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公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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