二阈值电压。


5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述第一阈值电压和所述第二阈值电压不同。


6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述数据存储元件包括磁隧道结(MTJ)，并且其中所述MTJ包括参考铁磁元件和自由铁磁元件。


7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述自由铁磁元件通过所述参考铁磁元件与所述双极选择器电隔离，其中所述参考铁磁元件通过所述第一单极选择器的阴极与所述第一单极选择器的阳极电隔离，并且其中所述第一单极...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖昇志，林仲德，曹敏，兰迪·奥斯本，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71