【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求于2017年10月20日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0136297的优先权权益，其全部内容通过引用合并在此。
本公开涉及一种可变电阻存储器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件可以分类为存储数据的存储器件和逻辑器件。通常，半导体存储器件可以大致分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。当电源中断时，易失性存储器件丢失存储在其中的数据，而即使当电源中断时，非易失性存储器件也保持存储在其中的数据。正在开发下一代半导体存储器件，例如，铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)，以满足半导体存储器件的高性能和低功率的趋势。下一代半导体存储器件包括具有特性的材料，其中其电阻根据施加的电流或电压而改变，并且即使当它们的电流或电压供应被中断时，它们改变的电阻也被保持。
技术实现思路
一些实施例提供了一种具有增强的可靠性的可变电阻存储器件及其制造方法。本专利技术构思的目的不限于上面提到的那些目的，并且本领域技术人...
【技术保护点】
1.一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间，其中，所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案，并且其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
【技术特征摘要】
2017.10.20 KR 10-2017-01362971.一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间，其中，所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案，并且其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述储存器单元还包括：第二电阻率控制图案，处于所述第二电极与所述可变电阻图案之间，其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率大于所述第一电阻率控制图案的电阻率。3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率为所述第一电阻率控制图案的电阻率的10至500倍。4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的宽度和所述第二电阻率控制图案的宽度彼此不同。5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案的宽度小于所述可变电阻图案的宽度。6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的侧表面与所述可变电阻图案的侧表面对准。7.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二电阻率控制图案接触所述可变电阻图案。8.根据权利要求2所述的器件，其中，当电流在所述第一电极与所述第二电极之间流动时，在所述第二电阻率控制图案与所述可变电阻图案之间的界面处发热。9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案的宽度小于所述可变电阻图案的宽度。10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电阻率控制图案接触所述中间电极。11.一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并在第三方向上与所述第一导电线间隔开；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间，其中，所述存储器单元依次包括切换图案、所述切换图案上的中间电极、所述中间电极上的第一电阻率控制图案、所述第一电阻率控制图案上的可变电阻图案以及所述可变电阻图案上的第二电阻率控制图案，其中，所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率，并且其中，所述第二电阻率控制图案的电阻率大于所述第一电阻率控制图案的电阻率。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：郑智贤，朴日穆，宋时虎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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