基片处理装置和基片温度测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种容易地测量基片温度的技术，实施方式的基片处理装置包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。

Substrate processing device and substrate temperature measurement method

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片温度测量方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片温度测量方法。
技术介绍
专利文献1中公开了对于由辊输送装置平流(日语：平流し)输送的基片，通过预加热部和主加热部加热基片的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-66318号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术提供容易地测量基片温度的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术一个方式的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。专利技术效果根据本专利技术，能够容易地测量基片温度。附图说明图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构示意图。图2是表示实施方式的利用辊输送装置进行基片输送的示意图。图3是表示实施方式的第二加热单元的概略结构的示意图。图4是表示实施方式的温度测量装置的概略结构的示意图。图5是表示实施方式的基片温度测量方法的流程图。附图标记说明1基片处理装置41第二加热单元50第一热处理部(热处理部)51第二热处理部(热处理部)70温度测量装置71温度测量部72数据记录器73辐射温度计73b透镜74安装部74c透射窗75连结部76冷却部81第一喷嘴(温度计冷却喷嘴)82第二喷嘴(透射窗冷却喷嘴)。具体实施方式以下，参照附图详细地说明本专利技术公开的基片处理装置和基片温度测量方法的实施方式。但是，并不限定于以下所示的实施方式中公开的基片处理装置和基片温度测量方法。＜整体结构＞参照图1对实施方式的基片处理装置1进行说明。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。基片处理装置1包括晶盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。晶盒站2用于载置收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的晶盒C。晶盒站2包括：能够载置多个晶盒C的载置台10；和在晶盒C与第一处理站3之间以及第二处理站5与晶盒C之间进行基片S的输送的输送装置11。输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心进行旋转。第一处理站3对基片S进行包括光致抗蚀剂的涂敷的处理。第一处理站3包括准分子紫外光UV照射单元(e-UV)20、擦拭清洗单元(SCR)21、预加热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。这些单元20～24配置在从晶盒站2向接口站4去的方向上。具体而言，按照准分子紫外光UV照射单元20、擦拭清洗单元21、预加热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。这些单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向上按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。另外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。准分子紫外光UV照射单元20从发出紫外光的紫外光灯向基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。擦拭清洗单元21对被除去了有机物的基片S供给清洗液(例如，脱离子水(DIW))、并利用刷子等的清洗部件清洗基片S的表面。另外擦拭清洗单元21利用送风机等对清洗后的基片S进行干燥。预加热单元22将由擦拭清洗单元21干燥后的基片S进一步加热，使基片S进一步干燥。粘接单元23对干燥了的基片S喷涂六甲基己硅烷(HMDS)、对基片S进行疏水处理。第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹送冷风来冷却基片S。光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却了的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。减压干燥单元26使形成在基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。第一加热单元27将对光致抗蚀剂膜进行干燥了的基片S加热，并除去光致抗蚀剂膜中含有的溶剂等。第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹送冷风来冷却基片S。在此，关于辊输送装置29参照图2进行说明。图2是表示利用实施方式的辊输送装置29进行的基片输送的示意图。辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。在辊输送装置29中，通过驱动装置29b使辊29a旋转，伴随着辊29a的旋转来输送基片S。即，辊输送装置29将基片S平流地输送。驱动装置29b例如是电动机。如图1中的箭头L所示，辊输送装置29将基片S从准分子紫外光UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，如图1中箭头M所示，辊输送装置29将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心旋转。输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。另外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以由不同的输送臂在各个单元间进行基片S的输送。在接口站4中，通过第一处理站3形成有光致抗蚀剂膜的基片S被输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转台(RS)32。外部曝光装置8包括外部装置组件8A和曝光装置8B。外部装置组件8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。另外，外部装置组件8A利用打标器(TITLER)将规定的信息写入到在曝光装置8B中被曝光为电路图案的基片S。曝光装置8B使用具有与电路图安对应的图案的光掩模将光致抗蚀剂膜曝光。输送装置31包括输送臂31a。输送臂31a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心转动。输送装置31将基片S从第二冷却单元28输送到旋转台32。另外，输送装置31将基片S从旋转台32运动到外部装置组件8A的周边曝光装置，将外周的光致抗蚀剂膜已被除去的基片S输送到曝光装置8B。另外，输送装置31将被曝光为电路图案的基片S从曝光装置8B输送到外部装置组件8A的打标器。然后，输送装置31将被写入了规定的信息的基片S从打标器输送到第二处理站5的显影单元(DEV)40。第二处理站5进行包括显影在内的处理。第二处理站5包括：显影单元40、第二加热单元(HT)41、第三冷却单元(COL)42、检查单元(IP)43、辊输送装置44(参照图2)。这些单元40～43在从接口站4向晶盒站2去的方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n对被平流地输送的基片进行热处理的热处理部；和/n能够相对于所述热处理部拆装的温度测量部，该温度测量部具有测量所述基片的温度的辐射温度计，/n所述温度测量部包括能够相对于所述热处理部拆装的安装部，所述安装部具有与所述辐射温度计隔开间隔的、透射红外线的透射窗。/n

【技术特征摘要】
20180606 JP 2018-1083691.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对被平流地输送的基片进行热处理的热处理部；和
能够相对于所述热处理部拆装的温度测量部，该温度测量部具有测量所述基片的温度的辐射温度计，
所述温度测量部包括能够相对于所述热处理部拆装的安装部，所述安装部具有与所述辐射温度计隔开间隔的、透射红外线的透射窗。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述温度测量部具有连结部，所述连结部在使所述辐射温度计相对于所述安装部隔开间隔的状态下连结所述辐射温度计与所述安装部。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
在使所述辐射温度计的透镜的中心与设置在所述安装部的所述透射窗的中心大致一致的状态下，所述连结部连结所述辐射温度计与所述安装部。


4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述安装部、所述连结部中的至少一者的外表面为黑色。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括向所述辐射温度计排出冷却气体的温度计冷却喷嘴。


6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：佐田彻也，麻生丰，鬼塚靖之，佐竹顺，下田贵弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP