真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化有利的技术。在真空处理装置的处理容器内中，在彼此相邻的位置，第一输送空间和第二输送空间在水平方向延伸设置，并且，沿上述延伸设置方向在第一输送空间与第二输送空间之间形成中间壁部。在第一输送空间沿延伸设置方向配置1个以上的上述处理空间，在第二输送空间沿延伸设置方向配置2个以上的上述处理空间。而且，在中间壁部内形成有：对上述3个以上的处理空间分别设置的排气通路和上述排气通路在其中合流的合流排气通路。在处理容器内设置合流排气通路，因此能够实现真空处理装置的小型化和简单化。

【技术实现步骤摘要】
真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法
本专利技术涉及真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，在真空气氛下对作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)进行蚀刻、成膜等的各种各样的处理。作为如上所述对基片进行真空处理的真空处理装置，在专利文献1记载了一种在真空容器内在周向等间隔地配置4个基片处理部的结构。在真空容器内的中央设置有晶片的移载机构，经由设置于真空容器的外周部底面的排气口对真空容器内的气氛进行真空排气。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-199735号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的真空处理装置，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，上述真空处理装置的特征在于，包括：用于输送上述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行上述真空处理的处理容器内的彼此相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空处理装置，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，所述真空处理装置的特征在于，包括：/n用于输送所述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行所述真空处理的处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于所述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和/n沿所述延伸设置方向形成于所述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，/n在所述第一输送空间沿所述延伸设置方向配置1个以上的所述处理空间，在所述第二输送空间沿所述延伸设置方向配置2个以上的所述处理空间，/n在所述中间壁部内形成有：对隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路；和合流排气通路，...

【技术特征摘要】
20180615 JP 2018-1147011.一种真空处理装置，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，所述真空处理装置的特征在于，包括：
用于输送所述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行所述真空处理的处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于所述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和
沿所述延伸设置方向形成于所述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，
在所述第一输送空间沿所述延伸设置方向配置1个以上的所述处理空间，在所述第二输送空间沿所述延伸设置方向配置2个以上的所述处理空间，
在所述中间壁部内形成有：对隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路；和合流排气通路，所述排气通路在其中合流。


2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述第一输送空间、第二输送空间分别配置2个处理空间，从上方侧观察时，该4个处理空间以包围所述合流排气通路的方式180°旋转对称地配置。


3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于：
所述合流排气通路在上下方向延伸设置，所述排气通路各自以将形成于中间壁部的排气口与所述合流排气通路连接的方式设置，其中所述中间壁部位于所述处理空间的外方侧。


4.如权利要求3所述的真空处理装置，其特征在于：
在各所述处理空间与排气口之间设置有：在该处理空间的侧周部沿周向形成的缝隙状的缝隙排气口；和用于使从该缝隙排气口排出的处理气体向所述排气口流通的流通通路。


5.如权利要求1至4中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述处理空间形成在载置基片的载置台与向该处理空间供给处理气体的气体供给部之间，其中所述气体供给部具有与该载置台相对配置的相对面。


6.如权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于：
包括气体分配通路，其用于将从共用的气体供给通路供给的处理气体分配到各处理空间的气体供给部，
经由气体分配通路、气体供给部、处理空间和排气通路至合流排气通路为止的各处理气体路径形成为...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸孝幸，小林民宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP