本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和...

本发明提供一种使能够用于生成电感耦合等离子体的螺旋状的天线的匝数高密度化的技术。本发明的天线是能够用于生成电感耦合等离子体的天线，其具有多个天线构成部件。多个天线构成部件各自形成为板状并通过将它们串联地连结而构成多边形的螺旋形状。另外，...

本发明包括：储存罐(102)，其储存包含第一处理液(硫酸)和第二处理液(过氧化氢水溶液)的处理液；使储存于储存罐(102)的处理液循环的循环路径(104)，其具有使处理液在水平方向上通过的第一管路(104a)；向处理单元(16)供给处理...

本发明涉及用于蚀刻期间的低K沟槽保护的原子层沉积。使用原子层沉积(ALD)技术将一个或更多个层沉积在硬掩模层和低K电介质沟槽的侧壁上作为沟槽蚀刻工艺的一部分。ALD层可以防止硬掩模在各种硬掩模开口工艺期间被侵蚀。此外，ALD层可以用于防...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置，防止在蚀刻形状中产生偶奇差。所述基板处理方法包括以下工序：向在被蚀刻对象膜之上的光致抗蚀剂的图案的侧壁形成的含硅膜之间的凹部埋入有机膜；以及以选择比大致为1：1的条件对所述有机膜和所述含硅膜进行蚀刻...

本发明说明一种能够抑制臭氧的产生并且有效地处理基片的基片处理装置。基片处理装置包括：能够进行基片的处理的处理室；包含光源的光源室，其中该光源能够对基片的表面照射真空紫外光；能够对光源室内供给非活性气体的气体供给部；和控制部，其执行控制气...

本发明提供输送方法和输送装置。其目的是确保真空输送室的气密性，同时精度良好地校正基板的错位。在传感检测工序中，利用机械臂在传感检测区域中移动基板以从传感器取得传感检测信息。在中心位置计算工序中，基于传感检测信息计算相对于机械臂的、基板的...

本发明提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内...

本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板...

检查系统(100)具备探测器(200)和测试器(300)。测试器(300)具有：多个测试器模块板(33)，所述多个测试器模块板(33)搭载有与多个DUT对应的多个LSI；以及测试器控制部(35)，其具有显示部(44)和晶圆图描绘应用程序...

本发明提供一种能够削减处理基片时气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一方式的基片处理装置包括基片保持部、顶板部、气体供给部、处理液喷嘴和臂。基片保持部用于保持基片。顶板部与保持于基片保持部的基片相对地设置，至少在与基片的中心对置的位置形...

本发明提供一种基板处理装置。其目的在于抑制基板处理装置的占用面积。所述基板处理装置具有：多边形的输送室；处理室，其经由基板的输送口与所述输送室连接；以及输送机构，其配置于所述输送室，用于经由所述输送口在所述输送室与所述处理室之间输送基板...

本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)

本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的...

本发明提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。本发明提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法，其包括：对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤；基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光，来检测反射光的...

本发明提供一种能够抑制输送反应管组合件时的振动的技术。本发明的一个方式的应管单元的输送方法是沿竖式的反应管的内壁面的长度方向与上述内壁面隔开间隔地设置有气体供给管的反应管组合件的输送方法，包括：在上述反应管的内部配置能够缓冲上述内壁面与...

本发明提供一种在相对于Si层、SiO

本发明涉及用于干燥基板的方法和设备。具体地，提供了通过表面流体的快速沸腾来在液体可能导致毛细管图案坍塌发生之前蒸发流体来完成基板干燥的方法和设备。更具体地，利用电磁感应加热来提供横向于基板表面的振荡磁场，以在基板中引起电涡流，而电涡流使...

本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl