基板处理装置、基板处理方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备：光照射部(30)，其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光；驱动部(15)，其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及控制器(100)，其控制驱动部(15)，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。

Substrate processing device, substrate processing method and storage medium

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质技术区域本公开的示例性的实施方式涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种半导体器件的制造工艺中的微细图案的形成方法。该方法包括：在基板的表面形成抗蚀膜；对抗蚀膜进行曝光；使抗蚀膜图案化；向抗蚀图案的表面照射光；以及将抗蚀图案作为掩模来进行基板的表面的蚀刻。所照射的光的波长为200nm以下。通过向抗蚀图案照射波长200nm以下的光，来改善抗蚀图案的表面的粗糙度(凹凸)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-127037号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种在向基板的表面照射处理用的光的基板处理中，能够有效提高基板的表面内的光的照射量的均匀性的基板处理装置。用于解决问题的方案本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：光照射部，其向基板的表面的比处理对象区域小的照射区域内照射处理用的光；驱动部，其使照射区域在沿着基板的表面的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及控制部，其控制驱动部，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，所述移动图案是以向处理对象区域的整个区域照射光的方式设定的图案。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括以下工序：向基板的表面的比处理对象区域小的照射区域内照射处理用的光；以及使照射位置按照移动图案沿彼此交叉的两个方向移动，所述移动图案是以向处理对象区域的整个区域照射光的方式设定的图案。专利技术的效果根据本公开，能够提供一种在向基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性的基板处理装置。附图说明图1是表示一个示例性的实施方式所涉及的基板处理装置的结构的示意图。图2是图1中的驱动部的俯视图。图3是例示光照射部的结构的示意图。图4是沿着图2中的IV-IV线得到的截面图。图5是表示光照射部的变形例的示意图。图6是例示控制器的功能性结构的框图。图7是例示控制器的硬件结构的框图。图8是例示基板处理过程的流程图。图9是例示开始照射前的基板处理装置的动作的示意图。图10是例示开始照射前的基板处理装置的动作的示意图。图11是例示照射中的扫描动作的示意图。图12是例示照射中的扫描动作的示意图。图13是表示扫描动作的变形例的示意图。图14是表示扫描动作的变形例的示意图。图15是例示照射结束后的基板处理装置的动作的示意图。图16是表示基板处理装置的变形例的示意图。具体实施方式下面，参照附图来更详细地说明各种示例性的实施方式。在下面的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号并省略重复的说明。[基板处理装置的结构]参照图1～图5来说明基板处理装置1的一例。基板处理装置1向晶圆W(基板)照射处理用的光。例如，基板处理装置1构成为向形成于晶圆W的表面的抗蚀膜或抗蚀图案照射真空紫外光(VUV光：VacuumUltraVioletLight)来改善这些抗蚀材料的表面的粗糙度。基板处理装置1也可以向曝光后的抗蚀材料照射VUV光。晶圆W既可以呈圆板状，也可以呈多边形等除圆形以外的其它板状。晶圆W可以具有一部分被切掉而形成的切口部。切口部例如既可以是槽口(U字形、V字形等的槽)，也可以是直线状地延伸的直线部(所谓的定向平面(日语：オリエンテーション·フラット))。晶圆W例如可以是半导体基板、玻璃基板、掩模基板、FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)基板以及其它各种基板。晶圆W的直径例如可以是200mm～450mm左右。如图1所示，基板处理装置1具备处理室10、光源室12以及控制器100(控制部)。处理室10包括壳体14、驱动部15、门19、气体供给部20以及真空泵22(排气部)。壳体14是例如设置在大气环境中的真空容器的一部分，构成为能够收纳由未图示的搬送机构搬送的晶圆W。壳体14呈朝上方敞开开口的有底筒状。在壳体14的壁面设置有贯通孔14a～14c。驱动部15基于控制器100的指示进行动作，使VUV光的照射区域在沿着晶圆W的表面Wa的平面内沿彼此交叉(例如正交)的两个方向移动。驱动部15构成为使上述照射区域沿上述两个方向独立地移动。换句话说，驱动部15构成为能够独立地变更照射区域在上述两个方向上的位置。更具体地说，驱动部15构成为能够变更照射区域在两个方向中的任意一个方向上的位置而不变更照射区域在两个方向中的另一个方向上的位置。例如，驱动部15具有保持部16、旋转驱动部17以及扫描驱动部18。保持部16对以表面Wa朝上的方式水平地配置的晶圆W的中央部分进行支承，例如通过对晶圆W进行真空吸附等来保持该晶圆W。旋转驱动部17通过使保持着晶圆W的保持部16与该晶圆W一起绕铅垂的轴线Ax1旋转，来使照射区域沿上述两个方向中的一个方向(例如图2中的第一方向D1)移动。旋转驱动部17例如是以电动马达为动力源的旋转驱动器。扫描驱动部18通过使晶圆W沿与利用旋转驱动部17使晶圆W旋转的旋转中心(上述轴线Ax1)正交的方向移动，来使照射区域沿与上述第一方向交叉(例如正交)的方向(例如图2中的第二方向D2)移动。例如，扫描驱动部18具有对旋转驱动部17进行保持的臂18a以及使臂18a绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2揺动的摆动驱动部18b。摆动驱动部18b例如是以电动马达为动力源的旋转驱动器。门19配置于壳体14的侧壁的外表面。门19构成为基于控制器100的指示进行动作来使壳体14的贯通孔14a封闭和敞开。在利用门19使贯通孔14a敞开的情况下，能够将晶圆W相对于壳体14搬入和搬出。即，贯通孔14a也作为晶圆W的出入口发挥功能。气体供给部20构成为经由贯通孔14b向壳体14内供给非活性气体(例如氩气、氮气等)。气体供给部20具有气体源20a、阀20b以及配管20c。气体源20a贮存有非活性气体，作为非活性气体的供给源发挥功能。阀20b基于来自控制器100的动作信号进行动作，来使配管20c打开和关闭。在配管20c上，从上游侧起依序连接有气体源20a、阀20b以及贯通孔14b。真空泵22构成为从壳体14内排出气体来将壳体14内设为真空状态。光源室12包括壳体24、分隔壁26、遮光器构件28、遮光器驱动部29、气体供给部27以及光照射部30。壳体24例如是设置在大气环境中的真空容器的一部分。壳体24呈朝下方敞开开口的有底筒状。壳体24配置为壳体24的开放端与壳体14的开放端相对。在壳体24的壁面设置有贯通孔24a。分隔壁26配置于壳体14、24之间，构成为将壳体14内的空间与壳体24内的空间分隔。换句话说，分隔壁26作为壳体14的顶壁发挥功能并且作为壳体24的底壁发挥功能。即，壳体24配置为在与晶圆W的表面垂直的方向(下面称为垂直方向)上与壳体14相邻。被分隔壁26分隔后的壳体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具备：/n光照射部，其向基板的表面的比处理对象区域小的照射区域内照射处理用的光；/n驱动部，其使所述照射区域在沿着所述基板的表面的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及/n控制部，其控制所述驱动部，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，所述移动图案是以向所述处理对象区域的整个区域照射所述光的方式设定的图案。/n

【技术特征摘要】
20180731 JP 2018-1443191.一种基板处理装置，具备：
光照射部，其向基板的表面的比处理对象区域小的照射区域内照射处理用的光；
驱动部，其使所述照射区域在沿着所述基板的表面的平面内沿彼此交叉的两个方向移动；以及
控制部，其控制所述驱动部，使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动，所述移动图案是以向所述处理对象区域的整个区域照射所述光的方式设定的图案。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述驱动部具有：旋转驱动部，其通过使所述基板旋转来使所述照射区域沿第一方向移动；以及扫描驱动部，其通过使所述基板沿与所述旋转驱动部使所述基板旋转的旋转中心正交的方向移动，来使所述照射区域沿与所述第一方向交叉的第二方向移动。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部控制所述扫描驱动部，以使所述照射区域在所述第二方向上的各位置处的停留时间随着接近所述旋转中心而变短。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部控制所述扫描驱动部，以使所述照射区域在中心位置彼此不同的多个往复移动范围内进行往复移动，并使所述照射区域的往复移动的速度随着所述往复移动范围的中心位置接近所述旋转中心而变高。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部控制所述扫描驱动部，以使所述照射区域的往复次数随着所述往复移动范围的中心位置接近所述旋转中心而变多。


6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：古闲法久，小西仪纪，饭田成昭，大石雄三，竹下和宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP