部件的驱动方法和处理装置制造方法及图纸

技术编号:22646599 阅读:32 留言:0更新日期:2019-11-26 17:18
本发明专利技术提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。本发明专利技术提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法,其包括:对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤;基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光,来检测反射光的强度分布的步骤;对表示上述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤;基于上述光程差来决定上述部件的驱动量的步骤;和基于决定出的上述驱动量驱动上述部件的步骤。

Driving method and treatment device of components

The invention provides a driving method capable of driving components of components more accurately. The invention provides a driving method for a component arranged in a processing room, which comprises the following steps: irradiating the component with a measuring light with a wavelength that can pass through the component; detecting the intensity distribution of the reflected light based on the reflected light from the front side of the component and the reflected light from the back side of the component; performing Fourier transform on the spectrum representing the intensity distribution The step of calculating the optical path difference based on the leaf transform, the step of determining the driving amount of the above components based on the optical path difference, and the step of driving the above components based on the determined driving amount.

【技术实现步骤摘要】
部件的驱动方法和处理装置
本专利技术涉及部件的驱动方法和处理装置。
技术介绍
在等离子体处理装置中,沿晶片的外周设置有边缘环(edgering)(例如,参照专利文献1)。边缘环具有控制晶片的外周附近的等离子体,使晶片的面内的蚀刻速率(etchingrate)的均匀性提高的功能。晶片的主要在边缘部的蚀刻速率,取决于边缘环上的鞘(sheath)而变化。因此,当因边缘环的消耗而其高度发生改变时,边缘环上的鞘的高度发生改变,难以控制晶片的边缘部的蚀刻速率等蚀刻特性。于是,设置上下地驱动边缘环的驱动部,控制边缘环的上表面的位置,来提高晶片的边缘部的控制性。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-244274号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。用于解决技术问题的技术手段依照本专利技术的一个方式,提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法,其包括:对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤;基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光,来检测反射光的强度分布的步骤;对表示上述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤;基于上述光程差来决定上述部件的驱动量的步骤;和基于决定出的上述驱动量来驱动上述部件的步骤。专利技术效果依照一个方面,能够提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。附图说明图1是表示一个实施方式的等离子体处理装置的一例的截面图。图2是表示将图1放大的、被分割为3个部分的边缘环的一例的图。图3是表示一个实施方式的测量系统的一例的图。图4是用于说明一个实施方式的测量系统的分析功能的图。图5是对一个实施方式的反射光光谱的强度分布和傅里叶变换进行说明的图。图6是表示一个实施方式的边缘环的驱动处理的一例的流程图。图7是表示一个实施方式的晶片的配置没有偏离时的边缘部的蚀刻特性的一例的图。图8是表示一个实施方式的晶片的配置有偏离时的边缘部的蚀刻特性的一例的图。图9是表示一个实施方式的晶片的配置的偏离与升降销的位置的一例的图。图10是表示一个实施方式的每个升降销的边缘环的驱动的一例的图。1等离子体处理装置2测量系统2a测定组件10处理容器20载置台21静电吸盘22基座40上部电极40a窗部41顶部屏蔽环60控制部70光程决定部71驱动量决定部72驱动量校正表86绝缘环87边缘环87a边缘环的正面87b边缘环的背面89盖环100壳体101压电致动器102升降销110光源111光环行器113聚焦器114分光器115分析装置118光程计算部200移动机构Ra、Rb反射光具体实施方式以下,参照附图,说明用于实施本专利技术的方式。其中,在本说明书和附图中,对于实质上相同的构成,标注相同的附图标记而省略重复的说明。[等离子体处理装置]首先,参照图1,对一个实施方式的等离子体处理装置1的一例进行说明。一个实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型(CapacitivelyCoupledPlasma:CCP)的平行平板等离子体处理装置,是处理装置的一例。等离子体处理装置1具有大致圆筒形的处理容器10。处理容器10的内表面被实施了耐酸铝处理(阳极氧化处理)。在处理容器10的内部,利用等离子体对晶片W进行蚀刻、成膜等等离子体处理。载置台20具有基座22和静电吸盘21。在静电吸盘21的上表面载置晶片W。基座22例如由Al(铝)、Ti(钛)、碳化硅(SiC)等形成。在基座22上设置有静电吸盘21。静电吸盘21为在绝缘体21b之间夹着电极膜21a的结构。电极膜21a经由开关23与直流电源25连接。当开关23导通(ON)时,从直流电源25向电极膜21a施加直流电压,利用库仑力将晶片W静电吸附到静电吸盘21上。另外,载置台20也可以不具有静电吸盘21。在晶片W的周边载置包围晶片W的周边部的、环状的边缘环(edgering)87。边缘环87发挥作用以使得等离子体向晶片W的表面收束,提高等离子体处理的效率。边缘环87例如被分割为3个部分,分别由Si(硅)形成。载置台20由支承体14支承在处理容器10的底部。在基座22的内部形成有使制冷剂通过的流路24。从冷却单元输出的例如冷却水、盐水(Brine)等制冷剂,在制冷剂入口配管24a→流路24→制冷剂出口配管24b→冷却单元的路径循环。利用以这种方式循环的制冷剂将载置台20散热、冷却。制冷剂包含流体和气体。将从导热气体供给源供给的He(氦)气等导热气体通过气体供给线路28供给到静电吸盘21的上表面与晶片W的背面之间。依照上述结构,利用在流路24中循环的制冷剂和供给到晶片W的背面的导热气体将晶片W控制到规定的温度。高频电源32经由匹配器33与载置台20连接,对载置台20施加例如频率为40MHz的等离子体生成用的高频HF的功率。高频电源34经由匹配器35与载置台20连接,对载置台20施加比高频HF的频率低的、例如频率为13.56MHz的偏置电压产生用的高频LF的功率。依照上述结构,载置台20作为下部电极发挥作用。匹配器33使高频电源32的输出阻抗与来自等离子体侧的负载阻抗相匹配。匹配器35使高频电源34的内部阻抗与来自等离子体侧的负载阻抗相匹配。另外,在本实施方式中,对载置台20施加高频HF的功率,但也可以对上部电极40施加高频HF的功率。上部电极40以经由设置于其外缘的圆筒状的屏蔽环(shieldring)42封闭顶部的方式安装于处理容器10的顶部。上部电极40具有顶板44和支承体43。顶板44具有导电性,例如由硅或石英形成。支承体43以可拆装的方式支承顶板44。支承体43例如由硅或石英形成。即,顶板44和支承体43由硅或石英等测量光的波长能够透过的材质形成。在支承体43形成有扩散室46。上部电极40是与载置台20(下部电极)相对的电极,作为气体喷头(gasshowerhead)发挥作用。在上部电极40的周边部,在屏蔽环42的下表面配置有由石英(SiO2)等形成的顶部屏蔽环(topshieldring)41。在载置台20的侧面和边缘环87的周边,配置有圆环状的盖环(coverring)89和绝缘环(insulatorring)86。盖环89和绝缘环86可以由石英形成。在上部电极40形成有气体导入口45。从气体供给源15输出的气体,经由气体导入口45被供给到扩散室46,被扩散并从多个气体供给孔47供给到处理容器10内的等离子体处理空间U。在处理容器10的底面形成有排气口55。利用与排气口55连接的排气装置50对处理容器10内进行排气和减压。由此,能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设置于处理室内的部件的驱动方法,其特征在于,包括:/n对所述部件照射具有能够透过所述部件的波长的测量光的步骤;/n基于来自所述部件的正面的反射光和来自所述部件的背面的反射光来检测反射光的强度分布的步骤;/n对表示所述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤;/n基于所述光程差来决定所述部件的驱动量的步骤;和/n基于决定出的所述驱动量来驱动所述部件的步骤。/n

【技术特征摘要】
20180515 JP 2018-0940891.一种设置于处理室内的部件的驱动方法,其特征在于,包括:
对所述部件照射具有能够透过所述部件的波长的测量光的步骤;
基于来自所述部件的正面的反射光和来自所述部件的背面的反射光来检测反射光的强度分布的步骤;
对表示所述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤;
基于所述光程差来决定所述部件的驱动量的步骤;和
基于决定出的所述驱动量来驱动所述部件的步骤。


2.如权利要求1所述的部件的驱动方法,其特征在于:
所述部件是消耗部件。


3.如权利要求2所述的部件的驱动方法,其特征在于:
所述消耗部件是边缘环、绝缘环、盖环和顶部屏蔽环的至少任一者。


4.如权利要求3所述的部件的驱动方法,其特征在于:
所述消耗部件是边缘环,
所述边缘环被分割为多个部分,
驱动所述部件的步骤基于决定出的所述驱动量来驱动被分割为多个部分的所述边缘环的至少任一部分。


5.如权利要求1~4中任一项所述的部件的驱动方法,其特征在于:
所述进行照射的步骤对设置于所述处理室内的部件的多个部位照射所述测量光,
所述检测强度分布的步骤基于来自所述部件的各部位的正面的反射光和来自所述部件的各部位的背面的反射光来检测反射光在各部位的强度分布,
所述计算光程差的步骤对表示检测出的各部位的所述强度分布的光谱进行傅里叶变换来求取各部位的光程差,
决定所述部件的驱动量的步骤基于各部...

【专利技术属性】
技术研发人员:守屋瑠美子伴瀬贵德佐藤优秋月侑治谷川雄洋
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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