组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统技术方案

本申请涉及组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统。在一个实施例中，存储器系统可包括在至少一个特性上不同的至少两种类型的DRAM。例如，一个DRAM类型可以是高密度DRAM，而另一个DRAM类型比第一DRAM类型可具有更低的密度但也可具有更低的延迟和更高的带宽。第一类型的DRAM可位于一个或多个第一集成电路上，并且第二类型的DRAM可位于一个或多个第二集成电路上。在一个实施例中，第一集成电路和第二集成电路可在叠堆中耦接在一起。第二集成电路可包括用于耦接到其他电路(例如，具有存储器控制器的集成电路，诸如片上系统(SOC))的物理层电路，并且物理层电路可被第一集成电路中的DRAM共享。

Memory system combining high density low bandwidth and low density high bandwidth memory

【技术实现步骤摘要】
组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统本申请是申请日为2017年3月6日、申请号为201780033666.9、名称为“组合了高密度低带宽和低密度高带宽存储器的存储器系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本文描述的实施方案涉及包括动态随机存取存储器(DRAM)的电子系统。
技术介绍
随着DRAM继续演进，DRAM的设计已因理想的DRAM的不同目标而变得复杂：具有高带宽、高容量和低功耗(高能量效率)的密集存储装置。提高密度/容量的设计选择有减少(或至少不增加)带宽的趋势。可增加带宽的设计选择有减少(或至少不增加)容量和能量效率的趋势。
技术实现思路
在一个实施方案中，存储器系统可包括在至少一个特性上不同的至少两种类型的DRAM。例如，一个DRAM类型可以是高密度DRAM，而另一个DRAM类型比第一DRAM类型可具有更低的密度但也可具有更低的延迟和更高的带宽。第一类型的DRAM可位于一个或多个第一集成电路上，并且第二类型的DRAM可位于一个或多个第二集成电路上。提供一种具有两种类型的DRAM(例如，一个高密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，包括：/n至少一个第一集成电路，所述至少一个第一集成电路包括第一类型动态随机存取存储器DRAM；/n至少一个第二集成电路，所述至少一个第二集成电路包括第二类型DRAM，其中所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列不及所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列密集，并且访问所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列比访问所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列能耗更低，其中所述第二类型DRAM包括比所述第一类型DRAM每条位线更少的存储器单元；和/n第三集成电路，所述第三集成电路与所述第二集成电路封装在一起，相比于所述第一集成电路与所述第三集成电路之间的耦接减小了所述第三集成电路与所述第二集成...

【技术特征摘要】
20160627 US 62/355,0121.一种系统，包括：
至少一个第一集成电路，所述至少一个第一集成电路包括第一类型动态随机存取存储器DRAM；
至少一个第二集成电路，所述至少一个第二集成电路包括第二类型DRAM，其中所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列不及所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列密集，并且访问所述第二类型DRAM中的第二存储器阵列比访问所述第一类型DRAM中的第一存储器阵列能耗更低，其中所述第二类型DRAM包括比所述第一类型DRAM每条位线更少的存储器单元；和
第三集成电路，所述第三集成电路与所述第二集成电路封装在一起，相比于所述第一集成电路与所述第三集成电路之间的耦接减小了所述第三集成电路与所述第二集成电路之间的耦接的长度和电容，所述第三集成电路包括被配置为控制对包括所述第一类型DRAM和所述第二类型DRAM的存储器的访问的存储器控制器。


2.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个第一集成电路还包括多个第一集成电路，所述多个第一集成电路包括多个所述第一类型DRAM。


3.根据权利要求2所述的系统，其中所述多个第一集成电路利用硅通孔TS...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·比斯韦斯，F·内马蒂，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国;US