通过暴露于紫外线能量制造相关电子材料膜制造技术

本文公开的主题可涉及用于例如执行切换功能的相关电子材料的制造。在实施例中，描述了其中在制造相关电子材料期间使用紫外光源的工艺。在实施例中，使用紫外光可以降低基板的原子和/或分子组分扩散的可能性，这可能导致CEM器件的不期望的电性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过暴露于紫外线能量制造相关电子材料膜
本技术涉及相关电子器件，并且更具体地，可涉及制造可以展现出期望的阻抗特性的相关电子器件(例如可用在开关、存储器电路等中)的方法。
技术介绍
集成电路器件(例如电子切换器件)可在各种电子设备类型中找到。例如，存储器和/或逻辑器件可以包含适用于计算机、数码相机、智能电话、平板设备、个人数字助理等的电子开关。与电子开关器件相关的、设计者在考虑电子开关器件是否适用于特定应用时可能感兴趣的因素例如可包括物理尺寸、存储密度、工作电压、阻抗范围和/或功耗。设计者可能感兴趣的其他因素可包括例如制造成本、易于制造、可扩展性和/或可靠性。此外，似乎对展现出较低功率和/或较高速度特性的存储器和/或逻辑器件的需求不断增加。然而，可能非常适合于某些类型的存储器和/或逻辑器件的传统制造技术可能不完全适用于制造利用相关电子材料的器件。附图说明在说明书的结论部分中特别指出并明确要求了保护的主题。然而，关于组织和/或操作方法及其目的、特征和/或优点，可以通过结合附图阅读，参考以下详细描述而最好地理解，其中：图1A是根据实施例的由相关电子材料形成的器件的电流密度相对电压分布的示图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种构建器件的方法，包括：由第一材料形成基板；以及在腔室中，在所述基板上形成一层或多层相关电子材料(CEM)，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM包括在形成所述一层或多层CEM的一部分期间将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于主要具有紫外频率成分的光源。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.15 US 15/237,3571.一种构建器件的方法，包括：由第一材料形成基板；以及在腔室中，在所述基板上形成一层或多层相关电子材料(CEM)，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM包括在形成所述一层或多层CEM的一部分期间将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于主要具有紫外频率成分的光源。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM还包括利用原子层沉积工艺、等离子体气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、旋涂沉积工艺、或其任何组合。3.根据权利要求2的方法，其中，所述CEM的一种或多种化学前体包括气态的脒基镍(Ni(AMD))、双(环戊二烯基)镍(Ni(Cp)2)、双(乙基环戊二烯基)镍(Ni(EtCp)2)、双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)镍(II)(Ni(thd)2)、乙酰丙酮镍(Ni(acac)2)、双(甲基环戊二烯基)镍(Ni(CH3C5H4)2)、二甲基乙二酸镍(Ni(dmg)2)、2-氨基-戊-2-烯-4-基镍(Ni(apo)2)、Ni(dmamb)2(其中dmamb表示1-二甲基氨基-2-甲基-2-丁醇酯)、Ni(dmamp)2(其中dmamp表示1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙醇酯)、双(五甲基环戊二烯基)镍(Ni(C5(CH3)5)2)或四羰基镍(Ni(CO)4)或其任何组合。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM还包括利用原子层沉积工艺，并且其中，将所述CEM的所述一种或多种化学前体暴露于光源包括在吹扫腔室的用于所述原子层沉积工艺的前体气体之后将所述一层或多层CEM中的至少一层暴露于光源。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM还包括利用原子层沉积工艺，并且其中，将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于光源包括在所述CEM的一种或多种化学前体暴露期间暴露所述一层或多层CEM中的至少一层，所述CEM的一种或多种化学前体包含气态氧。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM还包括利用化学气相沉积工艺。7.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于光源包括在所述一层或多层CEM暴露于一种或多种化学前体期间将所述一层或多层CEM中的至少一层暴露于光源。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述一层或多层CEM层的一部分包括热敏部分，所述热敏部分在低于400.0℃的腔室温度下发生。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，主要具有紫外频率成分的光源包括发射能量的光源，其中，所发射的能量的至少50％包括波长在约100.0nm至450.0nm之间的能量。10.一种构建器件的方法，包括：在腔室中，在由第一材料形成的基板上形成一层或多层相关电子材料(CEM)，在所述基板上形成所述一层或多层CEM包括将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于主要具有紫外频率成分的光源；以及在形成所述一层或多层CEM期间保持腔室的温度不超过400.0℃。11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述一层或多层CEM包括利用原子层沉积工艺、等离子体气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、旋涂沉积工艺、或其任何组合。12.根据权利要求11的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柏莉·盖伊·里德，卢西恩·斯弗恩，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB