【技术实现步骤摘要】
测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法
本专利技术的实施方式涉及测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法。
技术介绍
在半导体装置之类的电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般具有处理容器和载置台。载置台设置在处理容器内,用于保持载置于其上的被加工物。在等离子体处理装置中,被加工物被载置在载置台上,利用在处理容器内生成的作为处理气体的等离子体对被加工物进行处理。在所述的等离子体处理装置中,有时在载置台上以包围被加工物的边缘的方式设置聚焦环,以提高被加工物的处理的面内均匀性。在下述的专利文献1中记载有利用聚焦环的等离子体处理装置。专利文献1:日本特开2017-3557号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在等离子体处理装置中,不只是被加工物,聚焦环也暴露在处理气体中的分子或原子的活性种中。因而,由于对被加工物进行处理而使聚焦环消耗。当使用过度消耗的聚焦环时,对被加工物的处理造成影响。因此,需要更换过度消耗的聚焦环。鉴于这样的背景,需要检查聚焦环,以掌握聚焦环的消耗量。用于解决问题的方案在一个方式中提供一种测定器,该测定器配置在被聚焦环包围的区域内,导 ...
【技术保护点】
1.一种测定器,配置在被聚焦环包围的区域内,导出所述聚焦环的消耗量,该测定器具备:圆盘状的基底基板;多个传感器电极,所述多个传感器电极设置于所述基底基板;高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;以及运算部,其构成为根据与所述多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值,其中,所述运算部具有将所述聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的所述多个测定值的代表值相对应所得的表,计算所述多个测定值的平均值,导出所述表中与所述多个测定值的平均值对应的所述聚焦环的消耗量。
【技术特征摘要】
2018.03.09 JP 2018-0429681.一种测定器,配置在被聚焦环包围的区域内,导出所述聚焦环的消耗量,该测定器具备:圆盘状的基底基板;多个传感器电极,所述多个传感器电极设置于所述基底基板;高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;以及运算部,其构成为根据与所述多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值,其中,所述运算部具有将所述聚焦环的消耗量与同该消耗量对应的所述多个测定值的代表值相对应所得的表,计算所述多个测定值的平均值,导出所述表中与所述多个测定值的平均值对应的所述聚焦环的消耗量。2.根据权利要求1所述的测定器,其特征在于,还具备报告装置,该报告装置进行与由所述运算部导出的所述聚焦环的消耗量相应的规定的报告。3.一种用于检查聚焦环的系统的动作方法,所述系统包括处理系统和测定器,所述处理系统具备:处理装置,其具有腔室主体、设置在由该腔室主体提供的腔室内的载置台以及设置在所述载置台上的所述聚焦环;以及搬送装置,其基于搬送位置数据将被加工物搬送到所述载置台上且被所述聚焦环包围的区域内,所述测定器具备:圆盘状的基底基板;多个传感器电极,所述多个传感器电极设置于所述基底基板;高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;以及运算部,其构成为根据与所述多个传感器电极中的电位相应的多个检测值来计算表示所述多个传感器电极各自的静电电...
【专利技术属性】
技术研发人员:杉田吉平,河野太辅,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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