基板处理系统技术方案

一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热处理装置的晶圆的输入输出口相邻的区域、基板输送区域的与相对于盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。另外，声波反射装置也可以安装于基板输送装置。

Substrate Processing System

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理系统
(关联申请的相互参照)本申请基于2017年2月24日在日本国提出申请的特愿2017-32961号和2017年12月27日在日本国提出申请的特愿2017-251489号主张优先权，将其内容引用于此。本专利技术涉及一种基板处理系统，该基板处理系统具备对基板进行处理的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。
技术介绍
在例如半导体器件的制造工艺的光刻工序中，依次进行如下处理等：向例如作为基板的半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)表面上供给涂敷液而形成防反射膜、抗蚀剂膜的涂敷处理；将抗蚀剂膜曝光成预定的图案的曝光处理；使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理；加热晶圆的热处理，在晶圆上形成预定的抗蚀剂图案。然后，以抗蚀剂图案为掩模进行蚀刻处理，之后进行抗蚀剂膜的去除处理等，而在晶圆上形成预定的图案。这一系列的处理利用作为搭载有处理晶圆的各种处理装置、输送晶圆的输送机构等的基板处理系统的涂敷显影处理系统来进行。另外，在涂敷显影处理系统中，例如，为了使输送区域内的气氛保持清洁，使设置有输送机构的输送区域密闭，并且，在输送区域的顶面设置有供给清洁的空气的下降气流的ULPA(超低穿透率空气，UltraLowPenetrationAir)过滤器(专利文献1)。通过设置ULPA过滤器，能够使输送区域内的浮游微粒向系统的下方流下，利用排气机构排出。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国2012-154688号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题不过，针对装置内的微粒的控制，认为：随着半导体器件的制造工艺的微细化，要管理的微粒今后也变得越来越严格。因而，对于如专利文献1那样仅针对输送区域设置ULPA过滤器作为防止浮游微粒向基板附着的对策，认为此对策作为装置内的微粒的控制并不充分。例如，即使设置有ULPA过滤器，也存在如下情况：由于晶圆输送装置的动作等而气流的流动被阻断、变更，产生与晶圆输送装置未动作的静止状态不同的内部气流，从而一度朝向下方的浮游微粒再次向上方流动。在该情况下，具有也存在长时间未被从输送区域排出的微粒的可能性，预想到：根据制造工艺，也需要这样的微粒的管理。本专利技术是鉴于这点而做成的，目的在于在基板处理系统中更可靠地防止浮游微粒向基板附着，该基板处理系统具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。用于解决问题的方案为了达成所述目的，本专利技术的一形态是一种基板处理系统，该基板处理系统具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域，该基板处理系统的特征在于，在所述基板输送区域具备辐射声波的声波辐射装置。根据本专利技术，辐射声波的声波辐射装置设置于所述基板输送区域，因此，能够使浮游微粒向排气机构的方向移动，因此，能够更可靠地防止浮游微粒向基板附着。专利技术的效果根据本专利技术，在如下基板处理系统中能够更可靠地防止浮游微粒向基板附着：具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。附图说明图1是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的俯视图。图2是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的主视图。图3是表示第1实施方式的基板处理系统的的结构的概略的后视图。图4是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的纵剖侧视图。图5是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的纵剖主视图。图6是表示声波辐射装置的一个例子的俯视图。图7是表示声波辐射装置的另一个例子的侧视图。图8是表示本专利技术的第1实施方式的基板处理系统的另一个例子的概略的说明图。图9是本专利技术的第1实施方式的基板处理系统的又一个例子的说明图。图10是用于说明本专利技术的第2实施方式的基板处理系统的概略的图。图11是表示冷却板的另一个例子的图。图12是用于说明本专利技术的第3实施方式的基板处理系统的概略的图。图13是设置到架单元的收纳块的内部的俯视图。具体实施方式(第1实施方式)以下，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是表示本专利技术的第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的说明图。图2和图3是分别示意性地表示各基板处理系统的内部结构的概略的、主视图和后视图。图4和图5是分别示意性地表示基板处理系统的内部结构的概略的、纵剖侧视图和纵剖主视图。此外，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。基板处理系统1具有如下各站连接成一体而成的结构：盒站10，如图1所示那样收容有多张晶圆W的盒C相对于该盒站10输入输出；处理站11，其具备对晶圆W实施预定的处理的多个各种处理装置；以及转接站13，其在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶圆W的交接。在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个在相对于基板处理系统1的外部输入输出盒C之际载置盒C的盒载置板21。在盒站10中，在盒载置台20与处理站11之间设置有晶圆输送区域L。在晶圆输送区域L中如图1所示那样设置有在沿着X方向延伸的输送路径22上移动自如的晶圆输送装置23。晶圆输送装置23也沿着上下方向和绕铅垂轴线(θ方向)移动自如，能够在各盒载置板21上的盒C与随后论述的处理站11的第3块G3的交接装置之间输送晶圆W。在处理站11中设置有具备各种装置的多个、例如第1块～第4块G1、G2、G3、G4。在例如处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第1块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第2块G2。另外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第3块G3，在处理站11的转接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第4块G4。在例如第1块G1中，如图2所示那样多个液处理装置、例如对晶圆W进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、向晶圆W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、以及在晶圆W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33从下起按照该顺序配置。例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别沿着水平方向排列配置有4个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，在例如晶圆W上进行涂敷预定的涂敷液的旋涂。在旋涂中，例如从涂敷喷嘴向晶圆W上喷出涂敷液，并且，使晶圆W旋转而使涂敷液在晶圆W的表面扩散。在例如第2块G2中，如图3所示那样沿着上下方向等排列设置有进行晶圆W的加热、冷却这样的热处理的热处理装置40、用于使抗蚀剂液与晶圆W之间的固定性提高的粘附装置41、以及对晶圆W的外周部进行曝光的周边曝光装置42。对于这些热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量、配置，也能够任意地选择。在例如第3块G3设置有多个交接装置等层叠而成的架单元。另外，在第4块G4也设置有多个交接装置等层叠而成的架单元。在如图1所示那样由第1块G1～第4块G4围成的区域形成有晶圆输送区域R。另外，如图1所示那样在第3块G3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理系统，其具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域，在该基板处理系统中，该基板处理系统具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止所述基板输送区域内的浮游微粒向基板附着。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.24 JP 2017-032961;2017.12.27 JP 2017-251481.一种基板处理系统，其具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域，在该基板处理系统中，该基板处理系统具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止所述基板输送区域内的浮游微粒向基板附着。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，所述声波辐射装置设置于所述基板输送区域的与所述处理装置的基板输入输出口相邻的区域。3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，该基板处理系统具备用于载置盒的盒载置部，该盒用于收容基板，所述声波辐射装置设置于所述基板输送区域的、与相对于所述盒载置部而言的基板输入输出口相邻的区域。4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，该基板处理系统具备基板输送装置，该基板输送...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽岛仁志，松冈伸明，中岛常长，安武孝洋，船越秀朗，中村泰之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP