半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式的半导体存储装置具备：存储区域，具备多个存储单元；及第1电路，计算检测出错误的存储单元的错误率，在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下，对所述存储单元进行恢复处理。

Semiconductor storage device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-218538号(申请日：2018年11月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
MRAM(MagneticRandomAccessMemory，磁性随机访问存储器)是存储信息的存储单元使用具有磁阻效应(magnetoresistiveeffect)的磁性元件的存储装置，且作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的下一代存储装置而受到关注。此外，正研究并开发MRAM作为DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机访问存储器)或SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机访问存储器)等易失性存储器的替代品。这种情况下，理想的是以与DRAM及SRAM相同的规格使MRAM动作，以便控制开发成本并顺利地进行替代。
技术实现思路
实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：/n存储区域，具备多个存储单元；及/n第1电路，计算检测出错误的存储单元的错误率，在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下，对所述存储单元进行恢复处理。/n

【技术特征摘要】
20181121 JP 2018-2185381.一种半导体存储装置，具备：
存储区域，具备多个存储单元；及
第1电路，计算检测出错误的存储单元的错误率，在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下，对所述存储单元进行恢复处理。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1电路通过重复对所述检测出错误的存储单元的写入、及对所述写入的存储单元的读出，来计算所述错误率。


3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第1电路在所述错误率高于所述第1值的情况下或所述错误率低于所述第2值的情况...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林洋介，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP