基片处理装置和处理液再利用方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明专利技术的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。

Substrate treatment device and reuse method of treatment solution

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和处理液再利用方法
本专利技术涉及基片处理装置和处理液再利用方法。
技术介绍
已知通过使半导体晶片等的基片浸渍于处理液中来蚀刻基片的技术。例如，在专利文献1中公开有通过使基片浸渍于磷酸水溶液中来蚀刻在基片的表面形成的氮化膜的技术。当使用磷酸水溶液反复进行基片的蚀刻处理时，磷酸水溶液中的硅浓度增加，硅氧化膜与硅氮化膜的选择比变化，不再能够良好地进行基片的蚀刻处理。因此，在专利文献1记载的技术中，通过将处理槽中存积的处理液的一部分废弃，并向处理槽中补充与废弃的量相当的量的磷酸水溶液，来将处理槽内的处理液的硅浓度调整为期望的浓度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-93478号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术提供能够削减处理液的废弃量的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸漬于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理的处理槽；/n将从所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的存积部；/n回收从所述处理槽排出的所述处理液的一部分，从回收的所述处理液中去除硅的去除部；/n将存积于所述存积部的所述处理液和由所述去除部去除了硅后的所述处理液混合的混合部；和/n使由所述混合部混合后的所述处理液返回所述处理槽的返回路径。/n

【技术特征摘要】
20180615 JP 2018-1149631.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理的处理槽；
将从所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的存积部；
回收从所述处理槽排出的所述处理液的一部分，从回收的所述处理液中去除硅的去除部；
将存积于所述存积部的所述处理液和由所述去除部去除了硅后的所述处理液混合的混合部；和
使由所述混合部混合后的所述处理液返回所述处理槽的返回路径。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
将存积于所述存积部的所述处理液中的第一量的处理液供给至所述混合部的第一供给部；和
将由所述去除部去除了硅后的所述处理液中的第二量的处理液供给至所述混合部的第二供给部。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一供给部和所述第二供给部的所述第一量和所述第二量是基于所述处理液的硅浓度的初始值设定的。


4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
多个所述处理槽；
将从多个所述处理槽排出的所述处理液回收并存积的所述存积部；
与多个所述处理槽对应的多个所述第一供给部和多个所述第二供给部；和
与多个所述处理槽对应，且与对应于同一所述处理槽的所述第一供给部和所述第二供给部连接的多个所述混合部。


5.如权利要求3所述的基片处理装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤秀明，北野淳一，金川耕三，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP