【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置制造的，更具体而言，涉及用于定位存储器装置中的接触通孔(ct)位置的方法和装置。
技术介绍
1、在制造三维(3d)存储器阵列时，在包括交替堆叠的绝缘层和导电栅极层的每个堆叠结构的端部处形成阶梯踏板区域。通过在踏板区域中进行蚀刻来在踏板区域中形成连接到栅极层的接触通孔(ct)。然后填充ct以形成导电插塞，导电插塞用于从栅极层取出电信号。
2、随着存储器技术的推进以及存储器容量需求的增长，常常相应地调节3d存储器阵列的分布结构。当通过电子束(e-束)检查机器来检查同一存储器阵列的多个位置(至少几十万个位置)，例如多个前述ct位置，以检测ct上的泄露时，由于ct分布的快速变化，难以迅速地将至少几十万被检测到的明电压对比(bvc)位置匹配到相应ct位置。因此，难以精确地识别对应于指示缺陷的bvc位置的ct位置，从而使得难以定位有缺陷的ct位置。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供了一种在存储器装置中定位接触通孔(ct)位置的方法。所述方法包括：获得包括所述存储器...
【技术保护点】
1.一种定位存储器装置中的接触通孔(CT)位置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，基于黄金CT布局验证所述BVC图像中的所述CT坐标以获得所述BVC图像中的验证CT坐标包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述BVC图像中的重复CT坐标包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述BVC图像中的错误CT坐标包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，添加所述BVC图像中的缺失CT坐标包括：
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根...
【技术特征摘要】
1.一种定位存储器装置中的接触通孔(ct)位置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，基于黄金ct布局验证所述bvc图像中的所述ct坐标以获得所述bvc图像中的验证ct坐标包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述bvc图像中的重复ct坐标包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述bvc图像中的错误ct坐标包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，添加所述bvc图像中的缺失ct坐标包括：
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求2所述的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过如下方式获得所述黄金ct布局：
11.一种定位存储器装置中的接触通孔(ct)位置的装置，包括：
12.根据权利要求11所述的装置，其中，当基于黄金ct布局验证所述bvc图像中的所述ct坐标以获得所述bvc图像中的验证ct坐标时，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文琪，王班，陈金星，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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