基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置
本专利技术的实施方式涉及一种基片处理装置。
技术介绍
一直以来，已知例如将使氮气等作为气泡混合而得的处理液供给到处理槽的基片处理装置(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-69529号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题然而，在上述基片处理装置中，在利用混合有气泡的处理液对基片进行均匀的处理这一点上存在改善的余地。用于解决技术问题的技术方案实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的一个方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出的将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。专利技术效果依照实施方式的一个方式，能够均匀地蚀刻基片。附图说明图1是第一实施方式的基片处理装置的概略平面图。图2是表示第一实施方式的蚀刻用的处理槽的供给系统的结构的概略块图。图3是第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽；处理液供给喷嘴，其设置在所述基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液；和调压板，其设置在所述处理液供给喷嘴与所述基片处理槽内的基片之间，具有使所述处理液流通的多个孔，调节从所述处理液供给喷嘴排出的所述处理液的流入压力，所述调压板具有从所述处理液供给喷嘴侧的面突出的将所述处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。

【技术特征摘要】
2017.10.24 JP 2017-2055501.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽；处理液供给喷嘴，其设置在所述基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液；和调压板，其设置在所述处理液供给喷嘴与所述基片处理槽内的基片之间，具有使所述处理液流通的多个孔，调节从所述处理液供给喷嘴排出的所述处理液的流入压力，所述调压板具有从所述处理液供给喷嘴侧的面突出的将所述处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述调压板具有形成为格子状的所述棱。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个划分区域中，一部分划分区域的面积与其他划分区域的面积不同。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中幸二，池田贵志，益富裕之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP