晶圆吸附盘、晶圆吸附系统以及晶圆键合设备技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种晶圆吸附盘，包括：吸附盘体，以及多个吸附控制通道；其中，所述吸附盘体上均匀密布有多个吸附孔；所述多个吸附控制通道与所述多个吸附孔一一对应连接，以使所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制。此外，本发明专利技术实施例还公开了一种晶圆吸附系统以及晶圆键合设备。

Wafer adsorption disk, wafer adsorption system and wafer bonding equipment

【技术实现步骤摘要】
晶圆吸附盘、晶圆吸附系统以及晶圆键合设备
本专利技术涉及半导体制造工艺
，尤其涉及一种晶圆吸附盘、晶圆吸附系统以及晶圆键合设备。
技术介绍
晶圆键合技术，是指将两片经过抛光的晶圆紧密粘结在一起；这种技术在半导体制造中有着越来越广泛的应用。在键合过程中，两片晶圆上不同位置贴合的顺序以及速度直接关系到晶圆键合的对准精度。因此，晶圆键合设备中对晶圆进行吸附控制的部件至关重要，对晶圆上不同位置的控制以及控制的均匀性好坏都是影响晶圆键合效果的关键。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆吸附盘、晶圆吸附系统以及晶圆键合设备。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种晶圆吸附盘，包括：吸附盘体，以及多个吸附控制通道；其中，所述吸附盘体上均匀密布有多个吸附孔；所述多个吸附控制通道与所述多个吸附孔一一对应连接，以使所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制。上述方案中，所述吸附孔以每平方厘米至少一个的密度分布在所述吸附盘体上。上述方案中，所述吸附孔的开口尺寸小于等于0.5厘米。上述方案中，所述多个吸附孔在所述吸附盘体上呈点阵式分布。上述方案中，所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制，包括所述吸附孔能够在以下参数至少之一接受独立控制：吸附起始时间、吸附时长、吸力大小。本专利技术实施例还提供了一种晶圆吸附系统，包括上述方案中任意一项所述的晶圆吸附盘，以及吸附控制单元；其中，所述吸附控制单元，用于通过所述吸附控制通道控制所述吸附孔工作；还用于保存第一数据，所述第一数据包括按键标识与功能的对应关系，所述功能包括控制所述多个吸附孔中的至少一个预设吸附孔以预设参数工作。本专利技术实施例还提供了一种晶圆键合设备，包括上述方案中任意一项所述的晶圆吸附盘。上述方案中，所述晶圆键合设备包括上晶圆吸附盘以及下晶圆吸附盘；上述方案中任意一项所述的晶圆吸附盘为所述晶圆键合设备的上晶圆吸附盘。本专利技术实施例所提供的晶圆吸附盘、晶圆吸附系统以及晶圆键合设备，其中，晶圆吸附盘包括：吸附盘体，以及多个吸附控制通道；所述吸附盘体上均匀密布有多个吸附孔；所述多个吸附控制通道与所述多个吸附孔一一对应连接，以使所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制；如此，将晶圆吸附盘的吸附功能由分区域的吸附改为均匀密布的吸附孔吸附，各个吸附孔相互独立互不干扰，且能够接受独立控制，大大提高了晶圆吸附盘对晶圆的吸附控制能力，提高了晶圆键合过程中晶圆贴合的控制精度。附图说明图1为相关技术中晶圆吸附盘的俯视图；图2为本专利技术实施例提供的晶圆吸附盘的结构剖视图；图3为本专利技术实施例提供的晶圆吸附盘的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的晶圆吸附系统的结构剖视图；图5为本专利技术实施例提供的晶圆键合设备的结构剖视图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本专利技术公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本专利技术的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本专利技术，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本专利技术，并且能够将本专利技术公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。相关技术中晶圆吸附盘一般设计为具有多个不同的区域，通过这些区域抽真空来吸附晶圆，从而控制晶圆上不同区域的贴合时间及速度。图1示出了相关技术中晶圆吸附盘的俯视图；如图所示，作为一种相关技术的举例，晶圆吸附盘包括：位于中心的直径Ф等于218mm的圆形区域Zone1、分布在Zone1以外的45°、135°、225°、315°方向上四个类扇形区域的Zone2、分布在Zone1以外的0°、90°、180°、270°方向上四个类扇形区域的Zone3、分布在Zone2及Zone3外缘且Ф大于294mm处的Zone4；如此，只能以这有限的四个区域为单位进行分别的抽真空控制，无法针对特定位置进行调节，因而对晶圆上不同位置的贴合顺序以及速度控制灵活性较差，控制的均匀性也不好，越来越难以满足晶圆键合对准精度的要求。基于此，本专利技术实施例提供了一种晶圆吸附盘。结合附图2、3，所述晶圆吸附盘包括：吸附盘体10，以及多个吸附控制通道20；其中，所述吸附盘体10上均匀密布有多个吸附孔101；所述多个吸附控制通道20与所述多个吸附孔101一一对应连接，以使所述吸附孔101通过与之对应连接的吸附控制通道20接受独立控制。这里，所述晶圆吸附盘可以通过吸附孔内抽真空来对晶圆进行吸附；在这种情况下，所述晶圆吸附盘也称为真空吸附盘，所述吸附孔也称为真空吸附孔；所述吸附控制通道即为将晶圆吸附盘上的吸附孔与真空泵连接的通道。本专利技术实施例中，通过将晶圆吸附盘的吸附功能由分区域的吸附改为均匀密布的吸附孔吸附，各个吸附孔相互独立互不干扰，且能够接受独立控制，大大提高了晶圆吸附盘对晶圆的吸附控制能力，提高了晶圆键合过程中晶圆贴合的控制精度。可以理解地，所述吸附孔101在所述吸附盘体10上的布置密度应尽可能大；在一具体实施例中，所述吸附孔101以每平方厘米至少一个的密度分布在所述吸附盘体10上。在一实施例中，所述吸附孔101的开口尺寸小于等于0.5厘米。所述吸附孔的形状包括但不限于圆形，例如还可以为六边形孔等；当所述吸附孔为圆形时，所述吸附孔的开口尺寸指直径大小；当所述吸附孔为其它形状时，所述吸附孔的开口尺寸吸附孔外缘上相距最远的两个点之间的距离。所述吸附孔101应尽可能地布满所述吸附盘体10；即，除硬件冲突(例如，取放晶圆的升降结构的预留孔等)以外，所述吸附盘体10上不存在面积大于所述吸附孔101面积而未布置吸附孔的空余位置。所述多个吸附孔101在所述吸附盘体10上具体可以呈点阵式分布。在一实施例中，所述多个吸附孔101在所述吸附盘体10上呈矩阵式分布；在另一实施例中，所述多个吸附孔101在所述吸附盘体10上呈蜂窝式分布。在一具体实施例中，所述吸附孔101通过与之对应连接的吸附控制通道20接受独立控制，包括所述吸附孔101能够在以下参数至少之一接受独立控制：吸附起始时间、吸附时长、吸力大小。换言之，所述多个吸附孔101的各吸附孔之间可以在不同时间分别开始提供吸力，也可以在不同时间分别结束吸附作用，各吸附孔的吸力大小可以单独条件。如此，本实施例所提供的晶圆吸附盘对晶圆上不同位置的吸附控制十分灵活。在此基础上，本专利技术实施例还提供了一种晶圆吸附系统。图4为本专利技术实施例提供的晶圆吸附系统的结构剖视图；如图所示，所述晶圆吸附系统包括上述实施例中任意一项所述的晶圆吸附盘，以及吸附控制单元；其中，所述吸附控制单元，用于通过所述吸附控制通道20控制所述吸附孔101工作；还用于保存第一数据，所述第一数据包括按键标识与功能的对应关系，所述功能包括控制所述多个吸附孔101中的至少一个预设吸附孔以预设参数工作。可以理解地，这里的控制吸附孔工作指的是控制吸附孔产生吸力，从而对晶圆上的对应位置进行吸附。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆吸附盘，其特征在于，包括：吸附盘体，以及多个吸附控制通道；其中，/n所述吸附盘体上均匀密布有多个吸附孔；/n所述多个吸附控制通道与所述多个吸附孔一一对应连接，以使所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附盘，其特征在于，包括：吸附盘体，以及多个吸附控制通道；其中，
所述吸附盘体上均匀密布有多个吸附孔；
所述多个吸附控制通道与所述多个吸附孔一一对应连接，以使所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制。


2.根据权利要求1所述的晶圆吸附盘，其特征在于，所述吸附孔以每平方厘米至少一个的密度分布在所述吸附盘体上。


3.根据权利要求1所述的晶圆吸附盘，其特征在于，所述吸附孔的开口尺寸小于等于0.5厘米。


4.根据权利要求1所述的晶圆吸附盘，其特征在于，所述多个吸附孔在所述吸附盘体上呈点阵式分布。


5.根据权利要求1所述的晶圆吸附盘，其特征在于，所述吸附孔通过与之对应连接的吸附控制通道接受独立控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘孟勇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42