【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】差分忆阻电路
本专利技术涉及一种差分忆阻电路，其可用于例如人工神经网络。本专利技术还涉及一种操作该电路的方法。
技术介绍
纳米电子技术的进步导致了一种称为忆阻器的新型装置的诞生。尽管几十年前就已经设想出来，但直到最近，在摩尔标度律即将结束的时候，这些装置才显示出维持电子技术进步的潜力。忆阻器是一种非线性无源双端电气元件。忆阻器是一种电气元件，该电气元件限制或调整电路中的电流，并记住先前流过电路的电荷量。忆阻器是有用的，因为忆阻器是非易失性的，即，在没有电源的情况下保持存储器。自2008年制造第一忆阻装置以来，研究操作主要集中在解决传统存储器和计算应用需求上。然而，近年来，还研究了用于实现人工神经网络架构和基于尖峰或基于事件的神经形态架构的忆阻装置。例如，已知使用忆阻装置作为突触，并且使用尖峰时序相关塑性(STDP)型机制来编程存储单元。在大多数这些设计中，更新机制包括在忆阻装置的终端上产生重叠脉冲，使得目标装置上的有效电压差超过开关阈值。非目标装置上的电压保持低于开关阈值，并且保持不变。这种机制非常适合基于STDP的...
【技术保护点】
1.一种差分忆阻电路(27)，包括：/n归一化器(11)，包括第一归一化电路输入节点、第二归一化电路输入节点、第一归一化电路输出节点(15)和第二归一化电路输出节点(21)，所述归一化电路(11)被配置为缩放第一输入信号和第二输入信号，以分别产生第一输出信号和第二输出信号；/n第一忆阻元件(D
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170727 EP 17183461.71.一种差分忆阻电路(27)，包括：
归一化器(11)，包括第一归一化电路输入节点、第二归一化电路输入节点、第一归一化电路输出节点(15)和第二归一化电路输出节点(21)，所述归一化电路(11)被配置为缩放第一输入信号和第二输入信号，以分别产生第一输出信号和第二输出信号；
第一忆阻元件(Dpos)，其连接在第一电路节点(Vtopp)和第一归一化电路输入节点之间，所述第一忆阻元件(Dpos)的特征在于第一可调电阻值；
第二忆阻元件(Dneg)，其连接在第二电路节点(Vtopn)和第二归一化电路输入节点(Vbotn)之间，所述第二忆阻元件(Dneg)的特征在于第二可调电阻值；以及
一组电压源(3、5、13、19)，其被配置为产生大于0V的电压，这组电压源(3、5、13、19)被配置为在第一忆阻元件(Dpos)上产生第一电压值，在第二忆阻元件(Dneg)上产生第二电压值，
其中，第一输出信号取决于第一可调电阻值，而第二输出信号取决于第二可调电阻值，并且其中，忆阻电路网输出信号取决于第一输出信号和第二输出信号。
2.根据权利要求1所述的差分忆阻电路(27)，其中，所述差分忆阻电路(27)是电流模式电路，其中，所述第一输出信号是第一电流输出信号，所述第二输出信号是第二电流输出信号。
3.根据权利要求1或2所述的差分忆阻电路(27)，其中，所述归一化电路(11)包括在第一归一化电路输入节点和第一归一化电路输出节点(15)之间的第一缩放电流镜以及在第二归一化电路输入节点和第二归一化电路输出节点(21)之间的第二缩放电流镜(M3、M4)。
4.根据权利要求3所述的差分忆阻电路(27)，其中，所述第一缩放镜(M1、M2)连接到被配置为产生大于0V的电压值的第一缩放电流镜电压源(13)，而所述第二缩放镜(M3、M4)连接到被配置为产生大于0V的电压值的第二缩放电流镜电压源(19)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的差分忆阻电路(27)，其中，所述第一电路节点(Vtopp)连接到第一开关电路，以选择性地将第一电路节点(Vtopp)连接到第一电压源(VRD、VST)，而第二电路节点(Vtopn)连接到第二开关电路，以选择性地将第二电路节点(Vtopn)连接到第二电压源(VRD、VST)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的差分忆阻电路(27)，其中，所述第一忆阻元件(Dpos)连接到第一电路节点(Vtopp)和第三电路节点(Vbotp)，所述第三电路节点连接到第三开关电路，以选择性地将第三电路节点(Vbotp)连接到第三电压源...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾科莫·因迪韦里，摩奴·维杰亚兰加·尼尔，
申请(专利权)人：苏黎世大学，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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