The invention provides a substrate processing device. The purpose is to suppress the occupied area of the substrate processing device. The substrate processing device has a polygonal conveying chamber, a processing chamber which is connected with the conveying chamber through the conveying port of the substrate, and a conveying mechanism configured in the conveying chamber for conveying the substrate between the conveying chamber and the processing chamber through the conveying port, and the conveying chamber and the processing chamber have an overlapping area when looking down.
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置。
技术介绍
在对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)进行成膜、蚀刻等真空处理的基板处理装置中,为了提高生产率,设置有多个处理模块,在各处理模块中在真空气氛下对晶圆进行处理(参照例如专利文献1、2)。在多个处理模块连接有用于输送基板的真空输送模块,在真空输送模块与大气输送模块之间设置有用于向大气气氛和真空气氛进行切换的多个加载互锁模块。在真空输送模块设置有具有多关节臂的输送机构和滑动机构。输送机构利用滑动机构在真空输送模块内滑动,在多个处理模块与真空输送模块之间以及真空输送模块与加载互锁模块之间进行晶圆的输送。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-216614号公报专利文献2:日本特开2016-25168号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题不过,在滑动机构涂敷有润滑脂。因此,在利用输送机构的多关节臂向处理模块输送晶圆之际,润滑脂混入处理模块的内部,成为污染处理室的原因之一。另外,若在真空输送模块设置滑动机构,则真空输送模块变大,基板处理装置整体的占用面积增大。对此,若不设置滑动机构就要向多个处理室输送晶圆,则需要延长多关节臂的全长。由此,真空输送模块也变大,基板处理装置的占用面积也增大。也想到增多多关节臂的臂数而缩短各臂的长度,但这样一来产生如下情况:多关节臂的动作变得复杂,并且,臂与关节之间的连接部位变多,而叉状件无法通过形成得较薄的晶圆的输送口,无法向处理模块 ...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置,其中,/n所述基板处理装置具有:/n多边形的输送室;/n处理室,其经由基板的输送口与所述输送室连接;以及/n输送机构,其配置于所述输送室,用于经由所述输送口在所述输送室与所述处理室之间输送基板,/n所述输送室和所述处理室具有俯视时重叠的区域。/n
【技术特征摘要】
20180515 JP 2018-0940491.一种基板处理装置,其中,
所述基板处理装置具有:
多边形的输送室;
处理室,其经由基板的输送口与所述输送室连接;以及
输送机构,其配置于所述输送室,用于经由所述输送口在所述输送室与所述处理室之间输送基板,
所述输送室和所述处理室具有俯视时重叠的区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述输送室在规定的高度具有台阶部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述输送室具有位于所述台阶部的上侧的第1输送室和位于所述台阶部的下侧的第2输送室,
表示与所述处理室相邻的所述第1输送室的内壁间的宽度的第1宽度比表示与该第1宽度相同的方向的所述第2输送室的内壁间的宽度的第2宽度小。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述输送机构具有多关节臂,能够在所述多关节臂的叉状件保持基板,
所述第1宽度比从所述叉状件的基端部到位于该叉状件的顶端部的延长线上的基板的顶端的长度小,
所述第2宽度比从所述叉状件的基端部到位于该叉状件的顶端部的延长线上的基板的顶端的长度大。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有用于使所述多关节臂在所述第1输送室与所述第2输送室之间沿着高度方向升降的升降机构...
【专利技术属性】
技术研发人员:新藤健弘,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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