基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。

Substrate Processing Unit

The utility model provides a substrate processing device, which improves the selectivity of etching silicon nitride film and inhibits the precipitation of silicon oxide. The substrate processing device according to the embodiment comprises a substrate treatment tank, a phosphoric acid treatment liquid supply part, a circulation path, a SiO 2 Precipitation preventive agent supply part and a mixing part. The phosphoric acid treatment solution supply unit supplies the phosphoric acid treatment solution used in the etching treatment of the substrate treatment tank. The circulating path is used to circulate the phosphoric acid treatment solution supplied to the substrate treatment tank. The SiO 2 Precipitation preventer supply unit supplies the SiO 2 Precipitation preventer to the circulation path. The mixing part mixes the silicon-containing compounds into the phosphoric acid treatment solution supplied before the circulation path.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
公开的实施方式涉及一种基板处理装置。
技术介绍
以往，已知在基板处理装置中进行通过使基板浸在磷酸处理液中来对形成在基板上的氮化硅膜(SiN)和硅氧化膜(SiO2)中的氮化硅膜选择性地进行蚀刻的蚀刻处理(参照专利文献1)。已知的是，在上述蚀刻处理中，当磷酸处理液的硅浓度变高时，对氮化硅膜进行蚀刻的选择性提高。另一方面，已知的是，当磷酸处理液的硅浓度过高时，硅氧化物(SiO2)析出到硅氧化膜上。因此，在上述基板处理装置中，进行调整以使磷酸处理液的硅浓度处于固定的范围内。专利文献1：日本特开2013-232593号公报
技术实现思路
技术要解决的问题然而，在上述基板处理装置中，在提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出方面存在改善的余地。实施方式的一个方式的目的在于提供一种提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出的基板处理装置和基板处理方法。用于解决问题的方案本技术的第一方面提供一种基板处理装置，具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给在部供给基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。本技术的第二方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理槽；磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；SiO2析出防止剂供给部，其供给SiO2析出防止剂；循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；以及混合部，其将所述SiO2析出防止剂混合到供给至所述循环路径之前的所述磷酸处理液中。本技术的第三方面提供根据前述第二方面所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部为将从所述磷酸处理液供给部供给的所述磷酸处理液与从所述SiO2析出防止剂供给部供给的所述SiO2析出防止剂混合后进行贮存的预备罐。本技术的第四方面提供根据前述第二方面所述的基板处理装置，其特征在于，具备预备罐，所述预备罐用于将含硅化合物混合到从所述磷酸处理液供给部供给的所述磷酸处理液中后进行贮存，所述混合部将所述SiO2析出防止剂混合到从所述预备罐供给的所述磷酸处理液中。本技术的第五方面提供根据前述第二方面所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部将所述SiO2析出防止剂混合到常温的所述磷酸处理液中。本技术的第六方面提供根据前述第四方面或第五方面所述的基板处理装置，其特征在于，所述混合部通过使所述磷酸处理液和所述SiO2析出防止剂产生紊流，来将所述SiO2析出防止剂混合到所述磷酸处理液中。技术的效果根据实施方式的一个方式，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。附图说明图1是基板处理装置的概要俯视图。图2是表示第一实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的概要框图。图3是说明第一实施方式所涉及的SiO2析出防止剂的供给方法的流程图。图4是表示第二实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。图5是说明第二实施方式所涉及的SiO2析出防止剂的供给方法的流程图。图6是表示第三实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。图7是第三实施方式所涉及的混合器的概要结构截面图。图8是说明第三实施方式所涉及的SiO2析出防止剂的供给方法的流程图。图9是表示第四实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。图10是第四实施方式所涉及的混合器的概要结构截面图。图11是说明第四实施方式所涉及的SiO2析出防止剂的供给方法的流程图。附图标记说明1：基板处理装置；6：基板组处理部；8：基板；23：蚀刻处理装置；27：蚀刻用的处理槽；40：磷酸水溶液供给部(磷酸处理液供给部)；40A：磷酸水溶液供给源；40B：磷酸水溶液供给线路(磷酸处理液供给线路)；43：SiO2析出防止剂供给部；43A：SiO2析出防止剂供给源；43B：SiO2析出防止剂供给线路；45：内槽(基板处理槽)；46：外槽(混合部)；47：温度调节罐(混合部、罐)；50：第一循环线路；51：第一泵；52：第一加热器；55：循环路径；70：供给线路；80：混合器(混合部)。具体实施方式下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，本技术并不限定于以下所示的实施方式。(第一实施方式)如图1所示，第一实施方式所涉及的基板处理装置1具有承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6以及控制部100。图1是基板处理装置1的概要俯视图。在此，将与水平方向正交的方向设为上下方向来进行说明。承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势沿上下方向排列地收容。在该承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、用于进行承载件9的搬送的承载件搬送机构11、用于暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。承载件搬入搬出部2使用承载件搬送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9搬送到承载件存储部12、承载件载置台14。即，承载件搬入搬出部2将收容要通过基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9搬送到承载件存储部12、承载件载置台14。承载件存储部12暂时保管收容要通过基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9。利用后述的基板搬送机构15从被搬送到承载件载置台14且收容要通过基板组处理部6进行处理之前的多张基板8的承载件9搬出多张基板8。另外，从基板搬送机构15向被载置于承载件载置台14且未收容基板8的承载件9搬入通过基板组处理部6进行处理之后的多张基板8。承载件搬入搬出部2使用承载件搬送机构11将被载置于承载件载置台14且收容通过基板组处理部6进行处理之后的多张基板8的承载件9搬送到承载件存储部13、承载件台10。承载件存储部13暂时保管通过基板组处理部6进行处理之后的多张基板8。被搬送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。在基板组形成部3中设置有用于搬送多张(例如25张)基板8的基板搬送机构15。基板组形成部3将利用基板搬送机构15进行的多张(例如25张)基板8的搬送进行两次，来形成包括多张(例如50张)基板8的基板组。基板组形成部3使用基板搬送机构15从被载置于承载件载置台14的承载件9向基板组载置部4搬送多张基板8，将多张基板8载置于基板组载置部4，由此形成基板组。利用基板组处理部6对形成基板组的多张基板8同时进行处理。在形成基板组时，既可以是以使多张基板8的表面上形成有图案的面彼此相向的方式形成基板组，也可以是以使多张基板8的表面上形成有图案的面均朝向一个方向的方式形成基板组。另外，基板组形成部3使用基板搬送机构15从被基板组处理部6进行了处理后被载置于基板组载置部4的基板组向承载件9搬送多张基板8。基板搬送机构15具有用于支承处理前的多张基板8的处理前基板支承部(未图示)和用于支承处理后的多张基板8的处理后基板支承部(未图示)这两种支承部，来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理槽；磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；SiO2析出防止剂供给部，其向所述循环路径供给SiO2析出防止剂；以及混合部，其将含硅化合物混合到供给至所述循环路径之前的所述磷酸处理液中。

【技术特征摘要】
2017.09.28 JP 2017-1885331.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理槽；磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；SiO2析出防止剂供给部，其向所述循环路径供给SiO2析出防止剂；以及混合部，其将含硅化合物混合到供给至所述循环路径之前的所述磷酸处理液中。2.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理槽；磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；SiO2析出防止剂供给部，其供给SiO2析出防止剂；循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；以及混合部，其将所述SiO2析出防止剂混合到供给至所述循环路...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野宏树，佐藤秀明，稻田尊士，河野央，西脇良典，大津孝彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP