存储器单元、半导体器件及操作随机存取存储器的方法技术

一种存储器单元，包括：存储器单元堆叠；第一字线；第二字线；位线，耦接至存储器单元堆叠的一端；第一单向选择器，具有与存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与第二字线耦合的另一端；以及第二单向选择器，具有与存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与第二字线耦合的另一端。第一单向选择器和第二单向选择器的电流方向彼此相反。本申请的实施例还提供了半导体器件及操作随机存取存储器的方法。

Memory unit, semiconductor device and method of operating random access memory

【技术实现步骤摘要】
存储器单元、半导体器件及操作随机存取存储器的方法
本申请涉及存储器单元、半导体器件及操作随机存取存储器的方法。
技术介绍
MRAM提供与易失性静态随机存取存储器(SRAM)相当的性能以及与易失性动态随机存取存储器(DRAM)相当的密度及较低功耗。与非易失性存储器(NVM)闪存相比，MRAM提供了更快的访问时间、并且随着时间的推移经受最小的降级，而闪存只能被重写入有限的次数。MRAM单元由磁隧道结(MTJ)形成，磁隧道结包括通过薄绝缘势垒分隔开的两个铁磁层，并且通过使两个铁磁层之间的电子穿过绝缘势垒的隧穿而工作。类似地，电阻式随机存取存储器(ReRAM或RRAM)是一种类型的非易失性随机存取存储器，其通过改变跨质介固态材料的电阻来工作。此外，相变随机存取存储器(PCRAM)是一种非易失性存储器件，其利用了相变材料的相之间转变的不同的电阻相以及热致相。PCRAM由许多单元组成，每个单元独立运行。PCRAM单元主要包括加热器和电阻器，该电阻器是主要由可逆相变材料制成的数据存储元件，以为逻辑“0”状态和“1”状态提供至少两个截然不同的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器单元，包括：/n存储器单元堆叠；/n第一字线；/n第二字线；/n位线，耦接至所述存储器单元堆叠的一端；/n第一单向选择器，具有与所述存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与所述第二字线耦合的另一端；以及/n第二单向选择器，具有与所述存储器单元堆叠的所述另一端耦合的一端和与所述第二字线耦合的另一端，/n其中，第一单向选择器和第二单向选择器的电流方向彼此相反。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,881;20191001 US 16/590,1651.一种存储器单元，包括：
存储器单元堆叠；
第一字线；
第二字线；
位线，耦接至所述存储器单元堆叠的一端；
第一单向选择器，具有与所述存储器单元堆叠的另一端耦合的一端和与所述第二字线耦合的另一端；以及
第二单向选择器，具有与所述存储器单元堆叠的所述另一端耦合的一端和与所述第二字线耦合的另一端，
其中，第一单向选择器和第二单向选择器的电流方向彼此相反。


2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述存储器单元堆叠包括磁隧道结结构。


3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中，所述位线耦合至所述磁隧道结结构的自由磁性层侧。


4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述存储器单元堆叠包括电阻率改变元件。


5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述存储器单元堆叠包括相变元件。


6.一种半导体器件，包括：
存储器单元；
主字线，包括第一主字线；
辅助字线，包括第一辅助字线；以及
位线，其中：
每个存储器单元包括：
存储器单元堆叠，一端耦合至相应的一个所述位线；
第一二极管，具有耦合至所述存储器单元堆叠的另一端的阳极和耦合至所述第一主字线的阴极；以及
第二二极管，具有耦合至所述存储器单元堆叠的所述另一端的阴极和耦合至所述第一辅助字线的阳极。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述存储器单元堆叠包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰迪·奥斯本，张晓强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71