基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术能够有效地清洗附着在排气管的附着物。基片处理装置(10)包括：内管(51)，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的酸性药液用配管(150)或者碱性药液用配管(160)的任一者；和液体供给部(60)，其从外部对内管(51)供给用于清洗的液体；排气切换装置(70)，其通过使内管(51)旋转，将废气的排出目的地设定(切换)为酸性药液用配管(150)或者碱性药液用配管(160)的任一者；和包含控制部(18)的控制装置(4)，控制部(18)构成为能够执行：控制排气切换装置(70)以使内管(51)旋转的操作；和控制液体供给部60)以对旋转的内管(51)供给液体的操作。

Substrate Processing Device, Substrate Processing Method and Computer Readable Storage Media

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种通过对基片供给各种药液和冲洗液，来除去附着在基片的附着物(例如，抗蚀剂膜、污染物、氧化膜等)的液体处理装置。该装置包括：保持基片并使其旋转的旋转驱动部；对基片供给药液或者冲洗液的喷嘴；和杯体，其包围由旋转驱动部保持的基片的周围并且接收从喷嘴供给到基片后的液体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-128015号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在上述的装置中，具有将由液体处理产生的废气排出到外部的排气管。排气管对例如与供给到基片的药液的性质(酸性或者碱性)相应的外部配管排出废气。排气管构成为例如通过旋转来切换所连通的外部配管(废气的排出目的地)。此处，有时在排气管的侧面(外周面)等，附着与废气的排出有关的附着物(例如，通过酸性的药液和碱性的药液反应而产生的结晶)。一直以来，难以有效地清洗这样的附着物，需要定期地进行用于清洗该附着物的处理，该附着物妨碍了高效的基片处理。因此，本专利技术说明一种能够有效地清洗附着在排气管的附着物的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。用于解决技术问题的技术手段本专利技术的一个方面的基片处理装置包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；液体供给部，其从外部对排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使排气管旋转，将废气的排出目的地设定为第一配管或者第二配管的任一者；和控制部，其构成为能够执行：控制排出目的地设定部以使排气管旋转的操作；和控制液体供给部以对旋转的排气管供给液体的操作。本专利技术的另一方面的基片处理方法包括：通过使排气管旋转，将废气的排出目的地设定为作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者的工序，其中上述排气管用于将因基片处理而产生的上述废气排出到外部配管；和对旋转的排气管排出液体，清洗排气管的工序。专利技术效果根据本专利技术的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质，能够有效地清洗附着在排气管的附着物。附图说明图1是概略地表示基片处理系统的平面图。图2是表示处理单元的图。图3是表示排气管的概略构成的图。图4是表示排气管的详细构成的图，(a)是立体图，(b)是沿着(a)的b-b线的截面立体图。图5是排气管的截面图。图6是表示内管的立体图。图7是表示控制部18的功能块的图。图8是用于说明杯体清洗处理工序的流程图。图9是用于说明晶片主处理工序的流程图。附图标记说明10…基片处理装置，21…旋转保持部，51…内管，51a…第一贯通区域，51b…第二贯通区域，51x…第一区域，51y…第二区域，60…液体供给部，70…排气切换装置，150…酸性药液用配管，160…碱性药液用配管，W…晶片。具体实施方式以下所说明的本专利技术的实施方式是用于说明本专利技术的例示，故而本专利技术不限于以下的内容。在以下的说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素使用相同附图标记，并省略重复的说明。[基片处理系统的构成]图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，使Z轴正方向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体载置部11和运送部12。在载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基片(本实施方式中为半导体晶片(以下为晶片W))的多个载体C。运送部12与载体载置部11相邻设置，在内部设有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间运送晶片W。处理站3与运送部12相邻设置。处理站3包括运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置在运送部15的两侧。运送部15在内部设有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间运送晶片W。处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19收纳对在基片处理系统1中执行的各种的处理进行控制的程序。控制部18读取并执行存储在存储部19的程序，来控制基片处理系统1的动作。此外，该程序可以存储在计算机可读取的存储介质，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，被送入处理单元16。送入到处理单元16的晶片W在由处理单元16进行了处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，由基片运送装置13将载置于交接部14的已处理的晶片W送回载体载置部11的载体C。[基片处理装置的构成]接着，参照图2，说明基片处理系统1所包含的基片处理装置10的构成。基片处理装置10将在表面形成有膜F的晶片W(基片)作为处理对象，进行从晶片W的周缘部Wc(周缘的附近部分)除去膜F的处理。晶片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。晶片W可以具有一部分被切掉的切口部。切口部例如可以为缺口(U字形、V字形等的槽)，也可以为以直线状延伸的直线部(所谓的定向平面(orientationflat))。晶片W例如可以为半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPD(FlatPanelDisplay)基片这样的其他的各种基片。晶片W的直径例如可以为200mm～450mm的程度。作为膜F的具体例，例如能够举出TiN膜、Al膜、钨膜、SiN膜、SiO2膜、多晶硅膜、热氧化膜(Th-Ox)等。基片处理装置10包括处理单元16和对其进行控制的控制装置4。处理单元16包括旋转保持部21、液体供给部22～25、温度调节部26和杯体27。另外，处理单元16具有未图示的送风机，由该送风机在处理单元16内形成下降流。旋转保持部21保持晶片W并使其旋转。旋转保持部21包括保持部21a和旋转驱动部21b。保持部21a基于来自控制装置4的控制部18的动作信号来动作，例如通过真空吸附等将晶片W的中心部保持为大致水平的。旋转驱动部21b例如是以电动机等为动力源的致动器，与保持部21a连接。旋转驱动部21b基于来自控制部18的动作信号来动作，使保持部21a绕沿铅垂方向延伸的旋转轴Ax旋转。即，旋转保持部21在晶片W的姿势为大致水平的状态下，使晶片W绕与晶片W的表面Wa垂直的轴(旋转轴Ax)旋转。在本实施方式中，旋转轴Ax通过呈圆形的晶片W的中心，因此也是晶片W的中心轴。在本实施方式中，旋转保持部21使晶片W从上方观察时的顺时针或逆时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；液体供给部，其从外部对所述排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使所述排气管旋转，将所述废气的排出目的地设定为所述第一配管或者所述第二配管的任一者；和控制部，所述控制部构成能够为执行：控制所述排出目的地设定部以使所述排气管旋转的操作；和控制所述液体供给部以对旋转的所述排气管供给所述液体的操作。

【技术特征摘要】
2018.02.27 JP 2018-0333971.一种基片处理装置，其特征在于，包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；液体供给部，其从外部对所述排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使所述排气管旋转，将所述废气的排出目的地设定为所述第一配管或者所述第二配管的任一者；和控制部，所述控制部构成能够为执行：控制所述排出目的地设定部以使所述排气管旋转的操作；和控制所述液体供给部以对旋转的所述排气管供给所述液体的操作。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，所述控制部控制所述排出目的地设定部，以在所述基片旋转的期间使所述排气管旋转。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，所述旋转保持部在使所述基片在第一方向旋转后，使所述基片在与该第一方向相反的方向即第二方向旋转，所述控制部控制所述排出目的地设定部，使得在所述基片的旋转方向从所述第一方向切换为所述第二方向时的所述基片的停止时段中，使所述排气管旋转。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述液体供给部排出作为所述液体的稀氟酸和冲洗液的至少任一者。5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述液体供给部包括供给所述稀氟酸的第一供给部和供给所述冲洗液的第二供给部，所述控制部在控制所述第一供给部以使得对旋转的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈村元洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP