类超晶格（SUPERLATTICE-LIKE）开关元件制造技术

本发明专利技术公开了一种电压感测开关元件(voltage sensitive switching device)，具有类超晶格存储单元结构(superlattice‑like cell structure)，该开关元件包括双向材料层，例如硫属化物合金。存储单元还包括能在交叉点存储器中使用的开关元件。

SUPERLATTICE-LIKE Switching Elements

The invention discloses a voltage sensitive switching device with a superlattice-like cell structure, which comprises a bidirectional material layer, such as a chalcogenide alloy. The storage unit also includes switching elements that can be used in the intersection memory.

【技术实现步骤摘要】
类超晶格(SUPERLATTICE-LIKE)开关元件
本专利技术属于集成电路
，涉及集成电路中使用的开关元件，特别是包含于集成电路中的存储器元件。
技术介绍
集成电路中，有许多开关元件的应用，例如晶体管与二极管。其中一种开关元件被称为双向阈值开关(OvonicThresholdSwitch，OTS)。开关元件以双向材料为基础，其特点为：当进行阈值电压切换(switchingthresholdvoltage)时电阻会大幅度下降，且当电压低于保持电压阈值(holdingthreshold)时，将回复高电阻与闭锁状态。开关元件已被使用在，例如各种包含以交叉点架构(cross-pointarchitecture)组织的高密度存储单元阵列的可写入电阻式存储器元件，例如美国专利案编号第6,579,760号公告日为2003年6月17日，专利技术人为Lung，所描述的“自对准可写入相变存储器(SELF-ALIGNED，PROGRAMMABLEPHASECHANGEMEMORY)”。其中，某些交叉点架构使用包含有与双向阈值开关串连的相变存储器单元的存储单元。其他架构则使用包括以开关元件来控制阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关元件，包括：一第一电极；一第二电极；以及一叠层，包括位于该第一电极与该第二电极之间的多个双向材料层，该些双向材料层中的一层与该些双向材料层中和该层相邻的多个相邻层接触，且该些相邻层具有与该层不同的组成物。

【技术特征摘要】
2017.10.18 US 15/787,2741.一种开关元件，包括：一第一电极；一第二电极；以及一叠层，包括位于该第一电极与该第二电极之间的多个双向材料层，该些双向材料层中的一层与该些双向材料层中和该层相邻的多个相邻层接触，且该些相邻层具有与该层不同的组成物。2.根据权利要求1所述的开关元件，其中包括该些双向材料层的该叠层包括一双叠层(pairoflayers)，该双叠层包括该些双向材料层的两层，且分别由两种不同的硫属化物合金或分别由两种含硒合金所构成。3.根据权利要求1所述的开关元件，其中包括该些双向材料层的该叠层包括周期性叠层的多个叠层子集(periodicsetsoflayers)，且每一该些叠层子集，包括该些双向材料层的至少两层，且分别由两种不同的硫属化物合金所构成；其中该两种不同的硫属化物合金为两种不同的含硒合金或含有硒与砷的合金；其中包括该些双向材料层的该叠层具有60纳米的一总厚度；每一该些叠层子集中的一第一层具有少于5纳米(nm)的一厚度，且每一该些叠层子集中的一第二层具有少于5纳米的一厚度。4.根据权利要求1所述的开关元件，其中包括该些双向材料层的该叠层具有与一超晶格类似的一结构配置，且包括一双叠层，该双叠层包括该些双向材料层的两层，且分别由两种不同的硫属化物合金所构成，该两种不同的硫属化物合金，分别选自于由砷硒(AsSe)、砷碲(AsTe)、碲砷锗硅(TeAsGeSi)、碲砷锗硅氮(TeAsGeSiN)、碲砷锗硅硒(TeAsGeSiSe)、碲砷锗硅硒硫(TeAsGeSiSeS)、碲砷锗硅硒磷(TeAsGeSiSeP)、锗硒(GeSe)、锗砷硒(GeAsSe)以及砷锗硅硒(AsGeSiSe)所组成的一族群。5.一种存...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑怀瑜，龙翔澜，郭奕廷，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71