热处理模组及半导体制造装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种能够抑制因热处理产生的升华物附着于晶圆并使热处理的基板的面内均匀性良好的热处理模组及半导体制造装置。该热处理装置具有：壳体，其包括俯视呈方形的壳体基端部和俯视呈圆弧状的壳体顶端部；基板载置台，其设于所述壳体内，具有对载置的所述基板进行加热的加热机构；以及盖，其限定所述基板载置台上方的空间，所述热处理模组还具有：狭缝，其设于所述壳体的所述壳体顶端部，用于移入移出所述基板；以及排气部，在俯视状态下，该排气部位于所述狭缝与所述基板载置台之间。

Heat treatment module and semiconductor manufacturing device

【技术实现步骤摘要】
热处理模组及半导体制造装置
本技术涉及用于对基板进行热处理的热处理模组及半导体制造装置。
技术介绍
在半导体制造工序之一的光刻工序中，利用半导体制造装置在作为加工对象的半导体晶圆(以下简称晶圆)的表面形成抗蚀图案。在该半导体制造装置中，包含用于对晶圆进行各种处理的处理模组，大致按照涂布、前烘、曝光、曝光后烘烤以及显影的顺序进行处理。
技术实现思路
技术要解决的问题在对涂布完药液的晶圆进行PAB热处理的过程中，存在因热处理产生的升华物附着于晶圆的担忧，并且，若热处理时的气流紊乱，容易招致热处理的晶圆的面内均一性恶化。本技术正是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制因热处理产生的升华物附着于晶圆并使热处理的晶圆的面内均匀性良好的热处理模组及半导体制造装置。用于解决问题的方案本技术的第1技术方案的热处理模组用于对基板进行热处理，在该热处理装置中，具有：壳体，其包括俯视呈方形的壳体基端部和俯视呈圆弧状的壳体顶端部；基板载置台，其设于所述壳体内，具有对载置的所述基板进行加热的加热机构；以及盖，其限定所述基板载置台上方的空间，所述热处理模组还具有：狭缝，其设于所述壳体的所述壳体顶端部，用于移入移出所述基板；以及排气部，在俯视状态下，该排气部位于所述狭缝与所述基板载置台之间。采用该热处理模组，由于在狭缝与加热机构之间形成有排气部，因此能够防止因热处理而产生的升华物自狭缝向壳体外部扩散。并且，由于壳体顶端部形成为圆弧状，因此狭缝也形成为圆弧状，因此，能够使狭缝到排气部的距离相等，从而容易形成稳定的气流。并且，能够抑制因热处理产生的升华物附着于基板并使热处理的基板的面内均匀性良好。在本技术的第2技术方案的热处理模组中，在所述排气部以在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上孔径不同的方式设有多个排气孔。采用该热处理模组，由于多个排气孔的孔径在从壳体基端部到壳体顶端部的方向上不同，因此，能够缓和因为距排气管道的距离的不同而造成的排气流速的不均衡。在本技术的第3技术方案的热处理模组中，在所述排气部以在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上密度不同的方式设有多个的排气孔。采用该热处理模组，由于多个排气孔的密度在从壳体基端部到壳体顶端部的方向上不同，因此，能够缓和因为距排气管道的距离的不同而造成的排气流速的不均衡。在本技术的第4技术方案的热处理模组中，在所述排气部设有排气狭缝口，该排气狭缝口的宽度在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上不同。采用该热处理模组，由于排气狭缝口的宽度在从壳体基端部到壳体顶端部的方向上不同，因此，能够缓和因为距排气管道的距离的不同而造成的排气流速的不均衡。在本技术的第5技术方案的热处理模组中，所述排气部形成于所述加热机构的周围。采用该热处理模组，由于排气部以包围加热机构的方式形成，因此容易形成均匀的气流。在本技术的第6技术方案的热处理模组中，所述排气部被分割为多个。采用该热处理模组，由于排气部被分割为多个，因此容易在加热机构的两侧均等地排气。在本技术的第7技术方案的热处理模组中，所述排气部以包围所述加热机构的整周的方式形成。采用该热处理模组，由于排气部以包围加热机构的整周的方式形成，因此容易遍及基板的整周地均等排气。在本技术的第8技术方案的热处理模组中，在所述壳体的所述壳体基端部设有排气管道，该排气管道与所述排气部相连通。采用该热处理模组，由于在壳体基端部设有与排气部相连通的排气管道，因此，容易进行排气。在本技术的第9技术方案的热处理模组中，还具有用于开闭所述狭缝的气幕和/或闸门机构。采用该热处理模组，由于具有用于开闭所述狭缝的气幕和/或闸门机构，因此能够防止壳体内部被壳体外部的颗粒污染。在本技术的第10技术方案的热处理模组中，所述盖具有送风孔。采用该热处理模组，由于盖具有送风孔，因此能够通过送风孔控制基板处理空间的气流。另外，基板处理空间未被完全密封，包含因热处理产生的升华物在内的气流在盖与加热机构之间泄露。能够利用排气部将泄露的气流排出。在本技术的第11技术方案的热处理模组中，所述热处理模组还具有冷却机构，该冷却机构具有驱动部，能够在所述加热机构的上部与所述加热机构的外部之间移动；所述基板载置台具有使所述基板升降的升降机构，所述冷却机构具有用于使该冷却机构在位于所述加热机构的上部时避开所述升降机构的缺口部。采用该热处理模组，由于冷却机构具有用于使该冷却机构在位于加热机构的上部时避开升降机构的缺口部，因此能够避免冷却机构与升降机构发生干涉，从而能够根据基板的不同要求规格而选择不同的冷却手段。在本技术的第12技术方案的半导体制造装置中，该半导体制造装置具有排气总管以及包括第1技术方案～第11技术方案中任一项所述的热处理模组在内的基板处理模组，所述半导体制造装置设有用于层叠多个所述基板处理模组的架构件，所述排气总管与多个所述基板处理模组连通并延上下方向延伸。采用该半导体制造装置，除了具有以上的效果之外，由于具有多个基板处理模组连通并延上下方向延伸的排气总管，因此能够使排气总管通用化，从而能够削减制造成本。另外，由于将多个基板处理模组上下堆叠，因此能够减小占用面积。在本技术的第13技术方案的半导体制造装置中，所述半导体制造装置具有用于将多个所述基板处理模组自所述架构件的基端部插入的滑动机构。采用该半导体制造装置，由于具有用于将多个基板处理模组自架构件的基端部插入抽出的滑动机构，因此，容易更换基板处理模组。并且，能够通过自基端侧抽出基板处理模组来对基板处理模组进行维护，因此能够提高维护性。技术的效果采用本技术的热处理模组及半导体制造装置，能够抑制因热处理产生的升华物附着于晶圆并使热处理的基板的面内均匀性良好。附图说明图1是应用有本技术的热处理模组的半导体制造装置的立体图。图2是应用有本技术的热处理模组的半导体制造装置的示意性的俯视剖视图。图3是表示本技术的实施例1的热处理模组的基本结构的俯视图。图4是图3所示的热处理模组的纵剖视图。图5(a)是本技术的实施例1的热处理模组中的排气部的图案的俯视图。图5(b)是本技术的实施例2的热处理模组中的排气部的图案的俯视图。图5(c)是本技术的实施例3的热处理模组中的排气部的图案的俯视图。图6是本技术的实施例4的热处理模组中的排气部的俯视图。图7(a)是本技术的实施例5的热处理模组中的闸门机构处于打开状态下的侧剖视图。图7(b)是本技术的实施例5的热处理模组中的闸门机构处于关闭状态下的侧剖视图。图8(a)是本技术的实施例6的热处理模组中的气幕形成喷嘴(开闭机构)吹气的状态下的侧剖视图。图8(b)是本技术的实施例6的热处理模组中的气幕形成喷嘴(开闭机构)吹气的状态下的侧剖视图。图9(a)是本技术的实施例7的热处理模组中盖部下降前的侧剖视图。图9(b)是本技术的实施例7的热处理模组中盖部下降后的侧剖视图。图9(c)是本技术的实施例7的热处理模组中盖部的仰视图。图10是本技术的实施例8的热处理模组的示意性的俯视剖视图。图11是本技术的实施例9的半导体制造装置的主要部分的侧剖视图。图12是本技术的实施例10的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理模组，其用于对基板进行热处理，所述热处理模组的特征在于，该热处理模组具有：壳体，其包括俯视呈方形的壳体基端部和俯视呈圆弧状的壳体顶端部；基板载置台，其设于所述壳体内，具有对载置的所述基板进行加热的加热机构；以及盖，其限定所述基板载置台上方的空间，所述热处理模组还具有：狭缝，其设于所述壳体的所述壳体顶端部，用于移入移出所述基板；以及排气部，在俯视状态下，该排气部位于所述狭缝与所述基板载置台之间。

【技术特征摘要】
1.一种热处理模组，其用于对基板进行热处理，所述热处理模组的特征在于，该热处理模组具有：壳体，其包括俯视呈方形的壳体基端部和俯视呈圆弧状的壳体顶端部；基板载置台，其设于所述壳体内，具有对载置的所述基板进行加热的加热机构；以及盖，其限定所述基板载置台上方的空间，所述热处理模组还具有：狭缝，其设于所述壳体的所述壳体顶端部，用于移入移出所述基板；以及排气部，在俯视状态下，该排气部位于所述狭缝与所述基板载置台之间。2.根据权利要求1所述的热处理模组，其特征在于，在所述排气部以在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上孔径不同的方式设有多个排气孔。3.根据权利要求1所述的热处理模组，其特征在于，在所述排气部以在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上密度不同的方式设有多个的排气孔。4.根据权利要求1所述的热处理模组，其特征在于，在所述排气部设有排气狭缝口，该排气狭缝口的宽度在从所述壳体基端部到所述壳体顶端部的方向上不同。5.根据权利要求1～4中任一项所述的热处理模组，其特征在于，所述排气部以包围所述加热机构的方式形成。6.根据权利要求1～4中任一项所述的热处理模组，其特征在于，所述排气部被分割为多个。7.根据权利要求1～4中任一项所述的热处理模组，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：深川尚義，小篠勲，谷口昌之，山崎夏树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP