蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供蚀刻方法和蚀刻装置。本发明专利技术的课题是对基板进行薄且均匀的蚀刻。蚀刻方法是在作为蚀刻对象的基板S上将含有CFx的直链型的分子进行成膜。蚀刻方法是对成膜有分子的基板S照射活化CFx的活化气体。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和蚀刻装置
本专利技术的各方面和实施方式涉及蚀刻方法和蚀刻装置。
技术介绍
以往，提出了向配置在处理容器内的基板交替供给形成保护膜的沉积性的气体和促进蚀刻的蚀刻气体而进行蚀刻的蚀刻方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017－27995号公报
技术实现思路
然而，现有的蚀刻方法无法利用沉积性的气体控制沉积在基板上的保护膜的结构。因此，现有的蚀刻方法有时无法对基板进行薄且均匀的蚀刻。本专利技术所公开的蚀刻方法在一个实施方式中是对作为蚀刻对象的基板将含有CFx的直链型的分子进行成膜。蚀刻方法是对成膜有分子的基板照射活化CFx的活化气体。根据公开的蚀刻方法的一个方式，起到能够对基板进行薄且均匀的蚀刻的这种效果。附图说明图1是表示本实施方式涉及的蚀刻装置的构成的局部截面图。图2是从基板的蚀刻对象面侧俯视被图1所示的蚀刻装置所具备的基板保持部保持的基板时的俯视图。图3是说明本实施方式涉及的蚀刻方法的图。图4是示意性地表示在基板上成膜的分子的状态的图。图5是示意性地表示现有的利用沉积性的气体使膜沉积在基板上的状态的图。图6是表示实施本实施方式涉及的蚀刻方法的蚀刻的蚀刻程序的处理流程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，对作为蚀刻对象的基板将含有CFx的直链型的分子进行成膜，对成膜有所述分子的基板照射活化CFx的活化气体。

【技术特征摘要】
2017.11.28 JP 2017-2280481.一种蚀刻方法，其特征在于，对作为蚀刻对象的基板将含有CFx的直链型的分子进行成膜，对成膜有所述分子的基板照射活化CFx的活化气体。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述分子为CF3－(CF2－CF2－CF2－O－)m－CH2－CH2－Si－(OCH3)3，其中，m＝10～...

【专利技术属性】
技术研发人员：布濑晓志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP