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本发明提供了一种制造可变电阻存储器件的方法。该方法包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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