【技术实现步骤摘要】
一种缓解相变存储器写干扰的方法及系统
本公开属于非易失存储器
，涉及一种缓解相变存储器写干扰的方法及系统。
技术介绍
本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。随着大数据时代的到来，对存储器的性能需求也是水涨船高，构建高访问带宽、高缩放性和高密度的主存系统已成为现代计算系统面临的主要挑战。然而，传统的DRAM存储器掉电丢失数据，且密度及缩放性已面临发展瓶颈。这些不足之处限制了DRAM的性能提高，使其无法紧跟大数据存储的脚步。近年来的研究发现，相变存储器(PhaseChangeMemory,PCM)作为一种新兴的非易失存储器，具有较小的读写延迟和良好的缩放性，极具发展前景。较之DRAM，PCM具有非易失(即掉电数据不丢失)、高密度等优势，是最有前途的低功耗主存技术之一。PCM存储器主要依靠一种相变材料来实现编程，即Ge2Sb2Te5(简称GST)。当GST的编程区域处于完全结晶状态时，PCM单元的阻值大约为103Ω，当GST的编程区域处于完全熔融状态时，PCM单元的阻值大约为...
【技术保护点】
1.一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：包括以下步骤：/n在位线层面，利用动态查找空闲主存块以确定可回写可靠空闲主存块，实现动态感知；/n在字线层面，将新数据与预期数据作对比，检测是否有写干扰错误发生，如果出现了写干扰，则进行纠正操作。/n
【技术特征摘要】
1.一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：包括以下步骤：
在位线层面，利用动态查找空闲主存块以确定可回写可靠空闲主存块，实现动态感知；
在字线层面，将新数据与预期数据作对比，检测是否有写干扰错误发生，如果出现了写干扰，则进行纠正操作。
2.如权利要求1所述的一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：在每个字线的ECP中设置一个标记位，若标记位为1，则该主存块为空闲块；若标记位为0，则表示该主存块不为空闲块。
3.如权利要求1所述的一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：缓存与主存之间的地址映射方式采用组相连映射，主存中有字块与缓存字块相对应，缓存块回写根据标记地址找到相应的主存字块。
4.如权利要求1所述的一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：动态感知可靠空闲主存块的缓存块回写的具体过程包括：根据缓存中关于主存地址的标记，找到缓存块c对应的主存块m,以及m的邻居块m-1,m+1，将要写入数据分别与字块m-1,m+1的每一位做逻辑或运算，记下运算结果为0的个数count；若写入数据与位线邻居单元存储值都为0，则或运算结果是0，可能会出现位线上的写干扰错误；若count<＝η，直接回写；若count>η，将缓存块对应的主存块m加入到空闲块队列中，即将标记位置1。
5.如权利要求1所述的一种缓解相变存储器写干扰的方法，其特征是：在空闲块队列中寻找合适的空闲块，即判断其为可靠空闲块后写入，假设在主存块m之后的第n个字块为空闲块，将要写入数据分别与字块...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓军，靳文科，蔡文浩，陆思奇，张志宇，刘忠洋，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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