The invention provides a method for forming a protective film. In this method, oxide films of organometallic compounds or organometallic compounds are deposited on a flat surface area between adjacent dent shapes formed on the surface of the substrate. Then, the side of the oxide film deposited on the flat surface area is removed by etching.
【技术实现步骤摘要】
保护膜形成方法
本专利技术涉及保护膜形成方法。
技术介绍
传统上，如日本特开专利申请公开号2010-103242中公开的，已知制造具有在LOCOS(局部硅氧化)氧化物膜中形成的沟槽(trench)的半导体器件的方法。该方法中，LOCOS氧化膜形成于硅层的表面中，并且通过将杂质注入到硅层中而在硅层中形成杂质区域。之后，在硅层上沉积SiN层和SiO2层，并通过光刻法和蚀刻在SiN层和SiO2层中选择性地形成开口。通过使用SiN层和SiO2层作为掩模，在LOCOS氧化物膜和硅层中形成沟槽。同时，随着近年来微细化的发展，在期望的目标材料中在准确的位置处形成接触孔变得困难。此外，生产掩模以形成与目标相同的尺寸的接触孔也变得困难。为了避免这些问题，需要形成即使存在对准误差也防止除了期望的蚀刻部分之外的部分被蚀刻的保护膜，但是由于光刻精度的限制，很难局部地留下这样的保护膜。为了解决这些问题，期望以自对准方式仅在期望的位置处形成保护膜的方法。日本特开专利申请公开号2017-120884公开了用于在诸如沟槽等多个凹陷形状之间的区域上选择性地形成保护膜的保护膜形成方法，作为用于在不使...
【技术保护点】
1.一种保护膜形成方法，其包括以下步骤：在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜；以及通过蚀刻除去沉积在所述平坦表面区域上的所述氧化物膜的侧部。
【技术特征摘要】
2017.11.30 US 15/8272641.一种保护膜形成方法，其包括以下步骤：在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜；以及通过蚀刻除去沉积在所述平坦表面区域上的所述氧化物膜的侧部。2.根据权利要求1所述的保护膜形成方法，其进一步包括：在沉积所述氧化物膜的步骤之前形成与所述基板的表面共形的牺牲膜。3.根据权利要求2所述的保护膜形成方法，其中重复形成所述牺牲膜的步骤、沉积所述氧化物膜的步骤、和除去所述氧化物膜的侧部的步骤，直到沉积所述氧化物膜达到预定的厚度。4.根据权利要求3所述的保护膜形成方法，其中形成所述牺牲膜的步骤包括，形成与在沉积所述氧化物膜的步骤中沉积的所述氧化物膜相同种类的膜。5.根据权利要求4所述的保护膜形成方法，其中形成所述牺牲膜的步骤和沉积所述氧化物膜的步骤各自包括重复以下周期：在所述基板的表面上吸附包含所述有机金属化合物或所述有机半金属化合物的原料气体，和通过供给氧化气体使吸附在所述基板的表面上的所述原料气体氧化从而使所述原料气体和所述氧化气体的反应产物沉积在所述基板的表面上。6.根据权利要求5所述的保护膜形成方法，其中通过供给所述氧化气体使所述原料气体氧化的步骤包括，供给作为所述氧化气体的H2O、H2O2、O2或O3，同时通过加热或等离子体使所述氧化气体活化。7.根据权利要求5所述的保护膜形成方法，其中蚀刻所述氧化物膜的侧部的步骤包括，向所述基板的表面供给通过等离子体活化的蚀刻气体。8.根据权利要求7所述的保护膜形成方法，其中在形成所述牺牲膜的步骤中重复在所述基板的表面上吸附所述原料气体和使吸附在所述基板的表面上的所述原料气体氧化的周期的步骤的第一周期次数比在沉积所述氧化物膜的步骤中重复在所述基板的表面上吸附所述原料气体和使吸附在所述基板的表面上的所述原料气体氧化的周期的步骤的第二周期次数多。9.根据权利要求8所述的保护膜形成方法，其中所述第一周期次数设定在...
【专利技术属性】
技术研发人员：塚泽尚悟，萧志翔，石田雅史，高桥豊，远藤笃史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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